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本发明公开了一种半导体装置的制作方法，包含：提供一晶圆，具有一正面与一背面；于所述正面形成多数个穿板通孔；于所述多数个穿板通孔上形成一重分布层；将所述晶圆与一载板接合；于所述背面进行一晶背抛光工艺，薄化所述晶圆；进行一退火工艺，使所述穿板通...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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