接触电阻测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种接触电阻的测试结构，所述测试结构包括两个测试单元，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，任一测试单元包括：横跨所述鳍结构的第一接触槽，所述第一接触槽的一端为第一电压检测端，其另一端为参考电压端，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；与所述第一接触槽结构相同、且设有预设间距的第二接触槽，所述第二接触槽的一端为电流激励端，其另一端为第二电压检测端；其中，所述两个测试单元中第一接触槽与第二接触槽之间的预设间距不同。通过本实用新型专利技术提供的接触电阻测试结构，解决了对于后硅化物阶段，现有的TLM结构无法精确地测量接触电阻Rc的问题。

Contact resistance test structure

The utility model provides a test structure of contact resistance, the test consists of two test units, the testing unit is located in the fin fin field effect transistor, wherein either test unit includes: a first contact the groove across the fin structure, one end of the first contact for the first the voltage detection terminal, the other end is the reference voltage and the reference voltage of the voltage is less than second, the voltage of the first voltage detection terminal; and the structure of the first contact, and the same groove is provided with a second contact slot preset distance, the second contact slot at one end of the current incentive end, the other end is second voltage detection terminal; wherein different preset spacing between the first and the second contact slot two test unit in contact tank. Through the contact resistance test structure provided by the utility model, the problem that the existing TLM structure can not accurately measure the contact resistance Rc is solved for the post silicide stage.

【技术实现步骤摘要】
接触电阻测试结构
本技术涉及半导体测试
，特别是涉及一种接触电阻测试结构。
技术介绍
集成电路(IC)尤其是超大规模集成电路中的主要器件是金属氧化物半导体场效应晶体管，随着半导体集成电路工业技术日益的成熟，超大规模的集成电路的迅速发展，具有更高性能和更强劲功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小。对于具有更先进的技术节点的CMOS而言，鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor：FinFET)已经被广泛地应用于CMOS器件中。对于FinFET而言，随着沟道长度的不断减小及器件性能的不断提高，寄生外电阻Rext成为限制FinFET性能的主要因素，而寄生外电阻主要包括接触电阻Rc，因此，如何精确地测得接触电阻Rc的值则至关重要。现有技术中，通常是采用TLM(三维传输线矩阵法)来测量接触电阻Rc；对于前硅化物阶段，硅化物电阻Rs是很容易测得的，所以通过TLM结构很容易计算出接触电阻Rc；但对于后硅化物阶段，由于硅化物只生长在接触沟槽上，其余部分则为非硅化物区，而且各个非硅化物区的距离不同，由于非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触电阻测试结构，其特征在于，所述测试结构包括两个测试单元，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，任一测试单元包括：横跨所述鳍结构的第一接触槽，所述第一接触槽的一端为第一电压检测端，其另一端为参考电压端，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；与所述第一接触槽结构相同、且设有预设间距的第二接触槽，所述第二接触槽的一端为电流激励端，其另一端为第二电压检测端；其中，所述两个测试单元中第一接触槽与第二接触槽之间的预设间距不同。

【技术特征摘要】
1.一种接触电阻测试结构，其特征在于，所述测试结构包括两个测试单元，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，任一测试单元包括：横跨所述鳍结构的第一接触槽，所述第一接触槽的一端为第一电压检测端，其另一端为参考电压端，所述参考电压端的电压小于第一、第二电压检测端的电压；与所述第一接触槽结构相同、且设有预设间距的第二接触槽，所述第二接触槽的一端为电流激励端，其另一端为第二电压检测端；其中，所述两个测试单元中第一接触槽与第二接触槽之间的预设间距不同。2.根据权利要求1所述的接触电阻测试结构，其特征在于，所述鳍结构的数量大于等于1。3.根据权利要求2所述的接触电阻测试结构，其特征在于，所述两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11