一种OLED器件制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种OLED器件，解决了现有OLED器件的薄膜晶体管的上栅极和下栅极难以实现上下导电沟道同时导通的问题。该OLED器件包括：至少两个薄膜晶体管和Vdd电极；其中，至少两个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括：下栅极、设于所述下栅极上方的下绝缘层、设于所述下绝缘层上方的半导体层、设于所述半导体层上方的上绝缘层、设于所述上绝缘层上方的上栅极、源极和漏极；其中，所述半导体层分别与所述源极和漏极搭接；在与所述半导体层中导电沟道平行的平面上，所述上栅极的正投影与所述源极的正投影之间存在第一间隙，所述上栅极的正投影与所述漏极的正投影之间存在第二间隙；其中，所述至少一个薄膜晶体管的上栅极与所述Vdd电极连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电显示
，特别涉及一种OLED器件。技术背景现有的OLED器件需采用薄膜晶体管来实现开关控制、驱动调整电流大小来调节OLED发光单元的亮度或其他作用。为了提高薄膜晶体管的迁移率以提高OLED器件的工作效率，现有技术中的OLED器件采用上下双栅结构的薄膜晶体管以在半导体层感应出双导电沟道来增大导电通道。图1为现有技术所提供的一种具备双栅结构的薄膜晶体管的结构示意图。如图1所示，该薄膜晶体管的上栅极11重叠覆盖于源极12和漏极13上方。当上栅极11和下栅极14都达到开启电压(开启电压为一种阈值电压，当栅极的电压高于该开启电压时，即可在半导体层中感应形成导电沟道)时，可在半导体层15中感应形成相互平行的上下两个导电沟道。由于上栅极11重叠覆盖于源极12和漏极13上方(在与半导体层15中导电沟道平行的平面上，上栅极11的正投影分别与源极12的正投影和漏极13的正投影是部分重叠的)；因此，漏极13可单独通过上方的导电沟道实现与源极12的导通。此外，漏极13也可单独通过下方的导电沟道实现与源极12的导通。然而，这种双栅结构薄膜晶体管存却很难通过上下导电沟道的同时导通来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件，其特征在于，包括：至少两个薄膜晶体管(1)和Vdd电极(2)；其中，至少两个薄膜晶体管(1)中的至少一个薄膜晶体管(1)包括：下栅极(14)、设于所述下栅极(14)上方的下绝缘层(17)、设于所述下绝缘层(17)上方的半导体层(15)、设于所述半导体层(15)上方的上绝缘层(16)、设于所述上绝缘层(16)上方的上栅极(11)、源极(12)和漏极(13)；其中，所述半导体层(15)分别与所述源极(12)和漏极(13)搭接；在与所述半导体层(15)中导电沟道平行的平面上，所述上栅极(11)的正投影与所述源极(12)的正投影之间存在第一间隙(18)，所述上栅极(11)的正投影与所...

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件，其特征在于，包括：至少两个薄膜晶体管(1)和Vdd电极(2)；其中，至少两个薄膜晶体管(1)中的至少一个薄膜晶体管(1)包括：下栅极(14)、设于所述下栅极(14)上方的下绝缘层(17)、设于所述下绝缘层(17)上方的半导体层(15)、设于所述半导体层(15)上方的上绝缘层(16)、设于所述上绝缘层(16)上方的上栅极(11)、源极(12)和漏极(13)；其中，所述半导体层(15)分别与所述源极(12)和漏极(13)搭接；在与所述半导体层(15)中导电沟道平行的平面上，所述上栅极(11)的正投影与所述源极(12)的正投影之间存在第一间隙(18)，所述上栅极(11)的正投影与所述漏极(13)的正投影之间存在第二间隙(19)；其中，所述至少一个薄膜晶体管(1)的上栅极(11)与所述Vdd电极(2)连接。2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件进一步包括：OLED发光单元(3)以及电容(4)；当任一薄膜晶体管(1)用于驱动OLED发光单元(3)时，进一步地，所述一个薄膜晶体管(1)的漏极(13)与所述Vdd电极(2)连接，源极(12)与所述OLED器件的OLED发光单元(3)连接，下栅极(14)与所述OLED器件的电容(4)连接。3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件进一步包括：数据信号线(6)、电...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡世星，单奇，张小宝，郭瑞，林立，高孝裕，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32