TFT基板的制作方法及TFT基板结构技术

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板结构。本发明专利技术的TFT基板的制作方法，在制作非晶硅层的过程中，采用多步成膜的方式，并在每步成膜后使用硼氢化合物气体通过CVD表面处理对非晶硅薄膜进行硼离子注入，最终得到硼离子掺杂的非晶硅层，形成沟道区后无需单独对沟道区进行掺杂，有效简化了制程，降低了生产成本。本发明专利技术的TFT基板结构，沟道区在非晶硅成膜时即完成硼离子注入，无需单独进行沟道掺杂制程，制作简单，生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板结构。
技术介绍
在显示
，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting D1de, OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器。通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩色滤光片基板(Color Filter,CF)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。薄膜晶体管阵列基板即TFT基板是液晶显示器中的重要组成部分。在TFT基板中，为了调整器件的阈值电压，需要进行沟道掺杂。通常在栅极氧化膜形成之后，在沟道区域通过离子植入技术把少量的施主或受主杂质离子注入进去，从而完成沟道掺杂。而离子植入制程中，以离子注入机实现离子植入最为常见，如沟道区、N型重掺杂区、N型轻掺杂区以及P型掺杂区等一般均采用离子注入机植入离子，并且在进行每一道离子植入制程时，均需要使用一道光罩完成，而离子植入制程对光罩的精度要求严苛，同时存在机台调试困难，耗时长等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可省去沟道掺杂制程，简化制程，降低生产成本。本专利技术的目的还在于提供一种TFT基板结构，沟道区在非晶硅成膜时即完成硼离子注入，无需单独进行沟道掺杂制程。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤:步骤1、提供基板，在所述基板上沉积缓冲层；步骤2、在所述缓冲层上沉积一非晶硅薄膜，并在所述非晶硅薄膜表面通入硼氢化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶硅薄膜进行表面处理，使得所述非晶硅薄膜的表面掺杂硼离子；步骤3、重复步骤2的操作数次，得到数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜，所述数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜叠加构成非晶硅层；步骤4、对所述非晶硅层进行退火处理，去除非晶硅层中掺杂的氢离子，同时使得掺杂到每层非晶硅薄膜表面的硼离子均匀扩散到整个非晶硅层中，实现对整个非晶硅层的硼离子掺杂；步骤5、使用两道光罩对所述硼离子掺杂后的非晶硅层进行两次离子注入，得到位于所述非晶硅层两侧的两个N型重掺杂区、位于所述非晶硅层中部的硼离子掺杂沟道区、及位于所述两个N型重掺杂区与硼离子掺杂沟道区之间的两个N型轻掺杂区；步骤6、在所述非晶硅层上依次形成栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、及源、漏极。所述基板为玻璃基板或塑料基板。所述缓冲层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。采用硅烷和氢气通过化学气相沉积法沉积所述非晶硅薄膜。所述硼氢化合物气体为乙硼烷。所述步骤3中重复步骤2操作的次数大于或等于一次。所述步骤5采用炉管、准分子激光退火设备、或化学气相沉积加热室对所述非晶硅层进行退火处理。所述层间绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。本专利技术还提供一种TFT基板结构，包括基板、设于所述基板上的缓冲层、设于所述缓冲层上的非晶硅层、设于所述非晶硅层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、设于所述栅极绝缘层上覆盖所述栅极的层间绝缘层、及设于所述层间绝缘层上的源极与漏极；所述非晶硅层包括位于非晶硅层的两侧对应所述源极与漏极下方的两个N型重掺杂区、位于非晶硅层的中部对应所述栅极下方的硼离子掺杂沟道区、及位于所述两个N型重掺杂区与硼离子掺杂沟道区之间的两个N型轻掺杂区；所述栅极绝缘层与层间绝缘层上对应所述两个N型重掺杂区的上方分别设有过孔，所述源极与漏极经由所述过孔与所述N型重掺杂区相接触。所述缓冲层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层；所述层间绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。本专利技术的有益效果:本专利技术提供的TFT基板的制作方法，在制作非晶硅层的过程中，采用多步成膜的方式，并在每步成膜后使用硼氢化合物气体对非晶硅薄膜进行硼离子注入，最终得到硼离子掺杂的非晶硅层，形成沟道后无需单独对沟道进行掺杂，有效简化了制程，降低了生产成本。本专利技术的TFT基板结构，沟道区在非晶硅成膜时即完成硼离子注入，无需单独进行沟道掺杂制程，制作简单，生产成本低。【附图说明】为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的TFT基板的制作方法的流程图；图2为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤I的示意图；图3-图4为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤2的示意图； 图5-图6为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤3的示意图；图7为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤4的示意图；图8为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤5的示意图；图9为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤6的示意图暨本专利技术TFT基板结构的剖面示意图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术首先提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤:步骤1、如图2所示，提供基板I，在所述基板I上沉积缓冲层2。具体的，所述基板I可以是玻璃基板或塑料基板。具体的，所述缓冲层2可以是氧化硅(S1x)层、氮化硅(SiNx)层、或氧化硅层与氮化硅层的复合层。在该实施例中，所述缓冲层2为氧化硅层与氮化硅层的复合层。步骤2、如图3所示，在所述缓冲层2上沉积一非晶硅(a-Si)薄膜301，如图4所示，在所述非晶硅薄膜301表面通入硼氢化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶硅薄膜301进行表面处理，使得所述非晶硅薄膜301的表面掺杂硼离子。具体的，采用硅烷和氢气通过化学气相沉积(CVD)法沉积所述非晶硅薄膜301。具体的，所述硼氢化合物气体为乙硼烷(B2H6)或其他硼氢化合物。具体的，沉积所述非晶硅薄膜301的过程与采用硼氢化合物气体处理所述非晶硅薄膜301的过程可以在同一个腔室中连续进行，也可以分开在两个腔室中进行。步骤3、重复步骤2的操作数次，得到数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜301，所述数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜301叠加构成非晶硅层3。具体的，所述步骤3中重复步骤2操作的次数大于或等于一次。如图5-图6所示，本专利技术的实施例中，所述步骤3为重复所述步骤2的操作一次，SP，最终在缓冲层2上沉积了两层非晶硅薄膜301，最终得到的非晶硅层3由两层表面掺杂硼离子的非晶硅薄当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积一非晶硅薄膜(301)，并在所述非晶硅薄膜(301)表面通入硼氢化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶硅薄膜(301)进行表面处理，使得所述非晶硅薄膜(301)的表面掺杂硼离子；步骤3、重复步骤2的操作数次，得到数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜(301)，所述数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜(301)叠加构成非晶硅层(3)；步骤4、对所述非晶硅层(3)进行退火处理，去除非晶硅层(3)中掺杂的氢离子，同时使得掺杂到每层非晶硅薄膜(301)表面的硼离子均匀扩散到整个非晶硅层(3)中，实现对整个非晶硅层(3)的硼离子掺杂；步骤5、使用两道光罩对所述硼离子掺杂后的非晶硅层(3)进行两次离子注入，得到位于所述非晶硅层(3)两侧的两个N型重掺杂区(31)、位于所述非晶硅层(3)中部的硼离子掺杂沟道区(33)、及位于所述两个N型重掺杂区(31)与硼离子掺杂沟道区(33)之间的两个N型轻掺杂区(32)；步骤6、在所述非晶硅层(3)上依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(6)、层间绝缘层(7)、及源、漏极(81、82)。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张良芬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44