一种隔垫物的制备方法技术

技术编号:13970814 阅读:85 留言:0更新日期:2016-11-10 08:42
本发明专利技术公开了一种隔垫物的制备方法,属于显示领域。所述方法包括:对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影处理,以在基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案,所述第一光刻胶图案靠近所述基板的底面外边缘形成有凹部,所述第二光刻胶图案靠近所述基板的底面外边缘凹部;等待预设时间使所述第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物,以及使所述第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物,所述第一隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度。本发明专利技术能够简化制备隔垫物的工艺,降低制备隔垫物的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域,特别涉及一种隔垫物的制备方法
技术介绍
液晶显示设备因其具有功耗低、轻薄化的特点,目前得到广泛使用。液晶显示设备包括液晶盒,液晶盒包括两块相对设置的玻璃基板以及位于该两块玻璃基板之间的液晶。在目前该两块玻璃基板之间用多个隔垫物来支撑,以使该两块玻璃基板之间形成有容纳液晶的空间。然而,目前在该两块玻璃基板之间制备隔垫物的工艺较复杂,导致制备隔垫物的成本很高。
技术实现思路
为了简化制备隔垫物的工艺,降低制备隔垫物的成本,本专利技术实施例提供了一种隔垫物的制备方法。所述技术方案如下:一方面,提供了一种隔垫物的制备方法,所述制备方法包括:在基板上形成光刻胶层;使用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理;对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理,以在所述基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案,且以垂直于所述基板的方向为高度方向,使得在相同高度的位置处所述第一光刻胶图案的横截面的面积大于所述第二光刻胶图案的横截面的面积,并且在所述第一光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部,在所述第二光刻胶图案靠近所述基板的底面外边缘形成有凹部;等待预设时间使所述第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物,以及使所述第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物,所述第一隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度;后烘所述第一隔垫物和所述第二隔垫物以形成固态的所述第一隔垫物和所述第二隔垫物。可选的,所述掩膜板由全透光区域和不透光区域组成。可选的,所述制备方法还包括:在所述等待预设时间的过程中,对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行水洗处理且在水洗后使用风刀对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行吹干处理。可选的,对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理的步骤之前,还包括:在经过曝光处理的所述光刻胶层上方向经过曝光处理的所述光刻胶层喷洒显影液,以通过显影液对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理。可选的,对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理的处理时间大于或等于96秒且小于或等于144秒。可选的,所述处理时间为100秒、110秒、120秒、130秒或140秒。可选的,在所述对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理之前,还包括:将所述基板以及所述基板上经过曝光处理的所述光刻胶层浸泡在显影液中,以通过所述显影液对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理。可选的,所述使用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理之前,还包括:对所述光刻胶层进行预烘烤处理,以使所述光刻胶层变的粘稠。可选的,所述预设时间大于或等于50秒且小于或等于70秒。可选的,所述预设时间为55秒、60秒或65秒。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是:通过对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案,使得在第一光刻胶图案靠近基板的底面外边缘形成有凹部以及在第二光刻胶图案靠近基板的底面外边缘形成有凹部,这样等待预设时间,使第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第一隔垫物,以及第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第二隔垫物。如此在制备隔垫物时采用的掩膜板可以是包括完全透光区域和不透光区域的普通掩膜板就可,从而可以简化工艺,降低生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一提供的一种隔垫物的制备方法流程图;图2-1是本专利技术实施例二提供的一种隔垫物的制备方法流程图;图2-2是本专利技术实施例二提供的形成光刻胶层示意图;图2-3是本专利技术实施例二提供的形成第一光刻图案和第二光刻胶图案示意图;图2-4是本专利技术实施例二提供的形成第一隔垫物和第二隔垫物示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。实施例一参见图1,本专利技术实施例提供了一种隔垫物的制备方法,所述制备方法包括:步骤101:在基板上形成光刻胶层。步骤102:使用掩膜板对该光刻胶层进行曝光处理。步骤103:对经过曝光处理的该光刻胶层进行过度显影处理,以在基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案,且以垂直于基板的方向为高度方向,使得在相同高度的位置处所述第一光刻胶图案的横截面的面积大于所述第二光刻胶图案的横截面的面积,并且在所述第一光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部,在所述第二光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部;步骤104:等待预设时间使第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物,以及使第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物,第一隔垫物的高度大于第二隔垫物的高度;步骤105:后烘第一隔垫物和第二隔垫物以形成固态的第一隔垫物和所述第二隔垫物。