半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术是关于一种半导体装置，其包括：重新分布结构，其包括：第一重新分布层，其包括：第一介电层，其包括第一介电材料；以及第一导电的线路；以及第二重新分布层，其包括：第二介电层，其包括不同于所述第一介电材料的第二介电材料；以及第二导电的线路，其电耦接至所述第一导电的线路；第一半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；第二半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；以及导电的互连结构，其附接至所述第二重新分布层。作为非限制性的例子，此实用新型专利技术内容的各种特点是提供各种的半导体封装结构，其是包括一薄的细微间距的重新分布结构，其可以减少成本、增进可靠度、及/或增进该半导体装置的可制造性。

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种半导体装置。相关申请案的交互参照/纳入作为参考此申请案是相关于2013年1月29日申请且名称为\半导体装置以及制造半导体装置的方法\的美国专利申请案序号13/753,120；2013年4月16日申请且名称为\半导体装置以及制造其的方法\的美国专利申请案序号13/863,457；2013年11月19日申请且名称为\具有直通硅穿孔-较不深的井的半导体装置\的美国专利申请案序号14/083,779；2014年3月18日申请且名称为\半导体装置以及制造其的方法\的美国专利申请案序号14/218,265；2014年6月24日申请且名称为\半导体装置以及制造其的方法\的美国专利申请案序号14/313,724；2014年7月28日申请且名称为\具有薄的重新分布层的半导体装置\美国专利申请案序号14/444,450；2014年10月27日申请且名称为\具有降低的厚度的半导体装置\的美国专利申请案序号14/524,443；2014年11月4日申请且名称为\中介体、其的制造方法、利用其的半导体封装、以及用于制造该半导体封装的方法\的美国专利申请案序号14/532,532；2014年11月18日申请且名称为\具有降低的翘曲的半导体装置\的美国专利申请案序号14/546,484；以及2015年3月27日申请且名称为\半导体装置以及制造其的方法\的美国专利申请案序号14/671,095；该些美国专利申请案的每一个的内容兹在此以其整体纳入作为参考。
技术介绍
目前的半导体封装以及用于形成半导体封装的方法是不足的，其例如是产生超额的成本、较低的可靠度、或是过大的封装尺寸。透过现有及传统的方式与如同在本申请案的参考图式的其余部分中所阐述的本
技术实现思路
的比较，此种现有及传统的方式的进一步的限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言将会变成是明显的。
技术实现思路
此
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的各种特点是提供一种半导体装置结构，作为非限制性的例子，此
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的各种特点是提供各种的半导体封装结构，其是包括一薄的细微间距的重新分布(redistribution)结构。本技术的一态样为一种半导体装置，其是包括：一重新分布结构，其包括：一第一重新分布层，其包括：一第一介电层，其包括一第一介电材料；以及一第一导电的线路；以及一第二重新分布层，其包括：一第二介电层，其包括一不同于该第一介电材料的第二介电材料；以及一第二导电的线路，其电耦接至该第一导电的线路；一第一半导体晶粒，其是附接至该第一重新分布层；一第二半导体晶粒，其是附接至该第一重新分布层；以及导电的互连结构，其是附接至该第二重新分布层。其中所述第一重新分布层是在一晶圆制程中被形成，并且所述第二重新分布层是在一后晶圆的制程中被形成。其中所述第一介电材料是一种无机材料，并且所述第二介电材料是一种有机材料。其中所述重新分布结构包括在所述第一介电层与所述第二介电层之间的氧化物层。半导体装置，其包括：模制材料，其覆盖所述重新分布结构的至少一上表面以及所述第一及第二半导体晶粒的每一个的个别的横向侧表面；以及导电的贯孔，其从所述重新分布结构穿过所述模制材料而延伸到所述模制材料的一上表面。半导体装置，其包括在所述模制材料的所述上表面上以及在所述第一及第二半导体晶粒之上的第三重新分布层，所述第三重新分布层电连接至所述导电的贯孔。半导体装置，其包括附接至所述导电的互连结构的封装基板。半导体装置，其包括电耦接至所述封装基板的第三晶粒。本技术的另一态样为一种半导体装置，其是包括：一重新分布结构，其包括：一上方的重新分布层，其包括：一第一介电层，其包括一第一介电材料；以及一第一导电的线路；以及一下方的重新分布层，其包括：一第二介电层，其包括一第二介电材料；以及一第二导电的线路，其是电耦接至该第一导电的线路；一第一半导体晶粒，其是附接至该重新分布结构的一上方侧；一第二半导体晶粒，其是附接至该重新分布结构的该上方侧；一第一模制材料，其是覆盖该重新分布结构的至少该上方侧以及该第一及第二半导体晶粒的每一个的一个别的横向侧；一基板，其是包括一附接至该重新分布结构的一下方侧的上方的基板侧；以及一第二模制材料，其是至少覆盖该上方的基板侧、该第一模制材料的一横向侧、以及该重新分布结构的一横向侧。其中所述第一模制材料以及所述第二模制材料是不同的材料。其中所述第一模制材料的外表面包括黏着强化的特点，其强化在所述第一模制材料与所述第二模制材料之间的黏着。半导体装置，其中：所述第一模制材料包括第一模制顶表面；以及所述第二模制材料包括与所述第一模制顶表面共平面的第二模制顶表面。半导体装置，其包括：第一底胶填充材料，其在所述重新分布结构与所述第一半导体晶粒之间、以及在所述重新分布结构与所述第二半导体晶粒之间；以及第二底胶填充材料，其在所述基板与所述重新分布结构之间，其中所述第一及第二底胶填充材料是不同的材料。半导体装置，其包括：第一底胶填充材料，其在所述重新分布结构与所述第一半导体晶粒之间、以及在所述重新分布结构与所述第二半导体晶粒之间；以及第二底胶填充材料，其在所述基板与所述重新分布结构之间，其中所述第二底胶填充材料直接接触所述第一底胶填充材料。