本实用新型专利技术提供的一种用于半导体切割设备的清洗冷却装置，包括：喷头主体，具有流体容纳腔，喷头主体设有连通流体容纳腔的至少一气管接头、及至少二水管接头；喷头主体外壁设有沿竖直同一直线方向上依次设置的第一气和水二流体喷口、第二气和水二流体喷口、及第三气和水二流体喷口；其中，第一气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以去除半导体切割设备上废渣；第二气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以冷却半导体切割设备；第三气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以去除半导体切割设备上废渣，通过外接压缩空气和水，即可在喷头主体内形成二流体后经过各喷口对污物清理和半导体切割设备冷却作用，从而避免现有外延喷嘴易变形问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供的一种用于半导体切割设备的清洗冷却装置，包括：喷头主体，具有流体容纳腔，喷头主体设有连通流体容纳腔的至少一气管接头、及至少二水管接头；喷头主体外壁设有沿竖直同一直线方向上依次设置的第一气和水二流体喷口、第二气和水二流体喷口、及第三气和水二流体喷口；其中，第一气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以去除半导体切割设备上废渣；第二气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以冷却半导体切割设备；第三气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以去除半导体切割设备上废渣，通过外接压缩空气和水，即可在喷头主体内形成二流体后经过各喷口对污物清理和半导体切割设备冷却作用，从而避免现有外延喷嘴易变形问题。【专利说明】
本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种用于半导体切割设备的清 洗冷却装置。 一种用于半导体切割设备的清洗冷却装置
技术介绍
在现有的半导体切割中，通常是使用刀片进行切割，但目前用于冷却及清洁刀片 的的外延式喷嘴在实际使用过程中极易因使用或碰撞而产生变形，造成不良后果。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种用于半导体切割 设备的清洗冷却装置，解决现有的半导体冷却清洗喷嘴易变形的问题。 为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种用于半导体切割设备的清 洗冷却装置，包括：喷头主体，具有流体容纳腔，所述喷头主体设有连通所述流体容纳腔的 至少一气管接头、及至少二水管接头；所述喷头主体外壁设有沿坚直同一直线方向上依次 设置的第一气和水二流体喷口、第二气和水二流体喷口、及第三气和水二流体喷口；其中， 所述第一气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以去除所述半导体切割设备上废渣；所述 第二气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以冷却半导体切割设备；所述第三气和水二流 体喷口用于喷出水流或气流以去除所述半导体切割设备上废渣。 优选的，所述喷头主体外壁还设有连通于所述流体容纳腔的至少两组压缩空气喷 □。 优选的，所述两组压缩空气喷口分别位于所述直线的相对两侧。 优选的，所述气管接头接有6mm直径的气管。 优选的，所述水管接头接有6mm直径的水管。 优选的，所述喷头主体外壁形成有弧形凹部，所述第一气和水二流体喷口、第二气 和水二流体喷口、及第三气和水二流体喷口设于所述弧形凹部相对的另一侧。 如上所述，本技术提供的一种用于半导体切割设备的清洗冷却装置，包括：喷 头主体，具有流体容纳腔，所述喷头主体设有连通所述流体容纳腔的至少一气管接头、及至 少二水管接头；所述喷头主体外壁设有沿坚直同一直线方向上依次设置的第一气和水二流 体喷口、第二气和水二流体喷口、及第三气和水二流体喷口；其中，所述第一气和水二流体 喷口用于喷出水流或气流以去除所述半导体切割设备上废渣；所述第二气和水二流体喷口 用于喷出水流或气流以冷却半导体切割设备；所述第三气和水二流体喷口用于喷出水流或 气流以去除所述半导体切割设备上废渣，通过外接压缩空气和水，即可在喷头主体内形成 二流体后经过各喷口对污物清理和半导体切割设备冷却作用，从而避免现有外延喷嘴易变 形问题。 【专利附图】【附图说明】 toon] 图1为本技术的的用于半导体切割设备的清洗冷却装置的一实施例的结构 示意图。 图2为图1的侧视图。 