可选的,所述掩膜板由全透光区域和不透光区域组成。预设时间大于或等于50秒且小于或等于70秒。例如,预设时间为55秒、60秒或65秒等。可选的,所述制备方法还包括:在等待预设时间的过程中,对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行水洗处理,以清洗第一光刻胶图案和第二光刻胶图案表面的显影液,且在水洗后使用风刀对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行吹干处理。可选的,在上述步骤103之前,所述制备方法还包括:在经过曝光处理的该光刻胶层上方向经过曝光处理的该光刻胶层喷洒显影液,以通过该显影液对经过曝光处理的该光刻胶层进行过度显影处理。可选的,对经过曝光处理的该光刻胶层进行过度显影处理的处理时间大于或等于96秒且小于或等于144秒。例如,该处理时间为100秒、110秒、120秒、130秒或140秒等。可选的,在上述步骤103之前,所述制备方法还包括:将基板以及基板上经过曝光处理的该光刻胶层浸泡在显影液中,以通过该显影液对经过曝光处理的该光刻胶层进行过度显影处理。可选的,在上述步骤102之前,所述制备方法还包括:对光刻胶层进行预烘烤处理,以使光刻胶层变的粘稠。在本专利技术实施例中,对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案,使得形成的第一光刻胶图案的靠近基板的底面的外边缘具有凹部以及第二光刻胶图案的靠近基板的底面的外边缘具有凹部,这样等待预设时间,使第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第一隔垫物,以及第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第二隔垫物。如此在制备隔垫物时采用的掩膜板可以是包括完全透光区域和不透光区域的普通掩膜板就可,从而可以简化工艺,降低生产成本。另外,在曝光之前对刻胶层进行预烘烤处理,以蒸发光刻胶层中的光刻胶含有的部分溶剂,使光刻胶变的粘稠,有利于光刻胶层定形。实施例二参见图2-1,本专利技术实施例提供了一种隔垫物的制备方法,该方法流程包括:步骤201:在基板上形成光刻胶层。该基板可以为玻璃基板。对于本步骤实现,参见图2-2,首先在基板上涂光刻胶,当该基板上的光刻胶层的厚度达到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种隔垫物的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:在基板上形成光刻胶层;使用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理;对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理,以在所述基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案,且以垂直于所述基板的方向为高度方向,使得在相同高度的位置处所述第一光刻胶图案的横截面的面积大于所述第二光刻胶图案的横截面的面积,并且在所述第一光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部,在所述第二光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部;等待预设时间使所述第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物,以及使所述第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物,所述第一隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度;后烘所述第一隔垫物和所述第二隔垫物以形成固态的所述第一隔垫物和所述第二隔垫物。

【技术特征摘要】
1.一种隔垫物的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:在基板上形成光刻胶层;使用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理;对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理,以在所述基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案,且以垂直于所述基板的方向为高度方向,使得在相同高度的位置处所述第一光刻胶图案的横截面的面积大于所述第二光刻胶图案的横截面的面积,并且在所述第一光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部,在所述第二光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部;等待预设时间使所述第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物,以及使所述第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物,所述第一隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度;后烘所述第一隔垫物和所述第二隔垫物以形成固态的所述第一隔垫物和所述第二隔垫物。2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述掩膜板由全透光区域和不透光区域组成。3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:在所述等待预设时间的过程中,对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行水洗处理,且在水洗后使用风刀对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行吹干处...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑奉官王伟杰曾庆慧
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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