切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明专利技术提供可防止覆盖膜的剥离不良、能够防止半导体芯片的静电破坏的切割芯片接合薄膜等。本发明专利技术涉及一种切割芯片接合薄膜，其形成为卷状。切割芯片接合薄膜包含覆盖膜和配置在覆盖膜上的切割片一体型粘接薄膜。切割片一体型粘接薄膜包含切割片，所述切割片包含以第1面和与第1面相向的第2面来定义两面的基材层和与第1面接触的粘合剂层。切割片一体型粘接薄膜还包含粘接薄膜，所述粘接薄膜以与粘合剂层接触的第1主面和与第1主面相向的第2主面来定义两面。第2面的表面电阻值为1.0×1011Ω/sq.以下。第2主面的表面电阻值为1.0×1012Ω/sq.以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。
技术介绍
已知一种切割芯片接合薄膜，其具有基材层、配置在基材层上的粘合剂层和配置在粘合剂层上的粘接薄膜(例如参见专利文献1)。基材层可以以与粘合剂层接触的接触面和与接触面相向的背面来定义两面。近年来，伴随半导体芯片的高性能化，静电破坏正成为问题。为了防止静电破坏，有通过向粘合剂层中添加导电性材料来提高抗静电性能的技术。此外，为了对粘接薄膜赋予导电性，也有向粘接薄膜中添加导电性材料的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-5636号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题向粘合剂层中添加导电性材料的技术存在如下的问题：在切割时导电性材料会在装置内飞散并附着于半导体晶圆、半导体芯片。在扩展时导电性材料有时也会飞散。向粘接薄膜中添加导电性材料的技术存在将粘接薄膜用于引线掩埋用途时导电性材料会促进引线的腐蚀的问题。还存在切割时导电性材料飞散的问题。此外，在切割芯片接合薄膜中，有时会无法顺利剥离覆盖膜。本专利技术人对剥离不良的原因进行了深入研究，结果发现，基材层的背面和覆盖膜的带电会引起覆盖膜的剥离不良。本专利技术的目的在于提供可防止覆盖膜的剥离不良、能够防止半导体芯片的静电破坏的切割芯片接合薄膜。本专利技术的目的还在于提供使用切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法。本专利技术的目的还在于提供使用切割芯片接合薄膜而得到的半导体装置。用于解决问题的方案本专利技术涉及切割芯片接合薄膜，其形成为卷状。本专利技术的切割芯片接合薄膜包含覆盖膜和配置在覆盖膜上的切割片一体型粘接薄膜。切割片一体型粘接薄膜包含切割片，所述切割片包含以第1面和与第1面相向的第2面来定义两面的基材层和与第1面接触的粘合剂层。切割片一体型粘接薄膜还包含粘接薄膜，所述粘接薄膜以与粘合剂层接触的第1主面和与第1主面相向的第2主面来定义两面。第2面的表面电阻值为1.0×1011Ω/sq.以下。由于为1.0×1011Ω/sq.以下，因此能够防止覆盖膜的剥离不良。第2主面的表面电阻值为1.0×1012Ω/sq.以上。由于为1.0×1012Ω/sq.以上，因此可防止封装时等的泄漏电流，能够防止半导体芯片的静电破坏。优选的是，基材层包含具有第1面的第1基材层和具有第2面的第2基材层。优选的是，第2基材层含有导电性成分。优选的是，第2基材层的厚度为1μm～30μm。优选的是，导电性成分为有机系导电性成分。优选的是，第2基材层还包含选自由聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物组成的组中的1种以上的树脂。优选的是，切割片的断裂伸长率为500％以上。优选的是，粘接薄膜包含环氧树脂或酚醛树脂。优选的是，粘接薄膜包含丙烯酸类树脂。优选的是，粘接薄膜在25℃的粘着强度为0.2N以上且3.0N以下。优选的是，覆盖膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。优选的是，覆盖膜的厚度为20μm～75μm。本专利技术还涉及半导体装置的制造方法，其包括如下工序：准备切割芯片接合薄膜的工序；将半导体晶圆压接于切割片一体型粘接薄膜的粘接薄膜的工序；在将半导体晶圆压接于粘接薄膜的工序之后，通过进行芯片分割而形成芯片接合用芯片的工序；和将芯片接合用芯片压接于被粘物的工序。将半导体晶圆压接于粘接薄膜的工序包括从覆盖膜剥离切割片一体型粘接薄膜的步骤。芯片接合用芯片包含半导体芯片和配置在半导体芯片上的薄膜状粘接剂。本专利技术还涉及半导体装置。附图说明图1是切割芯片接合薄膜的俯视示意图。图2是切割芯片接合薄膜的局部的截面示意图。图3是半导体装置的制造工序的截面示意图。图4是半导体装置的制造工序的截面示意图。图5是半导体装置的制造工序的截面示意图。图6是半导体装置的制造工序的截面示意图。图7是变形例4中的切割芯片接合薄膜的局部的截面示意图。图8是变形例7中的半导体装置的制造工序的截面示意图。图9是变形例8中的半导体装置的制造工序的截面示意图。图10是实施例中的切割片一体型粘接薄膜的截面示意图。