半导体背面用切割带集成膜制造技术

本发明专利技术涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明专利技术提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 本申请是申请日为2010年6月12日、申请号为201010204850. 5、专利技术名称为"半 导体背面用切割带集成膜"的申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片型半导体背面用膜。将 倒装芯片型半导体背面用膜用于保护芯片形工件（例如半导体芯片）的背面和增强强度等 的目的。此外，本专利技术涉及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法和倒装 芯片安装的半导体器件。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件 及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将芯片形工件例如半导体芯片安装（倒 装芯片接合）于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片接合中，将半导体芯片 以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件 等中，可以存在半导体芯片（芯片形工件）的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等 的情况（参见，例如，专利文献1至10)。 专利文献 I :JP-A-2008-166451 专利文献 2 :JP-A-2008-006386 专利文献 3 :JP-A-2007-261035 专利文献 4 :JP-A-2007-250970 专利文献 5 :JP-A-2007-158026 专利文献 6 :JP-A-2004-221169 专利文献 7 :JP-A-2004-214288 专利文献 8 :JP-A-2004-142430 专利文献 9 :JP-A-2004-072108 专利文献 10 :JP-A-2004-063551【专利
技术实现思路
】 然而，将用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半 导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，以致步骤的数量增加，成本等增加。 此外，由于薄型化，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能损害半导 体芯片。因此，期望在拾取步骤前增强半导体晶片或半导体芯片。 考虑到前述问题，本专利技术的目的在于提供从半导体晶片的切割步骤至半导体元件 的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。 此外，本专利技术的另一目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体 晶片的切割步骤中显示出优良的保持力并能够在半导体元件的倒装芯片连接步骤后显示 出优良的标识性和优良的外观性。 为了解决前述的相关技术问题，本专利技术人进行了广泛深入的研究。结果，已发现， 当将倒装芯片型半导体背面用膜层压至具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂 层上从而以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜，并且倒装芯片型半导体背 面用膜是由以特定比例含有热塑性树脂组分的树脂组合物形成时，从半导体晶片的切割步 骤至半导体元件的倒装芯片连接步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和倒装芯片 型半导体背面用膜的层压体（半导体背面用切割带集成膜），在半导体晶片的切割步骤中 能够显示出优良的保持力，在半导体元件的倒装芯片连接步骤后能够显示出优良的标识性 和优良的外观性，使得完成本专利技术。 即，本专利技术提供半导体背面用切割带集成膜，其包括： 切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和 倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘 合剂层上， 其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有贮能弹性模量（在60°C下）为0. 9MPa 至 15MPa。 如上所述，本专利技术的半导体背面用切割带集成膜是以其中倒装芯片型半导体背面 用膜与具有基材和压敏粘合剂层的切割带集成的形式形成，倒装芯片型半导体背面用膜的 贮能弹性模量（在60°C下）为0· 9MPa至15MPa。因此，在切割工件（半导体晶片）时，通 过将半导体背面用切割带集成膜粘贴至工件（半导体晶片）上，在保持所述工件时将其有 效地切割。此外，在切割工件以形成芯片形工件（半导体元件）后，能够将芯片形工件与倒 装芯片型半导体背面用膜一起容易地从具有优良的拾取性的切割带的压敏粘合剂层剥离， 能够容易地获得背面受到保护的芯片形工件。此外，能够有效地提高芯片形工件背面的标 识性和外观性等。 特别地，如前所述，在本专利技术的半导体背面用切割带集成膜中，以集成形式形成切 割带和倒装芯片型半导体背面用膜，因此，也能够提供本专利技术的半导体背面用切割带集成 膜以用于切割半导体晶片来制备半导体元件的切割步骤或者随后的拾取步骤。结果，仅粘 贴半导体背面用膜的步骤（半导体背面用膜的粘贴步骤）不是必需的。此外，在随后的切 割步骤或拾取步骤中，将半导体背面用膜粘贴至半导体晶片的背面或者通过切割形成的半 导体元件的背面，因此，能够有效地保护半导体晶片或者半导体元件，能够抑制或者防止在 切割步骤或随后的步骤（例如，拾取步骤）中半导体元件的损坏。 在一实施方案中，倒装芯片型半导体背面用膜包含添加至其的着色剂。在一实施 方案中，在倒装芯片接合时能够适当地使用本专利技术的半导体背面用切割带集成膜。此外，由 于倒装芯片型半导体背面用膜以优良的紧密粘合性粘贴至半导体元件背面，因此其具有优 良的外观性。此外，可以赋予半导体元件的背面以优良的标识性。 本专利技术还提供使用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法，该方 法包括： 将工件粘贴至半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上， 切割所述工件以形成芯片形工件， 将所述芯片形工件与倒装芯片型背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，和 将所述芯片形工件倒装芯片连接至被粘物上。 本专利技术进一步提供倒装芯片安装的半导体器件，其通过上述方法制造。 根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜，不仅切割带和倒装芯片型半导体背面 用膜以集成形式形成，而且倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量（在60°C下）为 0.9MPa至15MPa。因此，从半导体晶片的切割步骤至半导体元件的倒装芯片接合步骤均能 够利用本专利技术的半导体背面用切割带集成膜。具体地，本专利技术的半导体背面用切割带集成 膜在半导体晶片的切割步骤中能够显示出优良的保持力，并且在切割步骤后的拾取步骤 中，通过切割的半导体元件能够与倒装芯片型半导体背面用膜一起从具有优良拾取性的切 割带的压敏粘合剂层剥离。此外，在半导体元件的倒装芯片接合步骤期间和之后能够显 示出标识性和外观性。此外，在倒装芯片接合步骤等中，由于半导体元件的背面用倒装芯 片型半导体背面用膜保护，因此能够有效抑制或防止半导体元件的破坏（breakage)、碎裂 (chipping)和翘曲（warp)等。此外，在拾取步骤后和直至倒装芯片接合步骤，即使当将其 背面用倒装芯片型半导体背面用膜保护的半导体元件放置在支承体上时，所述半导体元件 也不粘贴至支承体。自然，在半导体元件的切割步骤至倒装芯片接合步骤的步骤之外的步 骤中，本专利技术的半导体背面用切割带集成膜能够有效地显示出其功能。【附图说明】 图1为示出本专利技术的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面示意 图。 图2A-2D为示出使用本专利技术的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方 法的一个实施方案的横截面示意图。 附图标iP,说明 1 :半导体背面用切割带集成膜 2 :倒装芯片型半导体背面用膜 3 :切割带 31 :基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的在60℃下的贮能弹性模量为0.9MPa至15MPa，所述倒装芯片型半导体背面用膜在温度为85℃和湿度为85％RH的环境下静置168小时后的吸湿度为不大于1％，和其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含添加至其的着色剂。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林美希，高本尚英，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP