芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明专利技术提供能够容易地确认半导体芯片的碎片的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)，并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，T1为80％以上，T1与T2之差(T1-T2)为20％以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的 制造方法。
技术介绍
以往，在半导体装置的制造过程中，在向引线框等被粘物固着半导体芯片时使用 银浆。所述固着处理通过在引线框的焊盘等上涂敷浆状的胶粘剂，在其上搭载半导体芯片 并使浆状胶粘剂层固化来进行。 但是，浆状胶粘剂根据其粘度行为或劣化等在涂敷量或涂敷形状方面产生较大的 偏差。结果，形成的浆状胶粘剂厚度不均匀，因此半导体芯片的固着强度可靠性不足。例 如，浆状胶粘剂的涂敷量不足时，半导体芯片与被粘物之间的固着强度降低，在后续的丝焊 工序中半导体芯片剥离。另一方面，浆状胶粘剂的涂敷量过多时，浆状胶粘剂一直流延到半 导体芯片上从而产生特性不良，成品率或可靠性下降。这样的固着处理中的问题随着半导 体芯片的大型化而变得特别显著。 在该浆状胶粘剂的涂敷工序中，有将浆状胶粘剂分别涂敷到引线框、形成芯片上 的方法。但是，该方法难以实现浆状胶粘剂层的均匀化，另外浆状胶粘剂的涂敷需要特殊装 置或长时间。因此，以往提出了具有半导体芯片固定用的胶粘剂层的芯片接合薄膜（例如， 参考专利文献1)。 芯片接合膜在贴合到半导体晶片并与半导体晶片一起被切割后，与所形成的半导 体芯片一起从切割胶带剥离。之后，半导体芯片通过芯片接合膜被固着于被粘物。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开平05-179211号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 本专利技术人对使用上述的芯片接合膜制造的半导体装置进行了研宄。结果查明，半 导体芯片的背面由芯片接合膜覆盖，因此即使产生碎片，也很难发现。 本专利技术鉴于所述问题而进行，其目的在于提供能够容易地确认半导体芯片的碎片 的芯片接合膜、及带有切割片的芯片接合膜。另外，在于提供使用该芯片接合膜、或该带有 切割片的芯片接合膜而制造的半导体装置。另外，在于提供使用了该带有切割片的芯片接 合膜的半导体装置的制造方法。 解决课题的方法 本专利技术人为了解决所述问题而进行了深入研宄。结果发现，通过采用下述构成的 芯片接合膜，能够容易地确认半导体芯片的碎片，并完成了本专利技术。 即，本专利技术所涉及的芯片接合膜的特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光 率设为Tl(% )、并将在120°C下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(% )时，所 述Tl为80 %以上，所述Tl与所述Τ2之差（Τ1-Τ2)为20 %以下。 根据所述构成，所述Tl (%)为80%以上，因此在该芯片接合膜粘贴于半导体芯片 的背面的状态、且热固化前的状态（例如，切割后的状态）下，能够容易地发现半导体芯片 的背面、侧面是否存在碎片。 另外，所述Tl与所述T2之差（T1-T2)为20%以下，因此热固化后（例如，在120°C 下加热1小时后）也具有某种程度的透光性。因此，即使在热固化后的状态下，也能够容易 地发现半导体芯片的背面、侧面是否存在碎片。 可见，根据本专利技术，在热固化前及热固化后这两个状态下，都能够容易地发现半导 体芯片的背面、侧面是否存在碎片。 另外，在伴随热历史的工艺、例如芯片接合、丝焊后，也能够对芯片接合膜的空隙 进行目视确认。 所述构成中，所述Tl与所述T2之比T2/T1优选在0.75~1.0的范围内。 若所述比T2/T1在0· 75~I. 0的范围内，则热固化后（在120°C下加热1小时后） 与热固化前相比也具有某种程度的透光性。因此，在热固化后的状态下，能够进一步容易地 发现半导体芯片的背面、侧面是否存在碎片。 另外，在伴随热历史的工艺、例如芯片接合、丝焊后，对芯片接合膜的空隙的目视 确认也进一步变得容易。 