TFT基板结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT基板结构及其制作方法，通过在非晶硅层上形成金属氧化物半导体层代替N型重掺杂层，非晶硅层与金属层间的势垒较小，可形成欧姆接触，提高电流效率，无需再掺杂其它离子形成N型重掺杂层，并且由于金属氧化物半导体层中有很多抓空穴的缺陷，在TFT工作过程中即使栅极施加很大负压，形成空穴导电通道，空穴也很难由源/漏极通过金属氧化物半导体层及半导体层到达导电通道，改善了传统TFT基板结构的空穴导电区的漏电问题，同时改善了空穴电流翘曲严重，信赖性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板结构及其制作方法。
技术介绍
非晶硅(A-Si)是目前半导体行业应用最广泛的半导体层材料，A-Si材料与金属接触时因为有较大的势能差，难以形成欧姆接触，实际应用中，为了获得金属和半导体之间的欧姆接触，一般对半导体表面进行重掺杂P元素，降低金属和半导体的接触阻抗，提高电流效率。图1所示为一种现有TFT基板结构的剖面示意图。该TFT基板结构包括基板100、设于所述基板100上的栅极200、设于所述基板100上覆盖所述栅极200的栅极绝缘层300、对应所述栅极200上方设于所述栅极绝缘层300上的非晶硅层400、及设于所述栅极绝缘层300上的源极500与漏极600。所述非晶硅层400的中部向下凹陷，对应所述栅极200的上方形成有沟道区450 ;所述非晶硅层400表面对应所述沟道区450的两侧分别经过离子掺杂，形成有第一、第二 N型重掺杂区410、420。所述源极500与漏极600分别与所述第一、第二 N型重掺杂区410、420的表面相接触。图2为具有图1的TFT基板结构的A-Si器件的漏电流的曲线图，从图2中可以看出，图1的TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述基板(1)上覆盖所述栅极(2)的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上对应所述栅极(2)上方的岛状有源层(4)、及设于所述栅极绝缘层(3)与岛状有源层(4)上的第二金属层(5)；所述第二金属层(5)包括一第一条形通道(51)、及分别设于所述第一条形通道(51)两侧的源极(52)与漏极(53)；所述岛状有源层(4)包括非晶硅层(41)及设于所述非晶硅层(41)上的金属氧化物半导体层(42)；所述金属氧化物半导体层(42)包括一对应于所述第一条形通道(51)的第二条形通道(421)、及分别设于所述第二条...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晓文，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44