半导体装置，其包括一种底胶填充材料，其在所述重新分布结构与所述第一半导体晶粒之间、以及在所述重新分布结构与所述第二半导体晶粒之间，其中所述底胶填充材料包括与所述重新分布结构的所述上方侧成正交的横向侧。半导体装置，其包括一种底胶填充材料，其在所述重新分布结构与所述第一半导体晶粒之间、以及在所述重新分布结构与所述第二半导体晶粒之间，其中所述底胶填充材料包括与所述第一模制材料的所述横向侧以及所述重新分布结构的所述横向侧共平面的横向侧。本技术的另一态样为一种半导体装置，其包括：重新分布结构，其包括：上方的重新分布层，其包括：第一介电层，其包括第一介电材料；以及第一导电的线路；下方的重新分布层，其包括：第二介电层，其包括一第二介电材料；以及第二导电的线路，其电耦接至所述第一导电的线路；以及多个导电柱，其从所述下方的重新分布层延伸并且附接至所述第二导电的线路；第一半导体晶粒，其附接至所述重新分布结构的一上方侧；以及第二半导体晶粒，其附接至所述重新分布结构的所述上方侧。半导体装置，其包括附接至所述导电柱的基板。半导体装置，其包括：第一底胶填充材料，其在所述重新分布结构与所述第一半导体晶粒之间、以及在所述重新分布结构与所述第二半导体晶粒之间；以及第二底胶填充材料，其在所述基板与所述重新分布结构之间，其中所述第一及第二底胶填充材料是不同的材料。其中所述第二介电材料以及所述第一介电材料是不同的材料。附图说明所附的图式是被包括在内以提供本
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的进一步的理解，并且被纳入在此说明书中而且构成说明书的一部分。该图式是描绘本
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的例子，并且和说明一起用以解说本
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的各种原理。在图式中：图1A-1J是展示描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体封装以及一种制造一半导体封装的范例的方法的横截面图。图2是根据本
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的各种特点的一种制造一半导体封装的范例的方法的流程图。图3A-3B是展示描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：重新分布结构，其包括：第一重新分布层，其包括：第一介电层，其包括第一介电材料；以及第一导电的线路；以及第二重新分布层，其包括：第二介电层，其包括不同于所述第一介电材料的第二介电材料；以及第二导电的线路，其电耦接至所述第一导电的线路；第一半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；第二半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；以及导电的互连结构，其附接至所述第二重新分布层。

【技术特征摘要】
2015.08.11 US 14/823,6891.一种半导体装置，其特征在于，包括：重新分布结构，其包括：第一重新分布层，其包括：第一介电层，其包括第一介电材料；以及第一导电的线路；以及第二重新分布层，其包括：第二介电层，其包括不同于所述第一介电材料的第二介电材料；以及第二导电的线路，其电耦接至所述第一导电的线路；第一半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；第二半导体晶粒，其附接至所述第一重新分布层；以及导电的互连结构，其附接至所述第二重新分布层。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一重新分布层是在一晶圆制程中被形成，并且所述第二重新分布层是在一后晶圆的制程中被形成。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一介电材料是一种无机材料，并且所述第二介电材料是一种有机材料。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述重新分布结构包括在所述第一介电层与所述第二介电层之间的氧化物层。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括：模制材料，其覆盖所述重新分布结构的至少一上表面以及所述第一及第二半导体晶粒的每一个的个别的横向侧表面；以及导电的贯孔，其从所述重新分布结构穿过所述模制材料而延伸到所述模制材料的一上表面。6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，包括在所述模制材料的所述上表面上以及在所述第一及第二半导体晶粒之上的第三重新分布层，所述第三重新分布层电连接至所述导电的贯孔。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括附接至所述导电的互连结构的封装基板。8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，包括电耦接至所述封装基板的第三晶粒。9.一种半导体装置，其特征在于，包括：重新分布结构，其包括：上方的重新分布层，其包括：第一介电层，其包括第一介电材料；以及第一导电的线路；以及下方的重新分布层，其包括：第二介电层，其包括第二介电材料；以及第二导电的线路，其电耦接至所述第一导电的线路；第一半导体晶粒，其附接至所述重新分布结构的一上方侧；第二半导体晶粒，其附接至所述重新分布结构的所述上方侧；第一模制材料，其覆盖所述重新分布结构的至少所述上方侧以及所述第一及第二半导体晶粒的每一个的个别的横向侧；基板，其包括附接至所述重新分布结构的一下方侧之上方的基板侧；以及第二模制材料，其至少覆盖所述上方的基板侧、所述第一模制材料的一横向侧、以及所述重新分布结构的一横向侧。10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一模制材料以及所述第二模制材料是不同的材料。11.如权利要求9所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦可·凯利，大卫·海纳，罗纳·休莫勒，罗杰·圣艾曼德，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国;US