一种封装基板及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种封装基板及其制作方法。该封装基板的制作方法包括：在带有金属层的载板上形成至少一层第一线路层；在所述第一线路层上背离所述带有金属层的载板的表面上形成至少一个侧电极柱；在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载板的表面上形成介质层，所述侧电极柱与所述介质层无缝连接；去除所述带有金属层的载板；对所述介质层和所述第一线路层进行切割，切割线经过所述侧电极柱，以使所述侧电极柱的剖面裸露于所述介质层之外，形成侧电极。本发明专利技术实施例技术方案可以达到了提高用作侧电极的金属与介质层的结合性，进而提高封装基板的良率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及封装技术，尤其涉及一种封装基板及其制作方法。
技术介绍
随着无线通信、汽车电子和其他消费类电子产品的快速发展，微电子封装技术向着多功能、小型化、便携式、高速度、低功耗和高可靠性的方向发展。图1为现有的一种封装基板的制作方法流程图。如图1所示，现有的封装基板的制作方法主要包括以下几步骤：S110、在带有金属层的载体上形成线路层；S120，在线路层以及带有金属层的载体上制作介质层；S130、在介质层上形成通孔，该通孔贯穿该介质层；S140、向该通孔内填充用于制作侧电极的金属；S150、去除该带有金属层的载体；S160、对该介质层以及线路层进行切割，该切割线经过所述通孔，以使用于制作侧电极的金属的剖面裸露于所述介质层之外，形成侧电极。在现有的封装基板的制作过程中，在向通孔内填充用于制作侧电极的金属时，为了确保后续工艺能够顺利完成，一般不会在通孔内全部填充金属，即该通孔与金属之间往往会留有缝隙，这会使得用作侧电极的金属与介质层的结合性差。在后续进行切割工艺或其他工艺时，填充金属与介质层之间易发生分离，进而致使封装基板报废的不良现象出现。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装基板及其制作方法，以实现提高用作侧电极的金属与介质层的结合性的目的。第一方面，本专利技术实施例提供了一种封装基板的制作方法，该封装基板的制作方法包括：在带有金属层的载体上形成至少第一线路层；在所述第一线路层上背离所述带有金属层的载体的表面上形成至少一个侧电极柱；在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载体的表面上形成介质层，所述侧电极柱与所述介质层无缝连接；去除所述带有金属层的载体；对所述介质层和所述第一线路层进行切割，切割线经过所述侧电极柱，以使所述侧电极柱的剖面裸露于所述介质层之外，形成侧电极。进一步地，所述带有金属层的载体为单面带有金属层的载体或双面带有金属层的载体。进一步地，所述带有金属层的载体为双面带有金属层的载体；在带有金属层的载体上形成至少一层第一线路层包括在所述双面带有金属层的载体的两侧均形成至少一层第一线路层。进一步地，在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载体的表面上形成介质层包括：在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载体的表面上通过层压或涂覆的方式形成介质层。进一步地，在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载板的表面上形成介质层之后：在所述介质层上形成贯穿所述介质层的通孔；在所述介质层背离所述第一线路层的表面上形成至少一层第二线路层，所述第二线路层与所述第一线路层通过所述通孔电连接。进一步地，去除所述带有金属层的载体之后包括：从所述第一线路层一侧对所述第一线路层和所述侧电极柱进行划槽处理，以使所述侧电极柱分割成至少两个部分，同时所述介质层仍连接在一起；对所述第一线路层和所述侧电极柱各部分的剖面进行表面金属化处理。进一步地，所述表面金属化处理包括：在所述第一线路层和所述侧电极柱各部分的剖面上形成钝化层。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种封装基板，该封装基板包括：至少一层第一线路层；形成于所述第一线路层上的至少一个侧电极柱；形成于所述第一线路层以及所述侧电极柱上的介质层，且所述侧电极柱与所述介质层无缝连接；其中，所述侧电极柱的剖面裸露于所述介质层之外。进一步地，还包括第二线路层，所述第二线路层形成于所述介质层背离所述第一线路层的表面上；所述介质层上还包括贯穿所述介质层的通孔，所述第二线路层通过所述通孔与所述第一线路层电连接。进一步地，还包括钝化层，所述钝化层形成于所述侧电极柱部分剖面以及所述第一线路层背离所述介质层的表面上。本专利技术实施例采用先在第一线路层上背离带有金属层的载体的表面上形成侧电极柱；再在第一线路层以及侧电极柱背离带有金属层的载体的表面上形成介质层，侧电极柱与介质层无缝连接；最后对该介质层以及第一线路层进行切割，切割线经过该侧电极柱，以使该侧电极柱的剖面裸露于该介质层之外，形成侧电极的方法，解决了现有的封装基板在制作时，一般不会在通孔内全部填充金属，使得用作侧电极的金属与介质层的结合性差的问题，实现了提高用作侧电极的金属与介质层的结合性，进而提高封装基板的良率的目的。