阵列基板及其制备方法、显示器件技术

本发明专利技术公开一种阵列基板及其制备方法、显示器件，涉及液晶显示技术领域，以消除钝化层过孔过刻蚀的隐患，避免由于钝化层过孔过刻蚀而导致的钝化层过孔上下层结构连接不良。所述阵列基板，包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述源漏电极所在的源漏电极层下方设有导电层、上方设有钝化层过孔，所述导电层、源漏电极层、以及钝化层过孔位置相互对应且由下至上依次排列。本发明专利技术提供的阵列基板用于制备液晶显示器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示器件。
技术介绍
随着薄膜场效应晶体管液晶显示(TFT-LCD Display)技术的发展和工业技术的进步，液晶显示器件生产成本降低、制造工艺日益完善，TFT-LCD已经取代了阴极射线管显示成为平板显示领域的主流技术。且由于其本身所具有的优点，在市场和消费者心中成为理想的显示器件。当前TFT基板(阵列基板)的制造过程通常使用6mask工艺，即需要使用6次掩模板。依次为Gate(栅极层，第1次mask)、active(有源层，第2次mask)、1st ITO(第一层ITO(氧化铟锡)，可作为像素电极或公共电极，第3次mask)、SD(源漏电极层，第4次mask)、VIA(钝化层过孔，包括将外部信号引入源漏电极层的引入过孔；当第一层ITO为公共电极时，还包括连接薄膜晶体管漏极和像素电极的过孔；第5次mask)、2nd ITO(第二层ITO，可作为公共电极或像素电极，第6次mask)。其中，在进行第5次mask时，使用干法刻蚀制作钝化层过孔。钝化层过孔20周围的结构如图1a和图1b所示，由上至下分别为钝化层23、源漏电极层22和栅绝缘层21。在实际操作中，钝化层过孔刻蚀工艺在保证钝化层完全刻蚀的情况下，通常会有一定的过刻率，这样就会对钝化层23下方的源漏电极层22进行刻蚀。因此，如图2a所示，在理想的状态下，钝化层过孔20的深度应该仅到源漏电极层22。但是在过刻的情况下容易形成图2b所示的情况，使得源漏电极层22被刻掉一部分。严重时还会形成图2c所示的情况，源漏电极层22被全部刻蚀。一旦形成图2c所示的情况，与钝化层上方的结构如第二层ITO连接的就只剩下钝化层过孔侧面的源漏电极层材料，这样钝化层
上方的结构与源漏电极层的接触面积减小，容易使得钝化层上方的结构与源漏电极层搭接不上，造成断路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示器件，用于消除钝化层过孔过刻蚀的隐患，避免由于钝化层过孔过刻蚀而导致的钝化层过孔上下层结构连接不良。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本专利技术的第一方面提供一种阵列基板，包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述源漏电极所在的源漏电极层下方设有导电层、上方设有钝化层过孔，所述导电层、源漏电极层、以及钝化层过孔位置相互对应且由下至上依次排列。在上述阵列基板的一个具体实现方案中，所述源漏电极层的下方还设有像素电极，所述导电层与所述像素电极相互分隔地位于同一层且通过一次构图工艺形成。在上述阵列基板的另一个具体实现方案中，所述源漏电极层的下方还设有公共电极，所述导电层与所述公共电极相互分隔地位于同一层且通过一次构图工艺形成。在上述各方案中，所述导电层为经过退火处理的导电层。基于上述阵列基板的技术方案，本专利技术的第二方面提供一种阵列基板的制备方法，包括：步骤11、在承载基底上形成栅线和栅极、栅绝缘层和有源层；步骤12、在形成有栅线和栅极、栅绝缘层和有源层的所述承载基底上形成相互分隔的导电层以及像素电极；步骤13、在形成有导电层以及像素电极的所述承载基底上形成源漏电极
层、钝化层和钝化层过孔、公共电极，所述导电层、源漏电极层、以及钝化层过孔位置相互对应且由下至上依次排列。在所述步骤12中，所述导电层与所述像素电极通过一次构图工艺形成并位于同一层。并且，在所述步骤12和步骤13之间，所述方法还包括：对所述导电层进行退火处理。基于上述阵列基板的技术方案，本专利技术的第三方面还提供一种阵列基板的制备方法，包括：步骤21、在承载基底上形成栅线和栅极、栅绝缘层和有源层；步骤22、在形成有栅线和栅极、栅绝缘层和有源层的所述承载基底上形成相互分隔的导电层以及公共电极；步骤23、在形成有导电层以及公共电极的所述承载基底上形成源漏电极层、钝化层和钝化层过孔、像素电极，所述导电层、源漏电极层、以及钝化层过孔位置相互对应且由下至上依次排列。在所述步骤22中，所述导电层与所述公共电极通过一次构图工艺形成并位于同一层。并且，在所述步骤22和步骤23之间，所述方法还包括：对所述导电层进行退火处理。