半导体装置的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置的制作方法，包含：提供一晶圆，具有一正面与一背面；于所述正面形成多数个穿板通孔；于所述多数个穿板通孔上形成一重分布层；将所述晶圆与一载板接合；于所述背面进行一晶背抛光工艺，薄化所述晶圆；进行一退火工艺，使所述穿板通孔再结晶；以及进行一化学机械抛光工艺，抛光所述晶圆的所述背面。

Method for manufacturing semiconductor device

The invention discloses a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a wafer having a front surface and a back surface; the front to form a plurality of wear plate through hole; forming a redistribution layer to the plurality of wear plate through hole; the wafer and a carrier plate in the joint; the back of a backside polishing process, thinning the wafer; an annealing process, the wear plate via recrystallization; and a chemical mechanical polishing process, the polishing of the wafer backside.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制作方法
本专利技术涉及一种半导体装置的制作方法，特别是涉及一种穿板通孔(throughsubstratevia，TSV)(或穿硅通孔)中介层的制作方法。
技术介绍
穿板通孔中介层是一种设置在一个或多个集成电路芯片与一安装基板之间的半导体装置，其中包含有复数个导电通孔。这些导电通孔可允许集成电路芯片与安装基板之间的电连接。根据公知技术，上述导电通孔的制作方法是先在一硅基板的正面形成孔洞，接着在孔洞的侧壁形成绝缘结构，然后以电镀方式于孔洞内填入导电金属，例如铜，再抛光硅基板的背面以暴露出导电通孔的另一端面，用来提供进一步连结使用。然而，上述现有技术仍有许多缺点。例如，自硅基板的背面暴露出来的导电通孔的另一端面上常会有铜挤出(copperextrusion)现象。有鉴于此，本
仍需要一种改良的半导体装置的制作方法，可以解决上述现有技术面临的问题。
技术实现思路
根据本专利技术实施例，本专利技术公开一种半导体装置的制作方法，包含：提供一晶圆，具有一正面与一背面；于所述正面形成多数个穿板通孔(throughsubstratevia，穿板通孔)；于所述多数个穿板通孔上形成一重分布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包含：提供一晶圆，具有一正面与一背面；于所述正面形成多数个穿板通孔；于所述多数个穿板通孔上形成一重分布层；将所述晶圆与一载板接合；于所述背面进行一晶背抛光工艺，薄化所述晶圆；进行一退火工艺，使所述穿板通孔再结晶；以及进行一化学机械抛光工艺，抛光所述晶圆的所述背面。

【技术特征摘要】
2016.01.21 US 15/002,4041.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包含：提供一晶圆，具有一正面与一背面；于所述正面形成多数个穿板通孔；于所述多数个穿板通孔上形成一重分布层；将所述晶圆与一载板接合；于所述背面进行一晶背抛光工艺，薄化所述晶圆；进行一退火工艺，使所述穿板通孔再结晶；以及进行一化学机械抛光工艺，抛光所述晶圆的所述背面。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，于所述正面形成多数个穿板通孔是包含：于所述正面形成多数个穿板通孔孔洞至所述晶圆一主表面以下的一预定深度；形成一介电层，做为...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖敬华，施健鸿，邱定中，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US