附图说明图1为现有的一种封装基板的制作方法的流程图；图2是本专利技术实施例一中的提供的一种封装基板的制作方法的流程图；图3a-图3g是利于图2中封装基板制作方法制作封装基板的过程中，封装基板各个状态的结构示意图；图4是在制作封装基板的过程中，封装基板的结构示意图；图5是本专利技术实施二提供的封装基板应用于实际场景时的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图2为本专利技术实施例一提供的一种封装基板的制作方法的流程图。图3a-3g为利用图2中封装基板制作方法制作封装基板的过程中，封装基板各个状态的结构示意图。结合图2以及图3a-3g，对该封装基板的制作方法进行说明。该封装基板的制作方法具体包括如下步骤：S210、在带有金属层的载体上形成至少一层第一线路层。带有金属层的载体，是指通过胶层将基板与金属层粘结后得到的一种产品，如覆铜板等。图3a中示例性地给出了一种带有金属层的载体的结构示意图。参见图3a，该带有金属层的载体10包括基板11、金属层12以及设置于基板11与金属层12之间用于粘结该基板11与该金属层12的胶层13。具体地，该带有金属层的载体可以为单面带有金属层的载体或双面带有金属层的载体。其中，单面带有金属层的载体是指仅在基板的某一侧面上粘结金属层的载体。双面带有金属层的载体是指在基板的两个侧面上均粘结金属层的载体。图3a中，该带有金属层的载体10为双面带有金属层的载体。在带有金属层的载体上形成至少一层第一线路层具体是指，在带有金属层的载体中，金属层背离基板的表面上形成至少一层第一线路层。若该带有金属层的载体为双面带有金属层的载体，如图3b，可以在该双面带有金属层的载体的两侧均形成至少一层第一线路层20。除此之外，还可以在该双面带有金属层的载体的任意一侧形成至少一层第一线路层。需要说明的是，若在该双面带有金属层的载体的两侧均形成第一线路层，以进行后续制作工艺，可以同时完成两块封装基板的制作，达到提高封装基板制作效率的目的。另外，在图3a中，在带有金属层的载体上的两侧均示例性地形成了一层第一线路层，这仅是本专利技术的一个具体示例，而非对本专利技术的限制。在具体设计时，可以在该带有金属层的载体上的两侧均形成多层第一线路层。可选地，该带有金属层的载体上的两侧所形成的第一线路层的层数不相同S220、在所述第一线路层上背离所述带有金属层的载体的表面上形成至少一个侧电极柱。参见图3c，在第一线路层20上背离该带有金属层的载体10的表面上形成至少一个侧电极柱30。该侧电极柱30包括与带有金属层的载体10所在平面平行的横截面31。在具体设计时，该横截面31的形状可以为圆形、椭圆形、四边形或其他异性图案等。S230、在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载体的表面上形成介质层，所述侧电极柱与所述介质层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板的制作方法，其特征在于，包括：在带有金属层的载板上形成至少一层第一线路层；在所述第一线路层上背离所述带有金属层的载板的表面上形成至少一个侧电极柱；在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载板的表面上形成介质层，所述侧电极柱与所述介质层无缝连接；去除所述带有金属层的载板；对所述介质层和所述第一线路层进行切割，切割线经过所述侧电极柱，以使所述侧电极柱的剖面裸露于所述介质层之外，形成侧电极。

【技术特征摘要】
1.一种封装基板的制作方法，其特征在于，包括：在带有金属层的载板上形成至少一层第一线路层；在所述第一线路层上背离所述带有金属层的载板的表面上形成至少一个侧电极柱；在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载板的表面上形成介质层，所述侧电极柱与所述介质层无缝连接；去除所述带有金属层的载板；对所述介质层和所述第一线路层进行切割，切割线经过所述侧电极柱，以使所述侧电极柱的剖面裸露于所述介质层之外，形成侧电极。2.根据权利要求1中所述的制作方法，其特征在于，所述带有金属层的载板为单面带有金属层的载板或双面带有金属层的载板。3.根据权利要求2中所述的制作方法，其特征在于，所述带有金属层的载板为双面带有金属层的载板；在带有金属层的载板上形成至少一层第一线路层包括在所述双面带有金属层的载板的两侧均形成至少一层第一线路层。4.根据权利要求1中所述的制作方法，其特征在于，在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载板的表面上形成介质层包括：在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载板的表面上通过层压或涂覆的方式形成介质层。5.根据权利要求1中所述的制作方法，其特征在于，在所述第一线路层以及所述侧电极柱背离所述带有金属层的载板的表面上形成介质层之后，包括：在所述介质层上形成贯穿所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭学平，于中尧，郝虎，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44