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本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上生长外延层；沉积一层第一绝缘材料；在第一道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀第一绝缘材料，形成电流阻挡层；去除光刻胶；沉积一层透明导电材料；在第二道光刻工艺形成的光刻...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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