A method of operating a non-volatile memory device may include erasing a memory cell including a plurality of strings in a memory block, wherein the memory cell is coupled between the position line and the common source line. A method of operating a non-volatile memory device may include performing an erase verification operation on a selected memory cell having a low erase rate in a memory cell. An operation method of a non-volatile memory device may include the execution of an erasure of the memory cell and the execution of the erase verification operation until the erase operation is passed.
【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2014年10月13日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0137818的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用整体合并于此。
各种实施例总体涉及一种非易失性存储器件及其操作方法,更具体地,涉及一种三维非易失性存储器件的擦除操作。
技术介绍
非易失性存储器件可以被分类为二维(2D)非易失性存储器件或三维(3D)非易失性存储器件。在2D非易失性存储器件中,串平行于衬底的方向来安置。在3D非易失性存储器件中,串安置在衬底的垂直方向上。例如,3D非易失性存储器件可以包括安置在衬底的垂直方向上的多个垂直沟道层。存储层围绕垂直沟道层。3D非易失性存储器件也可以包括沿着存储层层叠并彼此分开的多个字线。然而,不同于2D非易失性存储器件,3D非易失性存储器件的字线是用不同的层来层叠的。因此,在字线之间可以存在电阻,且这种电气差异可以降低3D非易失性存储器件的操作可靠性。
技术实现思路
根据一个实施例的非易失性存储器件的操作方法可以包括:擦除包括在存储块的多个串中的存储单元。存储单元可以耦接在位线与公共源极线之间。该操作方法可以包括:对存储单元之中的具有低擦除速度的被选存储单元执行擦除验证操作。该操作方法可以包括:重复存储单元的擦除和擦除验证操作的执行,直到擦除验证操作通过为止。根据一个实施例的非易失性存储器件可以包括:存储块,被配置用于储存数据;电路组,被配置用于对 ...
【技术保护点】
一种非易失性存储器件的操作方法,所述操作方法包括:擦除包括在存储块的多个串中的存储单元,其中,存储单元耦接在位线与公共源极线之间;对存储单元之中的具有低擦除速度的被选存储单元执行擦除验证操作;以及重复存储单元的擦除和擦除验证操作的执行,直到擦除验证操作通过为止。
【技术特征摘要】
2014.10.13 KR 10-2014-01378181.一种非易失性存储器件的操作方法,所述操作方法包括:
擦除包括在存储块的多个串中的存储单元,其中,存储单元耦接在位线与公共源极
线之间;
对存储单元之中的具有低擦除速度的被选存储单元执行擦除验证操作;以及
重复存储单元的擦除和擦除验证操作的执行,直到擦除验证操作通过为止。
2.如权利要求1所述的操作方法,其中,通过使用增量阶跃脉冲擦除ISPE方法来
执行存储单元的擦除。
3.如权利要求1所述的操作方法,其中,通过施加擦除电压到位线和公共源极线并
将耦接至存储单元的字线耦接至接地端子来执行存储单元的擦除。
4.如权利要求1所述的操作方法,其中,通过施加擦除验证电压到耦接至被选存储
单元的字线并施加通过电压到剩余的字线来执行擦除验证操作。
5.如权利要求4所述的操作方法,其中,擦除验证操作在被选存储单元的阈值电压
低于擦除验证电压时通过,而当在存储单元之中检...
【专利技术属性】
技术研发人员:李东训,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。