集成电路及其形成方法技术

本发明专利技术涉及具有改进的DTI结构的BSI图像传感器，及其相关的形成方法。在一些实施例中，BSI图像传感器包括设置在衬底内并且对应于多个像素区域的多个图像感测元件。深沟槽隔离(DTI)栅格设置在相邻的图像感测元件之间并且从衬底的上表面延伸至衬底内的位置。DTI栅格包括设置在衬底的上表面下方的气隙，该气隙具有被第一介电层包围的下部和被第二介电层密封的一些上部。本发明专利技术还提供了集成电路及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其形成方法
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地，涉及集成电路及其形成方法。
技术介绍
许多现代电子设备包括使用图像传感器的光学成像设备(例如，数码相机)。可以在包括光电检测器阵列和支持逻辑的集成电路(IC)上设置图像传感器。能够对应于单个像素的光电检测器测量对应于光学图像的入射辐射(例如，光)，且支持逻辑有助于从IC中读出数字数据。从IC输出的数字数据对应于光学图像的数字编码表示。标准的IC制造工艺能够生产使用前照射(FSI)或背照射(BSI)技术的图像传感器。通过FSI，在设置于半导体衬底中的光电检测器处收集光之前，光照射在IC的正面上，且穿过电互连结构，诸如后段制程(BEOL)金属层的堆叠件。通常在FSI中，BEOL金属层被构造为在单个光电检测器上方具有开口(孔径)，因为如果该BEOL金属层布置在入射光和光电检测器之间，则BEOL金属层的材料以其他方式遮挡光。为了优化通过这些孔径到达光电检测器的光的数量，通常在FSI中使用微透镜、波导、和其它光学部件以使反射最小化且有助于将光引导至相应的光电检测器。在BSI中，代替光穿过BEOL金属层中的开口/孔口，从衬底的背本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括图像感测阵列，包括：衬底，包括一个接一个地布置的多个像素区域；多个图像感测元件，设置在所述衬底内并对应于所述多个像素区域；以及深沟槽隔离(DTI)栅格，设置在相邻的所述图像感测元件之间并且从所述衬底的上表面延伸至所述衬底内的位置；其中所述深沟槽隔离栅格包括设置在所述衬底的上表面下方的气隙，其中所述气隙具有被第一介电层包围的下部，并且其中一些气隙具有被第二介电层密封的上部。

【技术特征摘要】
2015.11.09 US 14/935,8191.一种集成电路，包括图像感测阵列，包括：衬底，包括一个接一个地布置的多个像素区域；多个图像感测元件，设置在所述衬底内并对应于所述多个像素区域；以及深...

【专利技术属性】
技术研发人员：江彦廷，王俊智，杨敦年，曾晓晖，黄志辉，丁世汎，周世培，李昇展，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71