一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，为实现阵列基板的窄沟道设计而发明专利技术。所述TFT阵列基板包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，具体而言，在所述源极的上方形成有绝缘层，所述绝缘层中制作有漏极沟槽，所述漏极位于所述漏极沟槽中并通过有源层与所述源极相连。本发明专利技术提供的TFT阵列基板用于制作显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
在TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜场效应晶体管液晶显示器)行业中，主要是通过像素电极和公共电极之间产生的电场，来控制液晶分子的转动，达到所要显示画面的效果。像素电极的电位能否达到要求值，主要是由TFT的开启电流Ion决定的。相同工艺条件下，TFT的宽长比(W/L，W为沟道宽度，指沟道的起点至终点延伸的距离；L为沟道长度，指TFT的源极和漏极之间的距离)对TFT的性能起很大作用。在其他条件不变的情况下，TFT的宽长比越大，其性能越好，像素电极的电位能够更容易达到要求值。TFT宽长比的增加可以通过增加沟道宽度W或减小沟道长度L来实现。然而增加沟道宽度W会增大TFT的尺寸，减小开口率。减小沟道长度L既能增大TFT的宽长比又能减小TFT的尺寸，增大开口率。因此，减小沟道长度L是增加TFT宽长比的最佳选择。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置，用于在不引起短路风险并保证TFT性能的前提下，减小沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，其特征在于，在所述源极的上方形成有绝缘层，所述绝缘层中制作有漏极沟槽，所述漏极位于所述漏极沟槽中并通过有源层与所述源极相连。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，其特征在于，在所述源极的上方形成有绝缘层，所述绝缘层中制作有漏极沟槽，所述漏极位于所述漏极沟槽中并通过有源层与所述源极相连。2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板为底栅结构，所述绝缘层为钝化层，且在所述漏极上方直接形成所述像素电极。3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板上还设有公共电极线，所述公共电极线的上方设有公共电极绝缘层，所述公共电极绝缘层中制作有公共电极过孔，所述公共电极过孔中填充有漏极材料。4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述漏极材料上方直接形成过孔连接线，所述过孔连接线连接不同的公共电极过孔。5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述公共电极过孔与所述漏极沟槽在同一次构图工艺中形成，所述漏极材料与所述漏极在同一次构图工艺中形成，所述像素电极与所述过孔连接线在一次构图工艺中形成。6.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板为顶栅结构，所述绝缘层为所述源极和漏极之间的绝缘层。7.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：步骤1、在承载基底上形成栅线和栅极、栅绝缘层、有源层、数据线和源极；步骤2、在形成有所述栅线和栅极、栅绝缘层、有源层、数据线和源极的承载基底上沉积钝化层薄膜，通过构图工艺在所述钝化层薄膜中形成漏极沟槽；步骤3、在形成有所述漏极沟槽的承载基板上沉积漏极金属薄膜，通过构图工艺形成漏极，所述漏极通过所述有源层与所述源极相连。8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：在承载基底上沉积栅金属层，通过构图工艺形成栅线和栅极，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾可可，杨妮，胡伟，李少茹，刘信，齐智坚，侯宇松，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11