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一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：提供基底，基底上包括第一区域；提供第一掩模版；以第一掩模版为掩模在基底上形成第一图形化掩膜层，暴露出第一区域，第一区域具有与转移晶体管相邻的第一端；以第一图形化掩膜层为掩模，在第一区域形成第一导电类型...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。