一种TFT基板以及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种TFT基板以及液晶显示器，该TFT基板包括基板以及层叠设置于基板上且彼此绝缘间隔的第一公共电极和像素电极，其中像素电极的与第一公共电极重叠的位置设置有形状与第一公共电极对应的镂空结构，通过设置像素电极和第一公共电极部分重叠，且在像素电极上和第一公共电极的重叠部分为镂空结构，增强电场对液晶的控制力，减少像素中暗线的宽度，提升液晶效率，增加穿透率，不需要增加过孔，避免短路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种TFT基板以及液晶显示面板。
技术介绍
液晶显示器以其高显示品质、价格低廉、携带方便等优点，成为在移动通讯设备、PC、TV等的显示终端。目前普遍采用的液晶显示器，通常有上下衬底和中间液晶层组成，衬底有玻璃和电极等组成。如果上下衬底都有电极，可以形成纵向电场模式的显示器，如TN(TwistNematic)模式，VA(Vertical Alignment)模式，以及为了解决视角过窄开发的MVA(Multidomain Vertical Alignment)。另外一类与上述显示器不同，电极只位于衬底的一侧，形成横向电场模式的显示器，如IPS(In-plane switching)模式、FFS(Fringe Field Switching)模式等。VA模式薄膜晶体管显示器，以其高开口、高分辨率、广视角等特点为液晶电视等大尺寸面板采用，但在小尺寸高分辨率面板中，使用传统方法设计的像素液晶效率低，VA模式没有被普遍采用。图1为已有VA模式显示器的像素结构，图2为图1的A-A剖视图，其主要工作原理如图1和图2所示：上基板为公用电极基板，下基板为分布有像素电极的基板，在ITO基板上制作出像素电极图形，利用上下基板间不一致的电极图形在像素边缘处产生弯曲的边缘电场，通过边缘电场控制盒内液晶分子的取向，达到显示的目的。与传统的MVA相比，该技术略去制造昂贵的凸起结构,并且有很高的对比度与视角对称性。该像素结构存在的问题：像素电极以及像素电极中间存在的十字交叉状的ITO公共电极是由同一层的ITO层图案化形成。受限于制程，像素电极与公共电极之间以
及公共电极本身都要维持一定的宽度，该宽度的存在使像素产生暗线，降低液晶效率和穿透率；同一像素的同一层别ITO存在像素电极和公共电极，两个电极容易短路，造成显示不良；在该像素外部需要增加过孔，使公共电极和外部的公共电极导线相连。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种TFT基板以及液晶显示器，能够增强电场对液晶的控制力，减少像素中暗线的宽度，提升液晶效率，增加穿透率，不需要增加过孔，避免短路。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种TFT基板，该TFT基板包括基板以及层叠设置于基板上且彼此绝缘间隔的第一公共电极和像素电极，其中像素电极的与第一公共电极重叠的位置设置有形状与第一公共电极对应的镂空结构。其中，第一公共电极包括交叉设置的第一电极分支和第二电极分支，且第一电极分支和第二电极分支相互交叉的夹角在0度到180度之间。其中，第一电极分支和第二电极分支相互交叉的夹角呈90度。其中，镂空结构的宽度小于或者等于第一公共电极的宽度。其中，第一公共电极和像素电极用于提供垂直配向所需的边缘电场。其中，TFT基板进一步包括设置于基板上的彼此交叉且绝缘间隔的扫描线和数据线，其中第一公共电极与扫描线和数据线中的一个同层设置。其中，第一公共电极与所述扫描线和数据线中的一个由同一金属层通过同道构图工艺形成。其中，TFT基板进一步包括形成于扫描线和数据线的交叉位置的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极、漏极
以及层间绝缘层，栅极与扫描线电连接，栅极绝缘层设置于薄膜晶体管的栅极上方，半导体层设置于栅极绝缘层上方，数据线以及源极和漏极间隔设置于半导体层的两侧且分别与半导体层电连接，源极与数据线电连接，层间绝缘层设置于数据线以及源极和漏极上方且设置有过孔，像素电极设置于层间绝缘层上且通过过孔与漏极电连接。为了解决上述问题，本专利技术还提供了一种液晶显示面板，包括上述任意一项所述的TFT基板。其中，液晶显示面板进一步包括与TFT基板间隔设置的CF基板，CF基板上设置有第二公共电极。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术一种TFT基板以及液晶显示器，通过设置像素电极和第一公共电极部分重叠，且在像素电极的与第一公共电极重叠的位置设置有形状与第一公共电极对应的镂空结构，增强电场对液晶的控制力，减少像素中暗线的宽度，提升液晶效率，增加穿透率，不需要增加过孔，避免短路。附图说明图1是已有VA模式显示器的像素结构；图2为图1的A-A剖视图；图3是本专利技术TFT基板第一实施例的结构示意图；图4是是图3的B-B剖视图；图5是第一公共电极形成工艺图；图6是本专利技术一种液晶显示面板第一实施例的结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的实施例及其附图进行详细描述。液晶显示面板包括相对间隔设置的彩膜基板(Color Filter Substrate，简称CF基板，又称彩色滤光片基板)和阵列基板(Thin Film TransistorSubstrate，简称TFT基板，又称薄膜晶体管基板或Array基板)以及填充于两基板之间的液晶(液晶分子)，液晶位于阵列基板和彩膜基板叠加形
