一种减少线宽间隙的新型基板制作流程制造技术

技术编号：40762137 阅读：3 留言：0更新日期：2024-03-25 20:13

本发明专利技术提供一种减少线宽间隙的新型基板制作流程，包括以下工序：获取原材料，原材料的上下表面带有一层铜层；在带有铜层的原材料板材上进行钻孔的操作并削弱铜层，用于打穿原材料，在原材料上形成需要的孔位结构，并对通孔四周的毛边进行有效去除；在对经过上述形成的通孔内进行镀铜，在孔壁上留下铜层；线路制作；涂布油墨上绿漆，在铜基板表面形成保护层；外观检查后通过无误的进行包装出库。本发明专利技术从常规的曝光、显影、蚀刻、褪膜采用曝光、显影、镀铜、褪膜和闪蚀，达到线宽从50um改进成为最小线宽为40um，满足40um以下线宽量产要求，同时可适用推广所有产品；另外，对比其它材料，原材料成本可下降18％/kpcs，并实现低成本的目标。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其是涉及新基板制作领域，具体为一种减少线宽间隙的新型基板制作流程。

技术介绍

1、随着半导体技术不断的提升，目前处于倒装芯片封装技术升级阶段。

2、为了提高封装内存的市场竞争力，半导体的芯片已经升级到ddr5，为低功耗，高频率，多内存的倒装芯片封装模式，用来提高内存容量和成本优势。

3、常规工艺在基板上通过曝光、显影、蚀刻和褪膜形成所需线路，在此过程中容易形成under-cut(底切度)的情况，导致线路上下不均匀等问题

4、此时，对于我们使用的基板材料，对于线宽间隙要求自然也越来越高，为了满足其要求，致力于开发新型窄线宽间隙的基板尤为重要。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种减少线宽间隙的新型基板制作流程，用于解决现有技术的难点。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种减少线宽间隙的新型基板制作流程，包括以下工序：

3、步骤s1：获取原材料，原材料的上下表面带有一层铜层；

4、步骤s2：在带有铜层的原材料板材上进行钻孔的操作并削弱铜层，用于打穿原材料，在原材料上形成需要的孔位结构，并对通孔四周的毛边进行有效去除；

5、步骤s3：在对经过所述步骤s2形成的通孔内进行镀铜，在孔壁上留下铜层；

6、步骤s4：线路制作；

7、步骤s4.1：曝光，在原材料的铜层上覆膜，膜上按照线路所需要的部分进行设计；</p>

8、步骤s4.2：显影，对经过步骤s4.1曝光后的铜基板进行曝光，在铜层上呈现线路所需要形状；

9、步骤s4.3：镀铜，对经过步骤s4.2显影后的材料在对应的所需路线凹槽中进行镀铜，填满路线槽，并试纸表面与材料表面齐平，度铜层的底部与原材料的铜层相结合；

10、步骤s4.4：褪膜，将镀铜之后材料表面多余的膜进行去除，露出适用于产品所需的铜基板；

11、步骤s4.5：闪蚀，对镀铜形成的线路底部进行清理，去除线路与线路之间底部连接的原材料的铜层结构，将其余不需要的部分蚀刻掉，形成最终所需要的线路；

12、步骤s5：涂布油墨上绿漆，在铜基板表面形成保护层；

13、步骤s6：外观检查后通过无误的进行包装出库。

14、根据优选方案，步骤s2优选的采用激光钻孔工艺。根据优选方案，步骤s2在打小孔之前，在原材料的铜层外侧面上贴附有铝板层。

15、根据优选方案，在所述步骤s1内还包括对原材料进行薄蚀铜，去除表面氧化物。

16、根据优选方案，经过所述步骤s4制成的基板表面线路上下宽度一致。

17、根据优选方案，根据所述步骤s4.5闪蚀后形成的线路很截面为矩形。

18、根据优选方案，步骤s1中原材料采用卷料。

19、根据优选方案，步骤s1中原材料表面铜层厚度为3um。

20、本专利技术从常规的曝光、显影、蚀刻、褪膜采用曝光、显影、镀铜、褪膜和闪蚀，达到线宽从50um改进成为最小线宽为40um，满足40um以下线宽量产要求，同时可适用推广所有产品；另外，对比其它材料，原材料成本可下降18％/kpcs，并实现低成本的目标。

21、下文中将结合附图对实施本专利技术的最优实施例进行更详尽的描述，以便能容易地理解本专利技术的特征和优点。

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【技术保护点】

1.一种减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，所述步骤S2在打小孔之前，在原材料的铜层外侧面上贴附有铝板层。

3.根据权利要求2所述的减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，在所述步骤S1内还包括对原材料进行薄蚀铜，去除表面氧化物。

4.根据权利要求3所述的减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，经过所述步骤S4制成的基板表面线路上下宽度一致。

5.根据权利要求4所述的减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，根据所述步骤S4.5闪蚀后形成的线路很截面为矩形。

6.根据权利要求5所述的减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，所述步骤S1中原材料采用卷料。

7.根据权利要求6所述的减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，所述步骤S1中原材料表面铜层厚度为3um。

【技术特征摘要】

1.一种减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，所述步骤s2在打小孔之前，在原材料的铜层外侧面上贴附有铝板层。

3.根据权利要求2所述的减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特征在于，在所述步骤s1内还包括对原材料进行薄蚀铜，去除表面氧化物。

4.根据权利要求3所述的减少线宽间隙的新型基板制作流程，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，
申请(专利权)人：海太半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：

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