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本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，该方法通过连续两次光阻灰化和去光阻处理将离子掺杂后残留的固化光阻完全去除干净，有效解决光阻层在第一次灰化处理之前某些区域可能覆盖有杂质颗粒而阻挡第一次灰化处理造成的固化光阻残留的问题，能够改...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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