本发明专利技术涉及半导体晶粒加工技术领域，名称是一种半导体晶粒的切割方法和切割装置，一种半导体晶粒的切割方法，在切割机上采用切割的方法对晶棒进行切割，所用的切割丝是金刚砂丝，所述的金刚砂丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构，一种半导体晶粒的切割装置，包括机架，在机架上安装有切割丝的辊轮，还有切割丝安装在辊轮上，切割丝连接动力装置，动力装置运行带动切割丝运行，切割丝运形经过晶棒的加工工位，所述的切割丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。这样的半导体晶粒的线切割方法和切割装置具有减少对环境污染、切割效率高、产品品质有保证的优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶粒加工
，具体地说是涉及半导体晶粒的切割方法,还涉及半导体晶粒的切割装置。
技术介绍
半导体致冷件是由晶粒焊接在瓷板上形成的，晶粒是由晶棒经过切割而成的，晶棒的主要成分是三碲化二铋，晶粒是规整的长方体或正方体,它的边棱整齐、角部规范，晶粒是在切割机上切割的。使用切割装置对晶棒进行切割，切割装置具有卡具和安装切割丝的部件，切割丝运行可以对晶棒进行切割；现有技术中，使用的切割丝是钢丝，在切割面浇注切割液，切割液的主要成分是油脂，在油脂里面加入金刚砂或碳化硅，它具有容易造成污染、切割效率低、产品品质差的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述缺点，提供一种减少对环境污染、切割效率高、产品品质有保证的半导体晶粒的切割方法和切割装置。本专利技术半导体晶粒的切割方法的技术方案是这样实现的：一种半导体晶粒的切割方法，在切割机上采用切割的方法对晶棒进行切割，其特征是：所用的切割丝是金刚砂丝，所述的金刚砂丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。进一步地讲，在切割的过程中使用清水或肥皂水作为切割液。进一步地讲，所述的切割液的温度保持在15—20℃。本专利技术切割装置的技术方案是这样实现的：一种半导体晶粒的切割装置，包括机架，在机架上安装有切割丝的辊轮，还有切割丝安装在辊轮上，切割丝连接动力装置，动力装置运行带动切割丝运行，切割丝运行经过晶棒的加工工位，其特征是：所述的切割丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。进一步地讲，切割装置还有浇淋切割液的浇注装置，用管道浇注在加工工位，在管道中间设置有冷却部件。本专利技术的有益效果是：这样的半导体晶粒的线切割方法和切割装置具有减少对环境污染、切割效率高、产品品质有保证的优点；在切割的过程中使用清水或肥皂水作为切割液，所述的切割液的温度保持在20—30℃，具有产品品质更好的优点；切割装置还有浇淋切割液的浇注装置，用管道浇注在加工工位，在管道中间设置有冷却部件，具有生产出来的产品品质更好的优点。附图说明图1是本专利技术半导体晶粒切割装置的结构示意图。图2是金刚砂丝的剖面结构示意图。其中：1、机架 2、辊轮 3、切割丝 4、加工工位 5、浇注装置 6、冷却部件 7、钢丝 8、金刚砂。具体实施方式下面结合附图和实施例本专利技术作进一步说明。如图1、2所示，一种半导体晶粒的切割装置，包括机架1，在机架上安装有切割丝的辊轮2，还有切割丝3安装在辊轮上，切割丝连接动力装置，动力装置运行带动切割丝运行，切割丝运行经过晶棒的加工工位4，其特征是：所述的切割丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。本装置由于使用金刚砂丝作为切割工具，它更锋利，可以不用切割液，或者使用清水作为切割液即可，而不是用现有技术中的油脂切割液，不会造成环境的污染，可以实现本专利技术的目的，另外它还可以提高产品的品质，便于边角废料的回收进一步地讲，切割装置还有浇淋切割液的浇注装置5，用管道浇注在加工工位，在管道中间设置有冷却部件6。这样晶棒就会在低温下切割，更有利于产品质量的提高。实施例1将晶棒放置在线切割机上进行切割，使用钢丝作为切割丝，由于钢丝的切割能力较差，需要使用切割液，并在切割液中需要放置金刚石粉末，切割液是在用钢丝切割的过程中浇淋在切割部位的液体，为了防止金刚石粉末沉淀，需要使用油脂作为切割液的主体；生产10000粒晶粒。生产所用的时间是200分钟，在生产中切割液的温度升高到80℃，这样的生产工艺会造成环境污染，还不利于边角废料的回收，产品的优质品率是45%。实施例2将晶棒放置在线切割机上进行切割，使用金刚砂丝作为切割丝，所述的切割丝是钢丝7外面附着有金刚砂8的丝线结构（下同）在切割过程中不用任何切割液，生产10000粒晶粒。生产所用的时间是180分钟，在生产中晶棒的切割部位的温度升高到90℃，这样的生产工艺不会造成环境污染，还不利于边角废料的回收，产品的优质品率是55%。实施例3将晶棒放置在线切割机上进行切割，使用金刚砂丝作为切割丝，在切割过程中用清水作为切割液，生产10000粒晶粒。生产所用的时间是130分钟，在晶棒的切割部位的温度升高到30℃，这样的生产工艺不会造成环境污染，还利于边角废料的回收，产品的优质品率是75%。实施例4将晶棒放置在线切割机上进行切割，使用金刚砂丝作为切割丝，在切割过程中用肥皂水作为切割液，生产10000粒晶粒。生产所用的时间是130分钟，在晶棒的切割部位的温度升高到30℃，这样的生产工艺不会造成环境污染，还利于边角废料的回收，产品的优质品率是75%。实施例5重复上述实施例3，将切割液温度降至15-20℃。生产所用的时间是130分钟，在晶棒的切割部位的温度升高到20℃，这样的生产工艺不会造成环境污染，还利于边角废料的回收，产品的优质品率是90%。实施例6重复上述实施例4，将切割液温度降至15-20℃。生产所用的时间是130分钟，在晶板的切割部位的温度升高到20℃，这样的生产工艺不会造成环境污染，还利于边角废料的回收，产品的优质品率是90%。实践证明，用低温的切割液更有利于产品质量的提高。本专利技术不用油脂切割液，更有利于环境卫生，减少环境污染，降低生产成本，有利于边角废料的回收，提高产品的品质。以上所述仅为本专利技术的具体实施例，但本专利技术的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本专利技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本专利技术的专利范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体晶粒的切割方法，在切割机上采用切割的方法对晶板进行切割，其特征是：所用的切割丝是金刚砂丝，所述的金刚砂丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶粒的切割方法，在切割机上采用切割的方法对晶板进行切割，其特征是：所用的切割丝是金刚砂丝，所述的金刚砂丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。2.根据权利要求1所述半导体晶粒的切割方法，其特征是：在切割的过程中使用清水或肥皂水作为切割液。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶粒的切割方法，其特征是：所述的切割液的温度保持在15—20℃。4.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，陈建民，赵丽萍，钱俊有，张文涛，蔡水占，张会超，王东胜，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41
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