低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，该方法通过连续两次光阻灰化和去光阻处理将离子掺杂后残留的固化光阻完全去除干净，有效解决光阻层在第一次灰化处理之前某些区域可能覆盖有杂质颗粒而阻挡第一次灰化处理造成的固化光阻残留的问题，能够改善栅极绝缘层和层间绝缘层的界面清洁度，避免界面问题导致的产品良率下降。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成图案化的遮光层(11)，在所述遮光层(11)与衬底基板(10)上沉积覆盖绝缘缓冲层(12)；步骤2、在所述绝缘缓冲层(12)上形成对应于所述遮光层(11)的图案化的低温多晶硅层(20)；步骤3、在所述低温多晶硅层(20)与绝缘缓冲层(12)上涂布光阻材料，图案化所述光阻材料，形成光阻层(30)，暴露出至少部分低温多晶硅层(20)的两端区域；步骤4、以所述光阻层(30)为遮蔽层，对相应低温多晶硅层(20)的两端区域进行一种类型的离子掺杂，形成低温多晶硅半导体层(20’)；...

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步
骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成图案化的遮
光层(11)，在所述遮光层(11)与衬底基板(10)上沉积覆盖绝缘缓冲层(12)；
步骤2、在所述绝缘缓冲层(12)上形成对应于所述遮光层(11)的图案
化的低温多晶硅层(20)；
步骤3、在所述低温多晶硅层(20)与绝缘缓冲层(12)上涂布光阻材料，
图案化所述光阻材料，形成光阻层(30)，暴露出至少部分低温多晶硅层(20)
的两端区域；
步骤4、以所述光阻层(30)为遮蔽层，对相应低温多晶硅层(20)的两
端区域进行一种类型的离子掺杂，形成低温多晶硅半导体层(20’)；
步骤5、进行第一次光阻灰化和去光阻处理；
步骤6、进行第二次光阻灰化和去光阻处理，以完全去除光阻层(30)；
步骤7、在所述低温多晶硅半导体层(20’)及绝缘缓冲层(12)上依次制
作栅极绝缘层(31)、栅极(41)、层间绝缘层(32)、源/漏极(42)、平坦层
(50)、底层电极(60)、保护层(70)、及顶层电极(80)。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述步骤7在完成制作栅极(41)后，还包括在栅极(41)与栅极绝缘层(31)
上涂布并图案化光阻材料，形成另一光阻层，以所述另一光阻层为遮蔽层，对
未经步骤4进行离子掺杂的剩余的低温多晶硅层(20)的两端区域进行另一种
类型的离子掺杂，形成低温多晶硅半导体层(20’)，及连续两次的光阻灰化和
去光阻处理的过程，之后再制作所述层间绝缘层(32)。
3....

【专利技术属性】
技术研发人员：赵瑜，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42