发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置制造方法及图纸

技术编号:16040477 阅读:46 留言:0更新日期:2017-08-19 22:36
一种发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置。该发光二极管装置的制作方法包括:在衬底上形成发光叠层,发光叠层包括在衬底上依次形成的第一半导体层、第一发光层、第二半导体层、第二发光层和第三半导体层;分割发光叠层,以形成相互间隔的多个发光单元,每个发光单元包括相互间隔的第一区域和第二区域;去除第一区域内的第三半导体层和第二发光层,以用于形成第一子发光单元,第二区域用于形成第二子发光单元。该发光二极管装置的制作方法通过分割同一个发光叠层以形成发光单元中的多个子发光单元,简化了生产工艺,减小了子发光单元的间距,降低了生产成本,提高了生产效率和分辨率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置
本公开的实施例涉及一种发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode,LED)是一种半导体固体发光电子元件,具有体积小、亮度高、能耗小、寿命长等特点,被广泛的应用于显示屏,背光源、照明等显示领域。随着技术的发展,LED显示面板向高分辨率的方向发展,逐渐受到一些高端显示应用的青睐。目前,全彩LED显示面板中的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素需要单独制作,然后将红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素组装或封装成为一个像素单元,实现彩色发光,然而由于制作工艺的限制,LED显示面板中每个子像素的尺寸以及子像素之间的间距成为制约LED显示面板向高分辨率发展的关键因素。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种发光二极管(LED)装置的制作方法,其包括:在衬底上形成发光叠层,发光叠层包括在衬底上依次形成的第一导电类型的第一半导体层、第一发光层、第二导电类型的第二半导体层、第二发光层和第一导电类型的第三半导体层;分割发光叠层,以形成相互间隔的多个发光单元,每个发光单元包括相互间隔的第一区域和第二区域;本文档来自技高网...
发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置

【技术保护点】
一种发光二极管(LED)装置的制作方法,包括:在衬底上形成发光叠层,所述发光叠层包括在所述衬底上依次形成的第一导电类型的第一半导体层、第一发光层、第二导电类型的第二半导体层、第二发光层和所述第一导电类型的第三半导体层;分割所述发光叠层,以形成相互间隔的多个发光单元,每个所述发光单元包括相互间隔的第一区域和第二区域;去除所述第一区域内的所述第三半导体层和第二发光层,以用于形成第一子发光单元,所述第二区域用于形成第二子发光单元。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管(LED)装置的制作方法,包括:在衬底上形成发光叠层,所述发光叠层包括在所述衬底上依次形成的第一导电类型的第一半导体层、第一发光层、第二导电类型的第二半导体层、第二发光层和所述第一导电类型的第三半导体层;分割所述发光叠层,以形成相互间隔的多个发光单元,每个所述发光单元包括相互间隔的第一区域和第二区域;去除所述第一区域内的所述第三半导体层和第二发光层,以用于形成第一子发光单元,所述第二区域用于形成第二子发光单元。2.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制作方法,还包括:刻蚀所述第一子发光单元的所述第二半导体层和第一发光层以暴露出部分所述第一半导体层;刻蚀所述第二子发光单元的所述第三半导体层和第二发光层以暴露出部分所述第二半导体层。3.根据权利要求2所述的发光二极管装置的制作方法,还包括:在所述第一子发光单元的暴露出的所述第一半导体层和所述第二半导体层上分别形成第一电极和第二电极;在所述第二子发光单元的所述第三半导体层和暴露出的所述第二半导体层上分别形成第三电极和第四电极。4.根据权利要求3所述的发光二极管装置的制作方法,其中,所述发光叠层还包括在所述第三半导体层上依次形成的第三发光层和所述第二导电类型的第四半导体层;每个所述发光单元还包括与所述第一区域和所述第二区域相互间隔的第三区域;所述方法还包括:去除所述第一区域内的所述第四半导体层、第三发光层、第三半导体层和第二发光层,以用于形成所述第一子发光单元,去除所述第二区域内的所述第四半导体层和第三发光层,以用于形成所述第二子发光单元,所述第三区域用于形成第三子发光单元。5.根据权利要求4所述的发光二极管装置的制作方法,还包括:刻蚀所述第三子发光单元的所述第四半导体层和第三发光层以暴露出部分所述第三半导体层。6.根据权利要求5所述的发光二极管装置的制作方法,还包括:在所述第三子发光单元暴露出的所述第三半导体层和所述第四半导体层上分别形成第五电极和第六电极。7.根据权利要求3或6所述的发光二极管装置的制作方法,还包括:提供基板,在所述基板上形成有多个相互绝缘的接触电极;将所述发光单元倒...

【专利技术属性】
技术研发人员:田婷翟明窦树谦周大勇成军傅晓亮范志强姜太声
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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