图像传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种图像传感器。图像传感器包括像素阵列。像素阵列包括：多个像素；以及隔离结构，适用于在多个像素之间进行绝缘。隔离结构包括：第一导电类型导电层，形成在衬底之上；以及第二导电类型拾取区，形成在第一导电类型导电层中并且设置在多个像素中的每个之间。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器相关申请的交叉引用本申请要求2016年1月11日提交的第10-2016-0003084号、题为“图像传感器”的韩国专利申请的优先权，该申请通过引用整体合并于此。
技术介绍
本专利技术的示例性实施例总体而言涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种图像传感器。图像传感器将光学图像转换为电信号。随着计算机和通信产业的发展，在各种应用(诸如数字照相机、摄像机、智能电话、游戏机、监控摄像机、医用微型摄像机和机器人等)中对具有改善性能的图像传感器的需求有所增加。
技术实现思路
本专利技术的实施例针对一种具有改善性能的图像传感器。根据本专利技术的实施例，一种图像传感器可以包括：多个单位像素组；以及隔离结构，适用于在多个单位像素组之间进行绝缘。隔离结构包括：第一导电类型导电层，形成在衬底之上；以及第二导电类型拾取区，形成在第一导电类型导电层中并且设置在多个单位像素组中的每个之间。此外，隔离结构还可以包括：元件隔离层，形成在第一导电类型导电层之上并且具有与第二导电类型拾取区接触的底表面；以及插塞，穿过元件隔离层而形成，并且连接第二导电类型拾取区。正电压可以被施加至第二导电类型拾取区，所述正电压在高于接地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：多个单位像素组；以及隔离结构，适用于在所述多个单位像素组之间进行绝缘，其中，隔离结构包括：第一导电类型导电层，形成在衬底之上；以及第二导电类型拾取区，形成在第一导电类型导电层中并且设置在所述多个单位像素组中的每个之间。

【技术特征摘要】
2016.01.11 KR 10-2016-00030841.一种图像传感器，包括：多个单位像素组；以及隔离结构，适用于在所述多个单位像素组之间进行绝缘，其中，隔离结构包括：第一导电类型导电层，形成在衬底之上；以及第二导电类型拾取区，形成在第一导电类型导电层中并且设置在所述多个单位像素组中的每个之间。2.如权利要求1所述的图像传感器，其中隔离结构还包括：元件隔离层，形成在第一导电类型导电层之上并且具有与第二导电类型拾取区接触的底表面；以及插塞，穿过元件隔离层而形成，并且连接第二导电类型拾取区。3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，正电压被施加至第二导电类型拾取区，所述正电压在高于接地电压至等于或低于电源电压的电压范围内变化。4.如权利要求1所述的图像传感器，其中，当所述多个单位像素组以全局快门模式操作时，正电压在积分时间期间被施加至第二导电类型拾取区。5.如权利要求1所述的图像传感器，其中，当所述多个单位像素组以卷帘快门模式操作时，正电压一直被施加至第二导电类型拾取区。6.如权利要求1所述的图像传感器，其中，第一导电类型导电层包括在衬底中形成的第一导电类型阱，或者在衬底之上形成的第一导电类型外延层。7.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个单位像素组中的每个包括：光接收部分，包括多个光电转换元件，所述多个光电转换元件适用于响应于入射光而产生光电荷并且共用单个浮置扩散区；以及输出部分，适用于输出与光接收部分中产生的光电荷相对应的图像信号。8.如权利要求7所述的图像传感器，其中，第二导电类型拾取区设置在每个光接收部分之间。9.如权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电类型拾取区具有点的形状。10.一种图像传感器，包括：多个单位像素组；隔离结构，适用于在所述多个单位像素组之...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雄熙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR