等离子纳米结构传感器像素制造技术

第一等离子纳米结构传感器像素包括半导体基板和多个金属柱。半导体基板具有上表面和上表面下方的光电二极管区域。多个金属柱至少部分地嵌入在基板中并从上表面在与上表面基板垂直的方向中延伸。第二等离子纳米结构传感器像素包括(a)具有上表面的半导体基板，(b)在上表面上的氧化物层，(c)在上表面和氧化物层之间的薄膜涂层，以及(d)多个金属纳米颗粒，多个金属纳米颗粒(i)至少部分地在上表面和氧化物层之间并且(ii)至少部分地嵌入在薄膜涂层和氧化物层的至少一个中。第三等离子纳米结构传感器像素包括第一和第二等离子纳米结构传感器像素的特征。

【技术实现步骤摘要】
等离子纳米结构传感器像素
本专利技术涉及光学领域，尤其涉及等离子纳米结构传感器像素。
技术介绍
低成本的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的发展有贡献于大容量消费品(例如，移动设备和机动汽车)中彩色照相机模块的包含。这样的照相机模块的发展包括红外线(IR)检测能力的包含和由此的可见和红外光谱带的双模成像，这对应用(例如，姿势识别和深度分析)是重要的。在此，术语“IR光”、“IR电磁辐射”和“IR波长”指的是波长在λ≈0.75μm和λ≈1.1μm之间的电磁能量。λ≈1.1μm的上限对应CMOS图像传感器中硅的带隙能量。相似地，术语“可见光”、“可见电磁辐射”和“可见波长”指的是波长在0.40μm和0.75μm之间的电磁能量。图1示出移动设备190的照相机模块120。图2是照相机模块120的剖视图。照相机模块120包括成像透镜222和具有像素阵列200的图像传感器250。成像透镜222能够对从物体234传播至像素阵列200上的光232成像。图像传感器250可以包括设备裸片(devicedie)206，例如，设备裸片206使用CMOS工艺实施，然而在不脱离其范围的情况下，设备裸片2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子纳米结构传感器像素，包括：半导体基板，具有上表面和所述上表面下方的光电二极管区域；以及多个金属柱，至少部分地嵌入在所述基板中并从所述上表面在与所述上表面基本垂直的方向中延伸。

【技术特征摘要】
2016.01.12 US 14/993,4721.一种等离子纳米结构传感器像素，包括：半导体基板，具有上表面和所述上表面下方的光电二极管区域；以及多个金属柱，至少部分地嵌入在所述基板中并从所述上表面在与所述上表面基本垂直的方向中延伸。2.根据权利要求1所述的像素，还包括在所述上表面上的光学单元，所述光学单元包括抗反射涂层、氧化物层、滤色镜和显微透镜的至少一个。3.根据权利要求1所述的像素，其中，多个柱的一个的上表面与所述基板的所述上表面共平面。4.根据权利要求1所述的像素，其中，每个柱的至少部分在所述光电二极管区域中。5.根据权利要求1所述像素，其中，多个柱的每个具有超过50纳米的最小宽度和小于1微米的最大宽度。6.根据权利要求1所述的像素，其中，多个柱的每个具有接近所述上表面的顶端和与所述顶端相对并位于所述基板内的底端，所述顶端和所述底端之间的距离在1微米和3微米之间。7.根据权利要求1所述的像素，其中，多个柱形成周期阵列。8.根据权利要求7所述的像素，其中，所述阵列具有0.030和0.31之间的区域填充因子。9.根据权利要求1所述的像素，其中，多个柱的一个在与所述基板的表面平行的平面内具有非圆形的剖面形状。10.根据权利要求1所述的像素，其中，多个柱的每个由选自由铝、金、银、铂和铜组成的组的一种或多种材料形成。11.根据权利要求1所述的像素，还包括：氧化物层，在所述上表面上；薄膜涂层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张博洋，彭进宝，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US