固态成像装置及其制造方法和电子设备制造方法及图纸

本公开提供一种固态成像装置及其制造方法和电子设备。该固态成像装置包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的电荷累积部，其中靠近光进入该电荷累积部的单元像素的入射侧的电极的至少一部分由用作遮光膜的金属膜形成。

【技术实现步骤摘要】
固态成像装置及其制造方法和电子设备本申请是申请日为2013年1月25日、申请号为201310028975.0、专利技术名称为“固态成像装置及其制造方法和电子设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开涉及固态成像装置、制造固态成像装置的方法及电子设备。更具体地，本公开涉及在单元像素中具有电荷累积部的固态成像装置、制造该固态成像装置的方法及电子设备。
技术介绍
诸如CMOS图像传感器的固态成像装置是一种X-Y寻址方案的固态成像装置，其执行顺序扫描和读取每个像素或每行的光电转换部中产生且累积的光电荷的操作。在该顺序扫描的情况下，就是说，在采用卷帘快门(rollingshutter)作为电子快门的情况下，不能在所有的像素中共享曝光开始时间和曝光结束时间来累积光电荷。因此，在顺序扫描的情况下，存在摄取运动目标的图像时在摄取的图像中导致变形的问题。在不允许这种图像变形的摄取高速运动目标的图像的情况下，或者在要求摄取图像的同步性的传感应用的情况下，相对于像素阵列部中的所有像素同时执行曝光开始和曝光结束的全域快门(globalshutter)用作电子快门。为了实现该全域快门，对于与作为光电转换部的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像装置，包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，其中该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的电荷累积部，其中该电荷累积部的第一电极直接连接到该半导体基板。

【技术特征摘要】
2012.02.02 JP 2012-020867;2012.02.06 JP 2012-022721.一种固态成像装置，包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，其中该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的电荷累积部，其中该电荷累积部的第一电极直接连接到该半导体基板。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该电荷累积部的面对该第一电极的第二电极以金属材料形成，并且该第一电极的上表面和侧表面的至少一部分覆盖有该第二电极。3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该第一电极以与该半导体基板晶格匹配的材料形成。4.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中该半导体基板以硅形成，并且该第一电极以多晶硅或多晶硅的化合物形成。5.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中该第一电极以该半导体基板上外延生长的材料形成。6.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该电荷累积部累积在曝光期间从该光电转换部溢出的电荷。7.根据权利要求6所述的固态成像装置，其中该单元像素还包括由埋入型MOS电容器形成的电荷累积部；并且其中能同时曝光该多个单元像素，并且该光电转换部中在该曝光期间累积的电荷在该曝光期间后累积在两个电荷累积部中。8.一种固态成像装置的制造方法，该固态成像装置包括像...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂野頼人，押山到，宫波勇树，武田健，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP