半导体芯片、其制造方法、半导体封装和显示设备技术

描述了一种半导体芯片，该半导体芯片具有改善的结构，不需在光刻设备上投资，并描述了一种制造半导体芯片的方法以及包括该半导体芯片的半导体封装和显示设备。半导体芯片包括设置在沿着第一方向伸长的矩形的中心部分中的电路区域。该电路区域包括沿第一方向以预定间隔设置的多个驱动电路单元。多个电极焊盘围绕所述电路区域设置，且工艺图案设置在所述矩形的四条边的至少一条处。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片、其制造方法、半导体封装和显示设备
本专利技术构思涉及半导体芯片和半导体封装，并更具体地涉及可以用于驱动显示设备的半导体芯片和半导体封装。
技术介绍
一般而言，显示装置可以包括用于显示图像的显示面板和用于驱动显示面板的像素的驱动芯片。驱动芯片可以将从驱动芯片外部(例如从外部装置)施加的图像信号转换成适于驱动像素的驱动信号，并且可以在适当时间将驱动信号施加到像素。驱动芯片可以具有封装结构，如带载封装(TCP)、膜上芯片(COF)封装或者玻璃上芯片(COG)封装。
技术实现思路
本专利技术构思提供了一种半导体芯片，该半导体芯片具有在没有光刻设备投资的情况下优化的结构，并提供了一种制造半导体芯片的方法、和包括该半导体芯片的半导体封装以及显示设备。根据本专利技术构思的一些实施方式，半导体芯片包括：电路区域，该电路区域在其中具有沿着第一方向布置的电路图案；电联接到该电路图案并且布置在电路区域的周边和半导体芯片的沿着第一方向延伸的边缘之间的导电电极焊盘；以及在半导体芯片上邻近所述电路区域的周边和外侧的至少一个工艺图案。所述至少一个工艺图案与所述电路图案和所述导电电极焊盘电隔离。根据本专利技术构思的一些实施方式，提供了一种半导体芯片，该半导体芯片包括：设置在沿第一方向长的矩形的中心部分中的电路区域，该电路区域包括沿着第一方向以预定间隔设置的多个驱动电路单元；围绕所述电路区域设置的多个电极焊盘；以及设置在所述矩形的四条边的至少一条边处的工艺图案。根据本专利技术构思的一些实施方式，提供了一种半导体芯片，该半导体芯片包括设置在矩形的中心部分中的电路区域，该电路区域包括电路图案；以及围绕所述电路区域并且在所述矩形的四条边的至少一条边处设置的工艺图案。根据本专利技术构思的一些实施方式，提供了一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括：在晶片中具有矩形形式的多个芯片内形成电路图案并在所述晶片的划线内形成工艺图案，其中所述电路图案和所述工艺图案是通过在晶片上执行光刻工艺、在多个芯片中的每一个内形成电极焊盘；以及通过切割工艺将所述多个芯片彼此分离以个体化多个芯片来形成，其中，在形成电路图案和工艺图案中，作为工艺图案中的任意一个的主工艺图案被包括在所述多个芯片的至少一个内。根据本专利技术构思的一些实施方式，提供了一种半导体封装，其包括：半导体芯片，该半导体芯片包括在沿着第一方向长的矩形的中心部分内设置的电路区域，围绕所述电路区域设置的多个电极焊盘，以及设置在所述矩形的四条边的至少一条边处的工艺图案；以及支撑基板，该支撑基板包括其中安装了半导体芯片的芯片安装单元，以及电连接到所述多个电极焊盘的多个布线图案。根据本专利技术构思的一些实施方式，提供了一种显示设备，该显示设备包括：构造成显示图像的显示面板；构造成将驱动信号提供到用于显示图像的驱动芯片的印刷电路板(PCB)；以及连接在PCB和显示器之间的半导体封装，所述半导体封装包括驱动芯片和其上安装驱动芯片的支撑基板，其中，所述驱动芯片包括设置在沿着第一方向长的矩形的中心部分内的电路区域、围绕所述电路区域设置的多个电极焊盘以及设置在所述矩形的四条边的至少一条边处的工艺图案。附图说明从下面结合附图给出的详细描述中将更清楚理解本专利技术构思的实施方式，图中：图1是包括根据一些实施方式的半导体芯片的晶片的平面图；图2是对应于包括根据一些实施方式的半导体芯片的完整曝光场的平面图；图3是根据一些实施方式的半导体芯片的平面图；图4是详细示出图3的半导体芯片100中的工艺图案的平面图；图5是示出图3的半导体芯片从晶片分离之前的状态的平面图；图6至8B是根据实施方式的半导体芯片的局部平面图；图9A是部分示出图7A的半导体芯片从晶片分离之前的状态的平面图；图9B是部分示出图8A的半导体芯片与晶片分离之间的状态的平面图；图10是包括根据一些实施方式的半导体芯片的完整曝光场的平面图；图11A至11F是示出包括在图10的完整曝光场内的工艺图案的平面图的视图；图12A是包括根据一些实施方式的半导体芯片的完整曝光场的平面图；图12B是示出一个半导体芯片的放大的平面图；图12C是示出在从晶片分离之前的半导体芯片的平面图；图13A是包括在根据一些实施方式的半导体芯片中的工艺图案的平面图；图13B和13C是图13A的工艺图案的横截面图；图14是示出通过省略根据一些实施方式的半导体芯片中的工艺图案的顶部金属层产生的效果的曲线图；图15A是根据一些实施方式的包括半导体芯片的半导体封装的平面图；图15B是图15A的半导体封装的剖视图；图16A是根据一些实施方式的包括半导体芯片的半导体封装的平面图；图16B是图16A的半导体封装的横截面图；图17是根据一些实施方式的包括半导体芯片的半导体封装的横截面图；图18是示出根据一些实施方式的显示设备的一部分的概念图；图19A是图18的显示设备的结构图；图19B是图18的显示设备的电路图；图20是示出根据一些实施方式的制造半导体芯片的工艺的流程图；图21A至21D是对应于图20的制造工艺的操作的概念图。具体实施方式下面，将参照附图详细解释本专利技术构思。图1是包括根据一些实施方式的半导体芯片的晶片W的平面图，而图2是对应于包括根据一些实施方式的半导体芯片的完整曝光场的平面图。参照图1和2，根据当前实施方式的半导体芯片100可以具有在一个方向上长的矩形结构。例如，半导体芯片100可以是显示驱动器集成芯片(DDI)。但是，半导体芯片100不局限于DDI。例如，半导体芯片100可以是DDI之外的存储芯片或非存储芯片。图1是在半导体芯片100通过切割工艺彼此分离并个体化之前的晶片W的视图，且晶片W例如可以包括数百个半导体芯片。晶片W可以包括对应于半导体芯片100的多个主芯片和在主芯片之间的划线S/L。划线S/L在主芯片之间，以将主芯片彼此间隔开，并可以对应于在切割工艺中用于分离主芯片的分离线。通常，在划线S/L内可以形成在光刻工艺中使用的诸如各种标志或标记的图案、用于工艺监视的图案和用于器件测试的图案。这种图案并不影响半导体芯片100的操作或功能性，但是可以用于执行半导体工艺或可以仅对于执行半导体工艺是必须的。由此，下面，所述图案被称为‘工艺图案’，除了清楚区分开的情况之外。如此，工艺图案可以在此称为与半导体芯片100的功能元件电隔离。在生产率方面，划线的宽度逐渐减小，并由此，工艺图案可以被形成的区域也逐渐减小。相反，在半导体器件被高度集成的同时，工艺图案的类型逐渐被多样化且工艺图案的数量增加。于是，可以需要用于划线的较宽区域。换句话说，根据半导体器件的高集成可能需要较宽的划线，而在生产率的方面划线的宽度及其在晶片W上的面积必须减小。由晶片W上的实线表示的方形部分可以是对应于一个完整曝光场(full-shot)Sf的部分。完整曝光场可以对应于整个掩膜图案，该掩膜图案通过在曝光工艺中的一次扫描而转印。通常，曝光工艺可以通过缩小投影(reductionprojection)，例如，4:1的缩小投影被执行。于是，掩膜图案可以被减小到其尺寸的四分之一，以转印到晶片上。完整曝光场可以称为整个场(full-field)。图2示出在放大下的两个完整曝光场，即，第一和第二完整曝光场Sf1和Sf2。例如，基于在第二方向(y方向)上延伸的x轴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片，包括：电路区域，该电路区域设置在沿第一方向伸长的矩形的中心部分中，所述电路区域包括多个驱动电路单元，所述多个驱动电路单元沿所述第一方向以预定间隔设置；围绕所述电路区域设置的多个电极焊盘；以及设置在所述矩形的四条边的至少一条处的工艺图案。

【技术特征摘要】
2015.11.24 KR 10-2015-01648361.一种半导体芯片，包括：电路区域，该电路区域设置在沿第一方向伸长的矩形的中心部分中，所述电路区域包括多个驱动电路单元，所述多个驱动电路单元沿所述第一方向以预定间隔设置；围绕所述电路区域设置的多个电极焊盘；以及设置在所述矩形的四条边的至少一条处的工艺图案。2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述矩形包括长边，该长边具有比其短边长的长度，且其中，所述工艺图案的整体设置在所述矩形的短边的其中一个处。3.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述矩形包括具有比其短边长的长度的长边，且其中，所述工艺图案的一部分设置在所述矩形的至少一条所述长边处。4.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述半导体芯片是与晶片分离的多个芯片中的一个；其中，所述工艺图案的整体设置在所述半导体芯片内，或者所述工艺图案的一部分设置在所述晶片的划线内，而所述工艺图案的另一部分设置在所述半导体芯片内；以及其中，所述工艺图案的宽度比所述晶片的所述划线的宽度宽。5.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述工艺图案对应于具有预定尺寸的图案，该预定尺寸由于光刻工艺中使用的设备而不能被减小。6.如权利要求5所述的半导体芯片，其中，所述半导体芯片是从晶片分离的多个芯片中的一个；其中，所述工艺图案对应于对准标记，且所述工艺图案的宽度比所述晶片的划线的宽度宽。7.如权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述矩形包括具有比其短边长的长度的长边，且其中，所述半导体芯片中所述矩形的短边的宽度大于不包括所述工艺图案的半导体芯片的矩形的短边的宽度。其中，当所述顶部金属层被用于所述电极焊盘的形成时，仅形成所述顶部金属层的所述部分，且当所述顶部金属层不用于所述电极焊盘的形成时，所述顶部金属层被省略。8.一种半导体芯片，包括：电路区域，该电路区域设置在矩形的中心部分，所述电路区域包括电路图案；以及工艺图案，围绕所述电路区域并且在所述矩形的四条边的至少一条边处设置。9.如权利要求8所述的半导体芯片，其中，所述半导体芯片是从晶片分离的多个芯片中的一个，其中，所述工艺图案的整体设置在所述半导体芯片内，或者所述工艺图案的一部分设置在所述晶片的划线内并且所述工艺图案的另一部分设置在所述半导体芯片内，以及其中，由于所述工艺图案的整体或其一部分设置在所述半导体芯片内，所述晶片的所述划线的宽度减小，且所述半导体芯片的面积增大。10.一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括：在晶片中在具有矩形形式的多个芯片中形成电路图案，并且在所述晶片的划线内形成工艺图案，其中，所述电路图案和所述工艺图案通过在所述晶片上执行光刻工艺来形成；在所述多个芯片的每一个内形成电极焊盘；以及通过切割工艺将所述多个芯片彼此分离，以个体化所述多个芯片；其中，在形成所述电路图案和所述工艺图案中，所述工艺图案的主工艺图案被包括在所述多个芯片中的至少一个内。11.如权利要求10所述的方法，其中，所述矩形包括具有比其短边长的长度的长边，其中，所述多个芯片的每一个包括在第一方向上长的显示驱动器集成电路(DDI)，其中，所述主工艺图案形成在所述多个芯片的每一个内，且所述主工艺图案的整体形成在所述矩形的其中一条短边处或者所述主工艺图案的一部分形成在所述矩形的至少一条长边处。12.如权利要求10所述的方法，其中，所述主工艺图案包括多个金属层，且其中当所述电极焊盘通过使用所述主工艺图案的顶部金属层形成时，与下部金属层相比，所述主工艺图案的仅一部分的顶部金属层被形成，或者当所述电极图案在不使用所述顶部金属层的情况下被形成时，不形成所述顶部金属层。13.如权利要求10所述的方法，其中，所述工艺图案形成在所述多个芯片中的一个内。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金明寿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR