薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管的有源层和源极之间设有防损伤层，所述有源层和漏极之间设有所述防损伤层。本发明专利技术的薄膜晶体管结构简单，通过在薄膜晶体管的有源层和源极之间设有防损伤层及薄膜晶体管的有源层和漏极之间设有防损伤层，能够有效的减小沟道长度，并且降低源极和栅极之间的寄生电容和降低漏极和栅极之间的寄生电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
金属氧化物薄膜对酸非常敏感，即便是弱酸也能快速腐蚀氧化物半导体。因此常采用刻蚀阻挡型IGZO-TFT的结构，在金属氧化物上沉积一层刻蚀阻挡层，可以在制备源漏电极时保护IGZO层不被破坏，从而提高TFT基板的性能。但是需要一次额外的光刻工艺，增加了金属氧化物IGZOTFT的制作工艺流程。另一方面，传统TFT生产工艺中的曝光未对准和刻蚀偏差等影响，刻蚀阻挡层并不能做到很短，不可避免的限制了沟道的长度，从而导致增加了器件的寄生电容。为解决上述问题，有必要提出一种新的薄膜晶体管。
技术实现思路
本专利技术提出了一种新的薄膜晶体管及其制作方法，本专利技术的薄膜晶体管结构简单，能够有效的减小沟道长度，并且降低源极(S)和栅极(Gate，简称G)之间的寄生电容和降低漏极(D)和栅极(G)之间的寄生电容，本专利技术的薄膜晶体管的制作方法简单，制备过程简单及能够方便地生产出本专利技术的薄膜晶体管。为解决达到上述目的，本专利技术提出了一种新的薄膜晶体管及其制备方法，其中，所述薄膜晶体管的有源层和源极之间设有防损伤层，所述有源层和漏极之间设有所述防损伤层。如上所述的薄膜晶体管，其中，所述防损伤层为ITO制成的防损伤层。如上所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括：玻璃层；栅极，设置在所述玻璃层的上方；栅极绝缘层，设置在所述栅极的上方；所述有源层设置在所述栅极绝缘层上，所述有源层的上方设有第一刻蚀阻挡层，所述有源层的长度小于所述栅极绝缘层的长度，所述有源层的长度大于所述第一刻蚀阻挡层的长度；所述有源层的一侧设有所述源极，所述有源层和源极之间设有所述防损伤层，所述有源层的另一侧设有所述漏极，所述有源层和漏极之间设有所述防损伤层；两根像素电极，所述源极远离所述有源层的一侧设有一根所述像素电极，所述漏极远离所述有源层的一侧设有另一根所述像素电极；所述栅极的两侧分别设有第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层位于所述玻璃层和所述像素电极之间；两个所述第二刻蚀阻挡层与所述有源层之间分别设有第二防损伤层；所述第一刻蚀阻挡层的上方设有保护层。如上所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极采用金属铝和钼复合而成或采用金属铝和金属铜复合而成，所述源极和所述漏极均采用金属铝和钼复合而成或采用金属铜或金属钼复合而成。如上所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极绝缘层、所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层均采用二氧化硅或氧化铝制成。如上所述的薄膜晶体管，其中，所述像素电极采用ITO制成。本专利技术还提出了一种薄膜晶体管的制作方法，其中，所述薄膜晶体管的有源层和源极之间设有防损伤层，所述有源层和漏极之间设有所述防损伤层，其中，所述制作方法包括以下步骤：S1)在玻璃层的上方形成栅极，在所述栅极的上方形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上方形成所述有源层，所述有源层上方形成第一刻蚀阻挡层；所述有源层的长度小于所述栅极绝缘层的长度，所述有源层的长度大于所述第一刻蚀阻挡层的长度；S2)所述有源层的一侧形成所述源极，所述有源层和所述源极之间形成有所述防损伤层，所述有源层的另一侧形成所述漏极，所述有源层和所述漏极之间形成所述防损伤层；S3)形成两根像素电极，其中，所述源极远离所述有源层的一侧形成一根所述像素电极，所述漏极远离所述有源层的一侧形成另一根所述像素电极；在所述栅极的两侧分别形成第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层位于所述玻璃层和所述像素电极之间；S4)所述第一刻蚀阻挡层之上形成有保护层。如上所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，在步骤S3)和步骤S4)之间还包括以下步骤S30)：S30)两个所述第二刻蚀阻挡层与所述有源层之间分别形成第二防损伤层。如上所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述防损伤层和所述第二防损伤层均采用ITO制成。如上所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述防损伤层和所述第二防损伤层的形成过程包括以下步骤：A)在第一刻蚀阻挡层上形成有光刻胶，所述第二刻蚀阻挡层上形成有所述光刻胶，所述光刻胶上形成所述防损伤层，所述有源层和所述源极之间形成有所述防损伤层，所述有源层和所述漏极之间形成所述防损伤层，所述第二刻蚀阻挡层与所述有源层之间形成所述第二防损伤层；B)去除所述第一刻蚀阻挡层上的所述光刻胶及所述光刻胶上的所述防损伤层，去除所述第二刻蚀阻挡层上的所述光刻胶及所述光刻胶上的所述防损伤层；C)在200℃～300℃的温度下对所述防损伤层和所述第二防损伤层进行退火。本专利技术的薄膜晶体管结构简单，通过在薄膜晶体管的有源层和源极之间设有防损伤层及薄膜晶体管的有源层和漏极之间设有防损伤层，能够有效的减小沟道长度，并且降低源极(S)和栅极(Gate，简称G)之间的寄生电容和降低漏极(D)和栅极(G)之间的寄生电容。本专利技术的薄膜晶体管的制作方法操作步骤简单，通过本专利技术的薄膜晶体管的制作方法能够制造出沟道长度短的薄膜晶体管。附图说明在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本专利技术公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本专利技术的理解，并不是具体限定本专利技术各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本专利技术的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本专利技术。图1为本专利技术的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术的薄膜晶体管的制造过程(一)的结构示意图；图3为本专利技术的薄膜晶体管的制造过程(二)的结构示意图；图4为本专利技术的薄膜晶体管的制造过程(三)的结构示意图；图5为本专利技术的薄膜晶体管的制造过程(四)的结构示意图；图6为本专利技术的薄膜晶体管的制造过程(五)的结构示意图。附图标记说明：10-有源层；20-源极；30-防损伤层；31-第二防损伤层；40-漏极；60-玻璃层；70-栅极；80-栅极绝缘层；90-第一刻蚀阻挡层；91-像素电极；92-第二刻蚀阻挡层；93-保护层；94-光刻胶。具体实施方式结合附图和本专利技术具体实施方式的描述，能够更加清楚地了解本专利技术的细节。但是，在此描述的本专利技术的具体实施方式，仅用于解释本专利技术的目的，而不能以任何方式理解成是对本专利技术的限制。在本专利技术的教导下，技术人员可以构想基于本专利技术的任意可能的变形，这些都应被视为属于本专利技术的范围，下面将结合附图对本专利技术作进一步说明。图1至图6分别为本专利技术的薄膜晶体管的结构示意图、薄膜晶体管的制造过程(一)的结构示意图、薄膜晶体管的制造过程(二)的结构示意图、薄膜晶体管的制造过程(三)的结构示意图、薄膜晶体管的制造过程(四)的结构示意图和薄膜晶体管的制造过程(五)的结构示意图。实施方式一如图1所示，本专利技术提供了一种薄膜晶体管，在薄膜晶体管的有源层10和源极20之间设有防损伤层30，有源层10和漏极40之间设有防损伤层30。具体地，本专利技术的防损伤层采用掺锡氧化铟(后简称ITO)制成，当然也可采用其他起到相同作用的材料，在此不做具体限制。本专利技术的薄膜晶体管通过在有源层10和源极20之间设有防损伤层30，在有源层10和漏极40之间设有防损伤层30，能够有效的减小沟道长度，并且降低源极20(S)和薄膜晶体管的栅极70(G)之间的寄生电容和降低漏极40(D)和栅极70(G)之间的寄生电容。薄膜晶体管为现有技术，其种类很多，本专利技术采用其中一种现有的薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层和源极之间设有防损伤层，所述有源层和漏极之间设有所述防损伤层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层和源极之间设有防损伤层，所述有源层和漏极之间设有所述防损伤层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述防损伤层为ITO制成的防损伤层。3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：玻璃层；栅极，设置在所述玻璃层的上方；栅极绝缘层，设置在所述栅极的上方；所述有源层设置在所述栅极绝缘层上，所述有源层的上方设有第一刻蚀阻挡层，所述有源层的长度小于所述栅极绝缘层的长度，所述有源层的长度大于所述第一刻蚀阻挡层的长度；所述有源层的一侧设有所述源极，所述有源层和源极之间设有所述防损伤层，所述有源层的另一侧设有所述漏极，所述有源层和漏极之间设有所述防损伤层；两根像素电极，所述源极远离所述有源层的一侧设有一根所述像素电极，所述漏极远离所述有源层的一侧设有另一根所述像素电极；所述栅极的两侧分别设有第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层位于所述玻璃层和所述像素电极之间；两个所述第二刻蚀阻挡层与所述有源层之间分别设有第二防损伤层；所述第一刻蚀阻挡层的上方设有保护层。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极采用金属铝和钼复合而成或采用金属铝和金属铜复合而成，所述源极和所述漏极均采用金属铝和钼复合而成或采用金属铜或金属钼复合而成。5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层、所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层均采用二氧化硅或氧化铝制成。6.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述像素电极采用ITO制成。7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层和源极之间设有防损伤层，所述有源层和漏极之间设有所述防损伤层，其中，所述制作方法包括以下步骤：S1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟玉浩，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44