温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型提供一种接触电阻的测试结构，所述测试结构包括两个测试单元，所述测试单元位于鳍式场效应晶体管的鳍结构上，其中，任一测试单元包括：横跨所述鳍结构的第一接触槽，所述第一接触槽的一端为第一电压检测端，其另一端为参考电压端，所述参考电压端的...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。