附图标记说明1 切割芯片接合薄膜11 粘接薄膜11a 第1主面11b 第2主面12 切割片13 覆盖膜71 切割片一体型粘接薄膜121 基材层121a 第1面121b 第2面1211 第1基材层1212 第2基材层122 粘合剂层122A 接触部122B 周边部4 半导体晶圆5 芯片接合用芯片41 半导体芯片111 薄膜状粘接剂6 被粘物7 接合引线8 封装树脂61 被粘物606 基板607 接合引线611 粘接层641 半导体芯片具体实施方式以下给出实施方式对本专利技术进行详细说明，但本专利技术并不仅限于这些实施方式。[实施方式1](切割芯片接合薄膜1)如图1所示，切割芯片接合薄膜1形成为卷状。切割芯片接合薄膜1包含覆盖膜13和配置在覆盖膜13上的切割片一体型粘接薄膜71a、71b、71c、……、71m(以下总称为“切割片一体型粘接薄膜71”)。切割片一体型粘接薄膜71a与切割片一体型粘接薄膜71b之间的距离、切割片一体型粘接薄膜71b与切割片一体型粘接薄膜71c之间的距离、……切割片一体型粘接薄膜71l与切割片一体型粘接薄膜71m之间的距离是一定的。如图2所示，切割片一体型粘接薄膜71包含切割片12和配置在切割片12上的粘接薄膜11。切割片12包含基材层121和配置在基材层121上的粘合剂层122。基材层121以与粘合剂层122接触的第1面121a和与第1面121a相向的第2面121b来定义两面。粘接薄膜11以与粘合剂层122接触的第1主面11a和与第1主面11a相向的第2主面11b来定义两面。第2主面11b与覆盖膜13接触。第2面121b的表面电阻值为1.0×1011Ω/sq.以下，优选为8.0×1010Ω/sq.以下。由于为1.0×1011Ω/sq.以下，因此能够防止覆盖膜13的剥离不良。第2面121b的表面电阻值的下限例如为1.0×105Ω/sq.、1.0×107Ω/sq.、1.0×108Ω/sq.等。第2面121b的光泽度优选为1～20。第2主面11b的表面电阻值为1.0×1012Ω/sq.以上，优选为1.0×1014Ω/sq.以上。由于为1.0×1012Ω/sq.以上，因此可防止封装时等的泄漏电流，能够防止半导体芯片的静电破坏。第2主面11b的表面电阻值的上限例如为1.0×1017Ω/sq.、1.0×1018Ω/sq.等。切割片12的断裂伸长率优选为500％以上。如果为500％以上，则扩展性良好。切割片12的雾度优选为45％～95％。基材层121的厚度优选为50μm～150μm。基材层121包含具有第1面121a的第1基材层1211。第1基材层1211可以以第1面121a和与第1面121a相向的隐藏面来定义两面。基材层121还包含具有第2面121b的第2基材层1212。第2基材层1212与第1基材层1211的隐藏面接触。第1基材层1211包含树脂。作为树脂，可列举出：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。由于表现出良好的扩展性而优选聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。从扩展性差的角度来看，聚对苯二甲酸乙二醇酯是不优选的。第1基材层1211包含导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割芯片接合薄膜，其形成为卷状，其包含：覆盖膜，和配置在所述覆盖膜上的切割片一体型粘接薄膜，所述切割片一体型粘接薄膜包含：切割片，所述切割片包含以第1面和与所述第1面相向的第2面来定义两面的基材层和与所述第1面接触的粘合剂层；以及粘接薄膜，所述粘接薄膜以与所述粘合剂层接触的第1主面和与所述第1主面相向的第2主面来定义两面，所述第2面的表面电阻值为1.0×1011Ω/sq.以下，所述第2主面的表面电阻值为1.0×1012Ω/sq.以上。

【技术特征摘要】
2015.05.27 JP 2015-1072621.一种切割芯片接合薄膜，其形成为卷状，其包含：覆盖膜，和配置在所述覆盖膜上的切割片一体型粘接薄膜，所述切割片一体型粘接薄膜包含：切割片，所述切割片包含以第1面和与所述第1面相向的第2面来定义两面的基材层和与所述第1面接触的粘合剂层；以及粘接薄膜，所述粘接薄膜以与所述粘合剂层接触的第1主面和与所述第1主面相向的第2主面来定义两面，所述第2面的表面电阻值为1.0×1011Ω/sq.以下，所述第2主面的表面电阻值为1.0×1012Ω/sq.以上。2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述基材层包含具有所述第1面的第1基材层和具有所述第2面的第2基材层，所述第2基材层包含导电性成分。3.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述第2基材层的厚度为1μm～30μm。4.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述导电性成分为有机系导电性成分。5.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述第2基材层还包含选自由聚乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：大西谦司，三隅贞仁，宍户雄一郎，木村雄大，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP