一种多孔硅纳米线NO2气体传感器的制备方法技术

本发明专利技术公开了属于气体传感器技术领域的一种多孔硅纳米线NO2气体传感器的制备方法。该方法首先利用金属银催化化学腐蚀，在硅片表面制备出多孔硅纳米线，再通过金属盐溶液浸泡或者磁控溅射的方法，在多孔硅纳米线表面修饰一层Ag纳米颗粒，得到的薄膜样品接上Ag电极和Ag导线后，可作为检测NO2气体的气敏传感器。在一定的电压下，当气体环境中通入NO2时，传感器的电阻值明显下降；去除NO2气体重新通入空气后，传感器的电阻值可以回升。本方法制备的NO2气敏传感器具有灵敏度高，成本低，环境稳定性好的特点，在NO2气体中器件的电阻值变化可达30％以上，具有实际应用的价值。

【技术实现步骤摘要】
一种多孔硅纳米线NO2气体传感器的制备方法
本专利技术属于气体传感器
，特别涉及一种多孔硅纳米线NO2气体传感器的制备方法。
技术介绍
我们居住的环境中存在着各种各样的危险气体，温室效应，酸雨，臭氧层破坏等众多危害，已经严重威胁到人类的生存。因此研制出一种高灵敏度，高选择性的气敏传感器，以检测在各个环境中危险气体的含量，并监测其排放已经迫在眉睫。传统的气敏传感器材料一般为金属氧化物体系，如SnO2就是其中最早投入生产，并且应用最广泛的气敏材料。SnO2为金红石结构，N型半导体，可用于检测H2,CH4,NH3,CO,H2S,丙烷，丁烷等多种气体。但是近年来，人们在研究中发现氧化锡作为气敏材料的工作温度偏高，并且对潮湿环境敏感，这个特点影响了其作为气敏传感器的稳定性和灵敏度。多孔硅是近年来新兴的一种室温气敏材料。其具有巨大的比表面积(几百m2/cm3)，高反应活性，并且制备过程简单，能与传统的硅基电子工艺兼容，是目前最有前景的传感器材料之一。多孔硅可以通过在氢氟酸中对单晶硅或非晶硅进行阳极氧化的方法获得，其具有疏松多孔的结构，良好的绝热性和低温下的气体敏感性，被应用于对NO2，NH本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多孔硅纳米线NO2气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)配制HF和AgNO3的混合溶液，其中HF浓度为3～6M，AgNO3浓度3～8mM，在磁力搅拌的同时将硅片浸入其中，保持50～80s,使其表面沉积一层均匀的Ag颗粒；(2)配制HF和H2O2的混合溶液，其中HF浓度为3～6M，H2O2浓度为0.1～1M，在20～60℃的恒温水浴下将镀Ag后的硅片放入其中腐蚀10～40min；(3)配制浓HNO3和去离子水体积比1:1的溶液，去除样品表面残余的Ag颗粒；(4)配制10～40mM的AgNO3溶液，将上述处理后的样品放在其中浸泡3～5min，使其表面沉积一层Ag纳米颗粒，得到多...

【技术特征摘要】
1.一种多孔硅纳米线NO2气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)配制HF和AgNO3的混合溶液，其中HF浓度为3～6M，AgNO3浓度3～8mM，在磁力搅拌的同时将硅片浸入其中，保持50～80s,使其表面沉积一层均匀的Ag颗粒；(2)配制HF和H2O2的混合溶液，其中HF浓度为3～6M，H2O2浓度为0.1～1M，在20～60℃的恒温水浴下将镀Ag后的硅片放入其中腐蚀10～40min；(3)配制浓HNO3和去离子水体积比1:1的溶液，去除样品表面残余的Ag颗粒；(4)配制10～40mM的AgNO3溶液，将上述处理后的样品放在其中浸泡3～5min，使其表面沉积一层Ag纳米颗粒；或(5)用磁控溅射方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正操，廖杰翠，吕沙沙，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11