图像传感器及图像传感器制作方法技术

本发明专利技术涉及一种图像传感器及图像传感器制作方法。一种图像传感器包含安置于半导体材料中的光电二极管。所述光电二极管是形成为阵列的多个光电二极管中的一者。所述图像传感器还包含安置于所述半导体材料中的浮动扩散部，且所述浮动扩散部是邻近于所述多个光电二极管中的所述光电二极管而安置。转移栅极经安置以将在所述个别光电二极管中产生的图像电荷转移到所述浮动扩散部中。外围电路安置于所述半导体材料中且包含到所述半导体材料的第一电触点。第一硅化物层安置于所述浮动扩散部上，第二硅化物层安置于所述转移栅极上，且第三硅化物层安置于到所述半导体材料的所述第一电触点上。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及图像传感器制作方法
本专利技术一般来说涉及图像传感器，且特定来说但非排他性地涉及电接触增强。
技术介绍
图像传感器已变得普遍存在。其广泛用于数字静态相机、蜂窝式电话、安全相机以及医学、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术持续快速地发展。举例来说，对较高分辨率及较低电力消耗的需求已促进了这些装置的进一步小型化及整合。半导体装置性能(包含图像传感器装置性能)与装置内所采用的金属-半导体结的类型直接相关。取决于金属的功函数及半导体的导电/价带边缘的位置，可形成具有广泛电特性的结。如果存在金属的功函数与半导体的导电/价带边缘的位置之间的实质不匹配，那么可形成肖特基(Schottky)势垒。虽然肖特基势垒的构造在其中期望半导体与金属之间的未受阻电荷转移的一些应用中(例如，在肖特基二极管、肖特基晶体管及金属-半导体场效应晶体管中)是合意的，但肖特基势垒可抑制装置性能。
技术实现思路
在一个方面中，本专利技术提供一种图像传感器，其包括：光电二极管，其安置于半导体材料中，其中所述光电二极管是形成阵列的多个光电二极管中的一者；浮动扩散部，其安置于所述半导体材料中，其中所述浮动扩散部是邻近本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其包括：光电二极管，其安置于半导体材料中，其中所述光电二极管是形成阵列的多个光电二极管中的一者；浮动扩散部，其安置于所述半导体材料中，其中所述浮动扩散部是邻近于所述多个光电二极管中的所述光电二极管而安置；转移栅极，其经安置以将在所述光电二极管中产生的图像电荷转移到所述浮动扩散部中；外围电路，其安置于所述半导体材料中，包含到所述半导体材料的第一电触点；及安置于所述浮动扩散部上的第一硅化物层、安置于所述转移栅极上的第二硅化物层及安置于到所述半导体材料的所述第一电触点上的第三硅化物层。

【技术特征摘要】
2016.01.14 US 14/995,8331.一种图像传感器，其包括：光电二极管，其安置于半导体材料中，其中所述光电二极管是形成阵列的多个光电二极管中的一者；浮动扩散部，其安置于所述半导体材料中，其中所述浮动扩散部是邻近于所述多个光电二极管中的所述光电二极管而安置；转移栅极，其经安置以将在所述光电二极管中产生的图像电荷转移到所述浮动扩散部中；外围电路，其安置于所述半导体材料中，包含到所述半导体材料的第一电触点；及安置于所述浮动扩散部上的第一硅化物层、安置于所述转移栅极上的第二硅化物层及安置于到所述半导体材料的所述第一电触点上的第三硅化物层。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一硅化物层、所述第二硅化物层及所述第三硅化物层包含相同材料组合物。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一硅化物层、所述第二硅化物层及所述第三硅化物层包含CoxSiy。4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一硅化物层、所述第二硅化物层及所述第三硅化物层包含NixSiy。5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一硅化物层、所述第二硅化物层及所述第三硅化物层包含碳、氮或氧的植入元素。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括接近于所述半导体材料而安置的隔离层，其中所述转移栅极安置于所述半导体材料与所述隔离层之间。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其进一步包括多个金属互连件，所述多个金属互连件安置于所述隔离层中且电耦合到所述第一硅化物层、所述第二硅化物层及所述第三硅化物层。8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述多个金属互连件包含铝、钨或铜。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述外围电路包含晶体管、第四硅化物层及第五硅化物层，且其中所述第四硅化物层安置于所述晶体管的源极端子上且所述第五硅化物层安置于所述晶体管的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘乐群，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US