半导体封装件的制造方法及半导体封装件技术

本发明专利技术提供一种半导体封装件的制造方法，其与现有的制造方法相比，能够减少用于形成通孔的材料而形成通孔。所述半导体封装件的制造方法包括：在支承板之上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层中形成通孔；在所述绝缘材料层之上配置半导体元件，使得所述半导体元件的电极位于所述通孔之上；去除所述支承板；在所述绝缘材料层的与所述半导体元件的一侧相反的面、所述通孔及所述半导体元件的所述电极的面上形成种子层；以及在所述通孔中形成金属层。

Method for manufacturing semiconductor package and semiconductor package

The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor package that reduces the material used to form through holes to form vias through comparison with existing manufacturing methods. Comprises a manufacturing method of semiconductor package: insulation material layer is formed on the supporting plate; a through hole is formed on the insulating material layer; an insulating material layer is provided on the semiconductor element at the electrode, so that the semiconductor element is positioned in the through hole; removing the support plate; forming a seed layer the electrode insulation layer and the semiconductor element of the opposite side surface, in the hole and the semiconductor element on the surface; and the through-hole formed in the metal layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件的制造方法及半导体封装件
本专利技术涉及对半导体元件进行镀敷布线的半导体封装件的制造方法及半导体封装件。
技术介绍
在内置有诸如集成电路(IntegratedCircuit，IC)或大规模集成电路(LargeScaleIntegration，LSI)的有源器件(activedevice)的基板的制造工艺中，通常利用激光加工来形成通孔(via)。在这种情况下，为了防止对器件的损伤，而在器件上的铝焊盘(pad)上形成下阻挡金属(UnderBarrierMetal，UBM)(例如铜制)，并对在该下阻挡金属之上形成的绝缘材料层进行通孔加工。在作为有关如此形成通孔的文献的专利文献1中记载了该专利技术。在日本特开2013-30593号公报(美国专利申请公开第2013/0026650号说明书)(例如参照图7)中公开了如下结构，包括：半导体元件；电极焊盘(相当于所述下阻挡金属)，与半导体元件的下方相邻；以及有机基板(相当于所述绝缘材料层)，形成有与电极焊盘的下方相邻的通孔。在试图在这种结构中利用激光在有机基板中形成通孔的情况下，需要从有机基板的下方朝向半导体元件照射激光，但是为了使半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在支承板之上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层中形成通孔；在所述绝缘材料层之上配置半导体元件，使得所述半导体元件的电极位于所述通孔之上；去除所述支承板；在所述绝缘材料层的与所述半导体元件的一侧相反的面、所述通孔及所述半导体元件的所述电极的面上形成种子层；以及在所述通孔中形成金属层。

【技术特征摘要】
2016.01.15 JP 2016-0059711.一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在支承板之上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层中形成通孔；在所述绝缘材料层之上配置半导体元件，使得所述半导体元件的电极位于所述通孔之上；去除所述支承板；在所述绝缘材料层的与所述半导体元件的一侧相反的面、所述通孔及所述半导体元件的所述电极的面上形成种子层；以及在所述通孔中形成金属层。2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述支承板与所述绝缘材料层能够通过第一粘接材料层粘接，所述第一粘接材料层能够热剥离或利用紫外线进行剥离。3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述绝缘材料层与所述半导体元件利用第二粘接材料层而粘接，所述第二粘接材料层在加热固化前的B阶段状态下与所述半导体元件具有紧密附着性，在加热固化工序中能够保持所述通孔的形状。4.根据权利要求2所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述绝缘材料层与所述半导体元件通过第二粘接材料层粘接，所述第二粘接材料层在加热固化之前的B阶段状态下与所述半导体元件具有附着性，在加热固化工...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本圣昭，山本佑子，
申请(专利权)人：株式会社吉帝伟士，
类型：发明
国别省市：日本,JP