成的液晶盒内。其中，TFT阵列基板通常包括玻璃基板、公共电极、栅极、栅绝缘层、半导体层、有源半导体层、源电极、漏电极、钝化层及像素电极。参照图3，图3是本专利技术TFT基板1第一实施例的结构示意图，参照图4，是图3的B-B剖视图，在该实施例中，TFT基板1包括：基板11以及层叠设置于基板11上且彼此绝缘间隔的第一公共电极12和像素电极13，其中像素电极13与第一公共电极12重叠的位置设置有形状与第一公共电极12对应的镂空结构。基板11上设置于有彼此交叉且绝缘间隔的扫描线14和数据线15，其中第一公共电极12与扫描线14(图4中未绘出)和数据线15中的一个同层设置，可选的，第一公共电极12和扫描线14设置于同一层上。参照图5，是第一公共电极12形成工艺图，其中，第一公共电极12与扫描线14和数据线15中的一个由同一金属层通过同道构图工艺形成，可选的，第一公共电极12与扫描线14由同一金属层通过同道构图工艺形成。TFT基板1在扫描线14和数据线15的交叉位置设置有薄膜晶体管16，薄膜晶体管16包括栅极161、栅极绝缘层162(图3中未示出)、半导体层163(图3中未示出)、源极164、漏极165以及层间绝缘层166(图3中未示出)，栅极161与扫描线14电连接，栅极绝缘层162设置于薄膜晶体管的栅极161上方，半导体层163设置于栅极绝缘层162上方，数据线15以及源极164和漏极165间隔设置于半导体层163的两侧且分别与半导体层163电连接，源极164与数据线15电连接，层间绝缘层166设置于数据线15以及源极164和漏极165上方且设置有过孔167，像素电极设置于层间绝缘层166上且通过过孔167与漏极165电连接。该实施例中，像素电极11和第一公共电极12并不设置在同一层面上，在像素电极11镂空结构下方，使用第一层金属形成第一公共电极12，第一公共电极12与上层的像素电极11镂空结构形成边缘场，增强
了电场对液晶的控制力，减小像素中暗线的宽度，提升液晶效率，增加了穿透率。另外，由于该像素去掉了原像素中间的十字交叉状ITO公共电极，不需要增加过孔连接十字交叉状ITO公共电极和外部公共电极引线，解决了公共电极连接到外部的公共电极导线问题。在本专利技术TFT基板第一实施例一可选的应用情景中，第一公共电极12包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括基板以及层叠设置于所述基板上且彼此绝缘间隔的第一公共电极和像素电极，其中所述像素电极的与所述第一公共电极重叠的位置设置有形状与所述第一公共电极对应的镂空结构。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括基板以及层叠设置于所述基板上且彼此绝缘间隔的第一公共电极和像素电极，其中所述像素电极的与所述第一公共电极重叠的位置设置有形状与所述第一公共电极对应的镂空结构。2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一公共电极包括交叉设置的第一电极分支和第二电极分支，且所述第一电极分支和第二电极分支相互交叉的夹角在0度到180度之间。3.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一电极分支和第二电极分支相互交叉的夹角呈90度。4.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述镂空结构的宽度小于或者等于所述第一公共电极的宽度。5.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一公共电极和所述像素电极用于提供垂直配向所需的边缘电场。6.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板进一步包括设置于所述基板上的彼此交叉且绝缘间隔的扫描线和数据线，其中所述第一公共电极与所述扫描线和所述数据线中的一个同层设置。7.根据权利要求6所述的T...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝思坤，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44