薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：衬底基板；在衬底基板上设置有第一极、公共电极和有源层，第一极和公共电极位于同一层，有源层位于第一极上方且与第一极接触；在设置有有源层的衬底基板上设置有栅极和第二极，第二极与有源层连接；其中，第一极为源极，第二极为漏极；或者，第一极为漏极，第二极为源极。本发明专利技术在衬底基板上形成第一极和公共电极仅需要采用一次构图工艺即可，简化了薄膜晶体管的制造工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着显示
的发展，薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)的应用越来越广泛。目前，常用的薄膜晶体管主要是扭曲向列(英文：TwistNematic；简称：TN)型薄膜晶体管，TN型薄膜晶体管可以包括：栅极，栅绝缘层，有源层，源漏极金属图形，公共电极以及像素电极。在生产过程中，现有技术中的薄膜晶体管需要通过至少六次构图工艺制成，制造工艺较为复杂。
技术实现思路
为了解决现有技术的薄膜晶体管制造工艺较为复杂的问题，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：衬底基板；在所述衬底基板上设置有第一极、公共电极和有源层，所述第一极和所述公共电极位于同一层，所述有源层位于所述第一极上方且与所述第一极接触；在设置有所述有源层的所述衬底基板上设置有栅极和第二极，所述第二极与所述有源层连接；其中，所述第一极为源极，所述第二极为漏极；或者，所述第一极为漏极，所述第二极为源极。可选的，所述栅极和所述第二极位于同一层。可选的，所述第一极和所述公共电极的材质均为透明氧化铟锡ITO。可选的，所述有源层的材质为铟镓锌氧化物IGZO。可选的，在设置有所述有源层的所述衬底基板上设置有栅绝缘层；在设置有所述栅绝缘层的所述衬底基板上设置有所述栅极和所述第二极，所述第二极通过过孔和所述有源层连接，所述第二极在所述第一极上的正投影与所述第一极存在重叠区域；在设置有所述栅极和所述第二极的所述衬底基板上设置有钝化层；在所述钝化层上设置有至少一个过孔，该至少一个过孔包括与所述第一极连通的过孔、与所述栅极连通的过孔、与所述第二极连通的过孔和与所述公共电极连通的过孔中的至少一种过孔；在设置有所述钝化层的所述衬底基板上设置有金属导电层，所述金属导电层包括：填充在所述至少一个过孔中的金属材料。第二方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：第一方面所述的薄膜晶体管。第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第二方面所述的阵列基板。第四方面，提供了一种薄膜晶体管制造方法，所述方法包括：在衬底基板上形成第一极、公共电极和有源层，所述第一极和所述公共电极位于同一层，所述有源层位于所述第一极上方且与所述第一极接触；在形成有所述有源层的所述衬底基板上形成栅极和第二极，所述第二极与所述有源层连接；其中，所述第一极为源极，所述第二极为漏极；或者，所述第一极为漏极，所述第二极为源极。可选的，所述在衬底基板上形成第一极、公共电极和有源层，包括：在所述衬底基板上依次形成第一金属氧化物层和第二金属氧化物层；在所述第二金属氧化物层上形成光刻胶层；采用灰度掩膜板对形成有所述光刻胶层的所述衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括：第一光刻胶区、第二光刻胶区、第三光刻胶区和光刻胶完全去除区，所述第一光刻胶区、所述第二光刻胶区、所述第三光刻胶区和所述光刻胶完全去除区的光刻胶的厚度依次减小，所述第一光刻胶区对应待形成的所述有源层的区域，所述第二光刻胶区对应待形成的所述公共电极的区域，所述第三光刻胶区对应待形成的所述第一极的区域，所述光刻胶完全去除区对应其他区域；采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除区对应的所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层；采用灰化工艺，去除所述第三光刻胶区的光刻胶；采用刻蚀工艺，去除所述第三光刻胶区对应的所述第二金属氧化物层，形成所述第一极；采用灰化工艺，去除所述第二光刻胶区的光刻胶；采用刻蚀工艺，去除所述第二光刻胶区对应的所述第二金属氧化物层，形成所述公共电极；采用剥离工艺，去除所述第一光刻胶区的光刻胶，形成所述有源层。可选的，所述在形成有所述有源层的所述衬底基板上形成栅极和第二极，包括：采用一次构图工艺在形成有所述有源层的所述衬底基板上形成所述栅极和所述第二极。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例提供的薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，通过将第一极和公共电极设置在同一层，在衬底基板上形成第一极和公共电极仅需要采用一次构图工艺即可，简化了薄膜晶体管的制造工艺。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一示意性实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图2是本专利技术一示意性实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；图3是本专利技术一示意性实施例提供的一种薄膜晶体管制造方法流程图；图4-1是本专利技术一示意性实施例提供的另一种薄膜晶体管制造方法流程图；图4-2是本专利技术一示意性实施例提供的一种薄膜晶体管的局部结构示意图；图4-3是本专利技术一示意性实施例提供的一种衬底基板的结构示意图；图4-4是本专利技术一示意性实施例提供的另一种衬底基板的结构示意图；图4-5是本专利技术一示意性实施例提供的再一种衬底基板的结构示意图；图4-6是本专利技术一示意性实施例提供的又一种衬底基板的结构示意图；图4-7是本专利技术一示意性实施例提供的又一种衬底基板的结构示意图；图4-8是本专利技术一示意性实施例提供的又一种衬底基板的结构示意图；图4-9是本专利技术一示意性实施例提供的又一种衬底基板的结构示意图；图4-10是本专利技术一示意性实施例提供的又一种衬底基板的结构示意图；图4-11是本专利技术一示意性实施例提供的又一种衬底基板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图，如图1所示，该薄膜晶体管包括：衬底基板11。在衬底基板11上设置有第一极12、公共电极13和有源层14，其中，第一极12和公共电极13位于同一层，有源层14位于第一极12上方且与第一极12接触。在设置有有源层14的衬底基板11上设置有栅极15和第二极16，该第二极16与有源层14连接。其中，第一极12为源极，第二极16为漏极。或者，第一极12为漏极，第二极16为源极。综上所述，本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，通过将第一极和公共电极设置在同一层，在衬底基板上形成第一极和公共电极仅需要采用一次构图工艺即可，简化了薄膜晶体管的制造工艺。进一步地，栅极15和第二极16也可以位于同一层。将栅极和第二极设置在同一层，通过一次构图工艺即可同时形成栅极和第二极，简化了薄膜晶体管的制造工艺。第一极12可以为透明材质，相应地，公共电极13也可以为透明材质，透明材质对于光线的透过率较高，可以提高薄膜晶体管的开口率，示例的，第一极12和公共电极13的材质可以均为透明氧化铟锡(英文：IndiumTinOxide；简称：ITO)，同时，将公共电极设置在底层，能够降低寄生电容。进一步地，有源层14的材质可以为铟镓锌氧化物(英文：IndiumGalliumZincOxide；简称：IGZO)，采用IGZO作为有源层的材质，便于使用一次构图工艺形成第一极、公共电极和有源层。图2是本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上设置有第一极、公共电极和有源层，所述第一极和所述公共电极位于同一层，所述有源层位于所述第一极上方且与所述第一极接触；在设置有所述有源层的所述衬底基板上设置有栅极和第二极，所述第二极与所述有源层连接；其中，所述第一极为源极，所述第二极为漏极；或者，所述第一极为漏极，所述第二极为源极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；在所述衬底基板上设置有第一极、公共电极和有源层，所述第一极和所述公共电极位于同一层，所述有源层位于所述第一极上方且与所述第一极接触；在设置有所述有源层的所述衬底基板上设置有栅极和第二极，所述第二极与所述有源层连接；其中，所述第一极为源极，所述第二极为漏极；或者，所述第一极为漏极，所述第二极为源极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极和所述第二极位于同一层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一极和所述公共电极的材质均为透明氧化铟锡ITO。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材质为铟镓锌氧化物IGZO。5.根据权利要求1至4任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，在设置有所述有源层的所述衬底基板上设置有栅绝缘层；在设置有所述栅绝缘层的所述衬底基板上设置有所述栅极和所述第二极，所述第二极通过过孔和所述有源层连接，所述第二极在所述第一极上的正投影与所述第一极存在重叠区域；在设置有所述栅极和所述第二极的所述衬底基板上设置有钝化层；在所述钝化层上设置有至少一个过孔，该至少一个过孔包括与所述第一极连通的过孔、与所述栅极连通的过孔、与所述第二极连通的过孔和与所述公共电极连通的过孔中的至少一种过孔；在设置有所述钝化层的所述衬底基板上设置有金属导电层，所述金属导电层包括：填充在所述至少一个过孔中的金属材料。6.一种阵列基板，其特征在于，包括：权利要求1至5任一所述的薄膜晶体管。7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：权利要求6所述的阵列基板。8.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成第一极、公共电极和有源层，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩领，林亮，姜涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11