【具体实施方式】 以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说 明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另 外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应 用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。 请参阅图1，本技术提供一种用于半导体切割设备的清洗冷却装置1，包括： 喷头主体11，具有流体容纳腔，所述喷头主体11设有连通所述流体容纳腔的至少 一气管接头12、及至少二水管接头13 ;所述喷头主体11外壁设有沿坚直同一直线方向上 依次设置的第一气和水二流体喷口 111、第二气和水二流体喷口 112、及第三气和水二流体 喷口 113 ;其中，所述第一气和水二流体喷口 111用于喷出水流或气流以去除所述半导体切 割设备上废渣；所述第二气和水二流体喷口 112用于喷出水流或气流以冷却半导体切割设 备；所述第三气和水二流体喷口 113用于喷出水流或气流以去除所述半导体切割设备上废 渣。 在一实施例中，所述半导体切割设备包括刀片，所述清洗冷却装置1用于对所述 刀片作清洁冷却；所述流体容纳腔可用于容纳水或者气，进而完成喷射；第一气和水二流 体喷口 111、第二气和水二流体喷口 112、及第三气和水二流体喷口 113设在坚直方向上的 同一直线上，所述第二气和水二流体喷口 112设在中央，因其用于冷却，所以直径可大于其 他喷口；所述气管接头12接有6mm直径的气管，述水管接头13接有6mm直径的水管，给所 述流体容纳腔内灌入空气或纯水。 优选的，所述喷头主体11外壁还设有连通于所述流体容纳腔的至少两组压缩空 气喷口 114,进一步优选的，所述两组压缩空气喷口 114分别位于所述直线的相对两侧，每 组压缩空气喷口 114可包括至少4个小喷口，且按方形四个角的位置设置，孔径越小，压缩 空气的喷射力量越大。 再请参阅图2,优选的，所述喷头主体11外壁形成有弧形凹部115,所述第一气和 水二流体喷口 111、第二气和水二流体喷口 112、及第三气和水二流体喷口 113设于所述弧 形凹部115相对的另一侧；亦可配合设有如图所示的缺口 116等，如此更利于设置或者固定 而不易滑脱。 综上所述，本技术提供的一种用于半导体切割设备的清洗冷却装置，包括：喷 头主体，具有流体容纳腔，所述喷头主体设有连通所述流体容纳腔的至少一气管接头、及至 少二水管接头；所述喷头主体外壁设有沿坚直同一直线方向上依次设置的第一气和水二流 体喷口、第二气和水二流体喷口、及第三气和水二流体喷口；其中，所述第一气和水二流体 喷口用于喷出水流或气流以去除所述半导体切割设备上废渣；所述第二气和水二流体喷口 用于喷出水流或气流以冷却半导体切割设备；所述第三气和水二流体喷口用于喷出水流或 气流以去除所述半导体切割设备上废渣，通过外接压缩空气和水，即可在喷头主体内形成 二流体后经过各喷口对污物清理和半导体切割设备冷却作用，从而避免现有外延喷嘴易变 形问题。 上述实施例仅例示性说明本技术的原理及其功效，而非用于限制本实用新 型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本技术的精神及范畴下，对上述实施例进行 修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本技术所揭示的精 神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本技术的权利要求所涵盖。【权利要求】1. 一种用于半导体切割设备的清洗冷却装置，其特征在于，包括： 喷头主体，具有流体容纳腔,所述喷头主体设有连通所述流体容纳腔的至少一气管接 头、及至少-水管接头； 所述喷头主体外壁设有沿坚直同一直线方向上依次设置的第一气和水二流体喷口、第 二气和水二流体喷口、及第三气和水二流体喷口； 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于半导体切割设备的清洗冷却装置，其特征在于，包括：喷头主体，具有流体容纳腔，所述喷头主体设有连通所述流体容纳腔的至少一气管接头、及至少二水管接头；所述喷头主体外壁设有沿竖直同一直线方向上依次设置的第一气和水二流体喷口、第二气和水二流体喷口、及第三气和水二流体喷口；其中，所述第一气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以去除所述半导体切割设备上废渣；所述第二气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以冷却半导体切割设备；所述第三气和水二流体喷口用于喷出水流或气流以去除所述半导体切割设备上废渣。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭良奎，
申请(专利权)人：海太半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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