另外，本专利技术所涉及的带有切割片的芯片接合膜为在切割片上设置有所述芯片接 合膜的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，所述切割片在波长400nm下的透光率大于 80%〇 根据所述构成，切割片在波长400nm下的透光率大于80%，因此在所述带有切割 片的芯片接合膜粘贴于半导体芯片的背面的状态下，能够容易地发现半导体芯片的背面、 侧面是否存在碎片。 所述构成中，热固化前的所述带有切割片的芯片接合膜在波长400nm下的透光率 优选大于50%。 若热固化前的所述带有切割片的芯片接合膜在波长400nm下的透光率大于50%， 则在所述带有切割片的芯片接合膜粘贴于半导体芯片的背面的状态下，能够更容易地发现 半导体芯片的背面、侧面是否存在碎片。 所述构成中，相对于全部有机树脂成分，所述芯片接合膜优选含有50重量％以上 的丙烯酸系共聚物。 若相对于全部有机树脂成分，所述芯片接合膜含有50重量％以上的丙烯酸系共 聚物，则在热固化前、固化后都可以提高芯片接合膜在波长400nm下的透光率。 所述构成中，所述芯片接合膜优选含有丙烯酸系共聚物，所述丙烯酸系共聚物通 过将以50重量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得 到。 若所述芯片接合膜含有丙烯酸系共聚物，且所述丙烯酸系共聚物通过将以50重 量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到，则能够进 一步提高芯片接合膜在波长400nm下的透光率。 所述构成中，所述切割片优选由基材和粘合剂层构成，所述粘合剂层含有丙烯酸 系共聚物，所述丙烯酸系共聚物通过将以50重量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基 丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到。 若所述粘合剂层含有丙烯酸系共聚物，且所述丙烯酸系共聚物通过将以50重 量％以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的单体原料聚合而得到，则能够提 高所述粘合剂层在波长400nm下的透光率。 所述构成中，所述芯片接合膜优选含有选自脂环式环氧树脂及脂环式酸酐中的至 少1种以上作为热固性树脂。 若所述芯片接合膜含有选自脂环式环氧树脂及脂环式酸酐中的至少1种以上作 为热固性树脂，则在热固化后能够抑制黄变等，能够将热固化后的芯片接合膜在波长400nm 下的透光率保持得较高。 所述构成中，优选所述芯片接合膜在120°C下的损失弹性模量为0. 05~0. 5MPa。 若所述芯片接合膜在120°C下的损失弹性模量为0. 05MPa以上，则能够容易地进 行丝焊。另一方面，若所述芯片接合膜在120°C下的损失弹性模量为0. 5MPa以下，则能够提 高与被粘物的粘接性。 另外，本专利技术所涉及的半导体装置的特征在于使用所述中记载的芯片接合膜、或 所述中记载的带有切割片的芯片接合膜而制造。 另外，本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，包括： 准备工序，准备所述中记载的带有切割片的芯片接合膜； 贴合工序，将所述带有切割片的芯片接合膜的芯片接合膜与半导体晶片的背面贴 合； 切割工序，将所述半导体晶片与所述芯片接合膜一起切割，形成芯片状的半导体 芯片； 拾取工序，将所述半导体芯片与所述芯片接合膜一起从所述带有切割片的芯片接 合膜拾取；和 芯片接合工序，通过所述芯片接合膜在被粘物上芯片接合所述半导体芯片。 根据所述构成，芯片接合膜在热固化前在波长400nm下的透光率Tl为80%以上， 因此在该芯片接合膜粘贴于半导体芯片的背面的状态、且热固化前的状态（例如，切割工 序后的状态）下，能够容易地发现半导体芯片的背面、侧面是否存在碎片。 另外，所述Tl与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)、并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，所述T1为80％以上，所述T1与所述T2之差即T1‑T2为20％以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大西谦司，三隅贞仁，村田修平，宍户雄一郎，木村雄大，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP