一种用于CuCGA器件的植柱方法技术

一种用于CuCGA器件的植柱方法。本发明专利技术涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种CGA器件的植柱方法。为解决CuCGA器件阵列铜柱植柱难度大、植柱质量受现有植柱装置影响而表现出的焊接传热问题、焊点气孔问题。本发明专利技术首先在阵列排布的焊盘上印刷焊锡膏，并通过回流焊实现焊盘上的植球；将铜柱代替钻头装夹于微型高精度钻床的夹头中，并使铜柱位于待植柱焊盘上方并与焊盘中心对中后，利用钻床带动铜柱旋转并下压钻入焊球内预定深度后，停止铜柱的运动，至焊球冷却后夹头打开并提起，铜柱留在焊盘上焊球中，完成单个铜柱的植柱；然后重复植柱步骤以实现每个阵列排布的焊盘上的铜柱的植柱过程，并保证植柱后阵列铜柱露出端共面。本发明专利技术用于CuCGA器件的植柱。

【技术实现步骤摘要】
一种用于CuCGA器件的植柱方法
本专利技术涉及微电子封装
，具体涉及一种CGA器件的植柱方法。
技术介绍
高密度、无铅化、高可靠性封装是近年电子产品制造的努力方向。面阵列排布焊点的封装形式在单位面积上的输入/输出(I/O)数量较周边引脚封装形式呈现几何级数的增加，促进了高密度封装技术的发展。但器件的可靠性却并没有得到同步提高，依据加速寿命试验数据和分析，由于引脚对应力的吸收作用，周边引脚封装形式的典型器件QFP(QuadFlatPackage)的焊点疲劳寿命大约是常用无引脚面阵列封装形式的典型器件PBGA(PlasticBallGridArray)焊点的2-3倍。由于面阵列封装器件的热疲劳寿命随封装尺寸增加而降低，对于高频率、高功率、高I/O的大芯片封装以及高可靠性要求的航空、航天、军工用电子器件封装，通常需要采用CGA(ColumnGridArray)封装形式替代BGA(BallGridArray)封装，以借助高度更高的钎料柱来提高器件的散热能力并有效缓解陶瓷芯片载体基板与树脂印刷电路板之间TCE(ThermalCoefficientofExpansion)差异引起的应力。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于CuCGA器件的植柱方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在阵列排布的焊盘上印刷焊锡膏；步骤2、通过回流焊实现阵列排布的焊盘上的植球；步骤3、单个铜柱的植柱：事先准备端头涂覆有助焊剂的铜柱；将铜柱代替钻头装夹于微型高精度钻床的夹头中，控制待植柱焊盘所在的基板运动，使铜柱位于待植柱焊盘上方并与焊盘中心对中后，利用钻床带动铜柱旋转同时向焊盘上的焊球运动，随后铜柱端部下压并钻入焊球内预定深度S后，停止铜柱的运动，随后铜柱保持静止直至焊球冷却；铜柱镶嵌到钎料焊球当中；打开并提起钻床夹头，使铜柱留在焊盘上的钎料焊球中，完成单个铜柱的植柱过程；步骤4、阵列铜柱的植柱：重复上述步骤3的过程，逐个实...

【技术特征摘要】
1.一种用于CuCGA器件的植柱方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在阵列排布的焊盘上印刷焊锡膏；步骤2、通过回流焊实现阵列排布的焊盘上的植球；步骤3、单个铜柱的植柱：事先准备端头涂覆有助焊剂的铜柱；将铜柱代替钻头装夹于微型高精度钻床的夹头中，控制待植柱焊盘所在的基板运动，使铜柱位于待植柱焊盘上方并与焊盘中心对中后，利用钻床带动铜柱旋转同时向焊盘上的焊球运动，随后铜柱端部下压并钻入焊球内预定深度S后，停止铜柱的运动，随后铜柱保持静止直至焊球冷却；铜柱镶嵌到钎料焊球当中；打开并提起钻床夹头，使铜柱留在焊盘上的钎料焊球中，完成单个铜柱的植柱过程；步骤4、阵列铜柱的植柱：重复上述步骤3的过程，逐个实现每个阵列排布焊盘上的铜柱的植柱过程，并保证植柱参数相同以使植柱后阵列铜柱露出端共面。2.根据权利要求1所述的一种用于CuCGA器件的植柱方法，其特征在于，所述阵列排布的焊盘为印刷电路板上阵列排布的焊盘或芯片载体基板上阵列排布的焊盘；所述植柱方法适用于二级封装中印刷电路板上阵列排布的焊盘或芯片载体基板上阵列排布的焊盘上的植柱，也适用于一级封装中芯片载体基板上阵列排布的焊盘上的植柱。3.根据权利要求2所述的一种用于CuCGA器件的植柱方法，其特征在于，步骤2所述的植球过程中形成的焊球高度h大于等于焊盘直径D的3/4。4.根据权利要求3所述的一种用于CuCGA器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵智力，刘鑫，白宇慧，王敏，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23