紫外光发射器件制造技术

公开了一种紫外光发射器件。描述了一种不使用p型半导体层的紫外光发射器件。为了产生紫外光，电子束发生器被提供，且将在电子束发生器中产生的电子束导向紫外光发生器的活性层。在活性层中，电子束经历碰撞，且由碰撞产生的电子‑空穴对由于活性层的势垒层而限于阱层中。被限制的电子和空穴通过复合产生紫外光。

【技术实现步骤摘要】
紫外光发射器件
本专利技术涉及发光器件，更具体地，涉及可发射紫外光的发光器件。
技术介绍
发光二极管是通过使电子激发到导带且使空穴激发到价带的复合来产生光并发光的器件。为了发光，发光二极管具有特定的多量子阱结构。多量子阱结构具有多重交替的阱层和势垒层的薄层。也就是说，电子和空穴限于在势垒层之间形成的阱层中，且因它们的复合而发射光。这是量子限制效应。相应地，在发光二极管中产生的光典型地由阱层的带隙能来确定。也就是说，当阱层的带隙能大时，其中产生的光的波长短，且当阱层的带隙能小时，其中产生的光的波长长。限于阱层中的电子由n型半导体层提供，且空穴由p型半导体层提供。因此，多量子阱结构形式的生光层被夹在n型半导体层与p型半导体层之间，以形成接合。形成发光二极管的半导体层由化合物半导体制成。半导体层比生光层中的阱层需要更高的带隙能。这是用于防止生光层中产生的光在半导体层中被吸收。而且，随着产生的光的波长越来越短，形成p型半导体层变得越来越有问题。也就是说，即使当经由MOCVD工艺等形成空穴浓度不足且包含掺杂剂的p型层时，效率也会降低。这对于产生紫外光的发光二极管尤其成问题。例如，虽然AlN、A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外光发射器件，包括：电子束发生器，基于施加的电压来产生电子束；紫外光发生器，面向电子束发生器，紫外光发生器与电子束发生器隔开真空状态下的间隔空间，并且紫外光发生器用于根据基于电子束的碰撞而产生的电子‑空穴对的复合来产生紫外光。

【技术特征摘要】
2015.11.04 KR 10-2015-01541661.一种紫外光发射器件，包括：电子束发生器，基于施加的电压来产生电子束；紫外光发生器，面向电子束发生器，紫外光发生器与电子束发生器隔开真空状态下的间隔空间，并且紫外光发生器用于根据基于电子束的碰撞而产生的电子-空穴对的复合来产生紫外光。2.如权利要求1所述的紫外光发射器件，其中，电子束发生器包括：被施加电压的阴极；电子束发射器，形成在阴极上且用于使用碳纳米管产生电子束。3.如权利要求2所述的紫外光发射器件，其中，电子束发射器包括：形成在阴极上的碳纳米管层；图案化金属层，以规定的相互间隔的空间形成在碳纳米管层上；电子发射材料，形成在图案化金属层的较低部的拐角部分处，由碳纳米管制成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊冀，孙孝根，
申请(专利权)人：全南大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国,KR