基于上述阵列基板的技术方案，本专利技术的第四方面还提供一种显示器件，包括上述任一项技术方案所述的阵列基板。本专利技术提供的阵列基板及其制备方法、显示器件中，在源漏电极层下方增设导电层之后，源漏电极层与所述导电层形成电连接。这样，在进行钝化层过孔的刻蚀时，即使由于过刻蚀而将源漏电极层刻穿，仍然存在所述导电层可以通过钝化层过孔与后续工序中形成的结构进行大面积的连接，从而消除钝化层过孔过刻蚀的隐患，避免由于钝化层过孔过刻蚀而导致的钝化层过孔上下层结构连接不良。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1a为现有技术中钝化层过孔周围的平面结构示意图；图1b为图1a的AA线剖视图；图2a为现有技术中理想状态下的钝化层过孔示意图；图2b为现有技术中将源漏电极层刻掉一部分的钝化层过孔示意图；图2c为现有技术中将源漏电极层刻穿的钝化层过孔示意图；图3为本专利技术实施例中钝化层过孔周围结构的剖视图；图4a为本专利技术实施例中理想状态下的钝化层过孔示意图；图4b为本专利技术实施例中将源漏电极层刻穿的钝化层过孔示意图；图5为本专利技术实施例一种阵列基板制备方法的示意图；图6为本专利技术实施例另一种阵列基板制备方法的示意图。附图标记：20-钝化层过孔 21-栅绝缘层22-源漏电极层 23-钝化层30-钝化层过孔 31-栅绝缘层32-源漏电极层 33-钝化层34-导电层具体实施方式为便于理解，下面结合说明书附图，对本专利技术实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示器件进行详细描述。本专利技术实施例提供的阵列基板包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连
接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接。请参阅图3，本实施例提供的阵列基板的特征在于，在所述源漏电极所在的源漏电极层32的下方设有导电层34、上方设有钝化层过孔30，所述导电层34、源漏电极层32、以及钝化层过孔30位置相互对应且由下至上依次排列。其中，钝化层过孔30位于钝化层33中，漏极位于源漏电极层32中，源漏电极层32的下方为导电层34，导电层34的下方为栅绝缘层31。本实施例中，在源漏电极层32下方增设导电层34之后，源漏电极层32与所述导电层34形成电连接。这样，在进行钝化层过孔30的刻蚀时，即使由于过刻蚀而将源漏电极层32刻穿，仍然存在所述导电层34可以通过钝化层过孔30与后续工序中形成的结构进行大面积的连接，从而消除钝化层过孔过刻蚀的隐患，避免由于钝化层过孔过刻蚀而导致的钝化层过孔30上下层结构连接不良。如图4a所示，在理想状态下，钝化层过孔30的位置仅到源漏电极层32处。但本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述源漏电极所在的源漏电极层下方设有导电层、上方设有钝化层过孔，所述导电层、源漏电极层、以及钝化层过孔位置相互对应且由下至上依次排列。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括承载基底，在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述源漏电极所在的源漏电极层下方设有导电层、上方设有钝化层过孔，所述导电层、源漏电极层、以及钝化层过孔位置相互对应且由下至上依次排列。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述源漏电极层下方还设有像素电极，所述导电层与所述像素电极相互分隔地位于同一层且通过一次构图工艺形成；或所述源漏电极层下方还设有公共电极，所述导电层与所述公共电极相互分隔地位于同一层且通过一次构图工艺形成。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层为经过退火处理的导电层。4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：步骤11、在承载基底上形成栅线和栅极、栅绝缘层和有源层；步骤12、在形成有栅线和栅极、栅绝缘层和有源层的所述承载基底上形成相互分隔的导电层以及像素电极；步骤13、在形成有导电层以及像素电极的所述承载基底上形成源漏电极层、钝化层和钝化层过孔、公共电极，所述导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘保力，陈皓，谢海征，林雨，朱孝会，关跃征，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11