一种CMOS图像传感器的制造方法技术

一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：提供基底，基底上包括第一区域；提供第一掩模版；以第一掩模版为掩模在基底上形成第一图形化掩膜层，暴露出第一区域，第一区域具有与转移晶体管相邻的第一端；以第一图形化掩膜层为掩模，在第一区域形成第一导电类型的第一注入区；在第一注入区内形成第二导电类型的第二注入区，将第一注入区分隔为第三注入区和第四注入区；提供第二掩模版；以第二掩模版为掩模在基底上形成第二图形化掩膜层，暴露出第一区域的第一端；以第二图形化掩膜层为掩模，在第一区域的第一端形成第一导电类型的第五注入区，将第三注入区和第四注入区电学连接。提高像素单元的满阱容量及电荷传输效率、减小图像延迟。

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS图像传感器的制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种CMOS图像传感器的制造方法。
技术介绍
图像传感器，或称感光元件，是一种将光学图像转换成电子信号的设备，它被广泛地应用在数码相机和其他电子光学设备中。根据元件的不同，图像传感器可分为电荷耦合元件(ChargeCoupledDevice，CCD)和CMOS图像传感器(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，CMOS)两大类。CMOS图像传感器与CCD图像传感器相比，因其具有更低的制造成本、更低的功耗以及高整合度等优点，近年来在宽动态、低照度方面取得了飞速发展。CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器，通常由像素单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成，其工作过程一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分。其中，像素单元属于核心部件，它作为CMOS图像传感器的基本感光单元，决定着整个图像传感器的成像质量。像素单元按照像素单元结构的不同，可以分为无源像素单元(passivepixelschematic，PPS)和有源像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上包括第一区域，所述第一区域为待形成感光元件的区域；提供第一掩模版；以第一掩模版为掩模在所述基底上形成第一图形化掩膜层，暴露出所述第一区域，所述第一区域具有与CMOS图像传感器的转移晶体管相邻的第一端；以第一图形化掩膜层为掩模，通过离子注入方式在第一区域形成第一注入区，所述第一注入区为第一导电类型；通过离子注入方式在第一注入区内形成第二注入区，所述第二注入区为第二导电类型，所述第二导电类型与第一导电类型相反，剩余的第一注入区被第二注入区分隔为位于第二注入区之上的第三注入区和位于第二注入区之下的第四注入区；提供第二掩模版；以第...

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上包括第一区域，所述第一区域为待形成感光元件的区域；提供第一掩模版；以第一掩模版为掩模在所述基底上形成第一图形化掩膜层，暴露出所述第一区域，所述第一区域具有与CMOS图像传感器的转移晶体管相邻的第一端；以第一图形化掩膜层为掩模，通过离子注入方式在第一区域形成第一注入区，所述第一注入区为第一导电类型；通过离子注入方式在第一注入区内形成第二注入区，所述第二注入区为第二导电类型，所述第二导电类型与第一导电类型相反，剩余的第一注入区被第二注入区分隔为位于第二注入区之上的第三注入区和位于第二注入区之下的第四注入区；提供第二掩模版；以第二掩模版为掩模在所述基底上形成第二图形化掩膜层，暴露出所述第一区域的第一端；以第二图形化掩膜层为掩模，通过离子注入方式在所述第一区域的第一端形成第五注入区，所述第五注入区为第一导电类型，所述第五注入区将第三注入区和第四注入区电学连接。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一注入区的离子注入包括第一离子注入、第二离子注入和第三离子注入。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入、第二离子注入和第三离子注入的离子导电类型均为第一导电类型。4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入、第二离子注入和第三离子注入的注入能量逐渐递增。5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入的离子为磷离子，注入能量为100KeV,注入的离子剂量是1.8E12atom/c...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑大燮，陈德艳，施雪捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31