TFT基板结构制造技术

本发明专利技术提供一种TFT基板结构，包括一开关TFT与一驱动TFT，所述开关TFT具有第一有源层，所述驱动TFT具有第二有源层，所述第一与第二有源层采用相同或不同的材料制备，所述开关TFT与驱动TFT的电性能不同。本发明专利技术根据不同TFT所实现功能的不同，将开关TFT与驱动TFT采用不同的工作结构分别进行沉积和光刻，并对开关TFT与驱动TFT的有源层采用不同的材料，实现TFT基板中不同TFT的电性能差异化，从而以最低的成本实现OLED的精确控制。

【技术实现步骤摘要】
TFT基板结构
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板结构。
技术介绍
有源阵列有机发光二极管(AMOLED)被称为下一代显示技术，是因为AMOLED相对于传统TFT-LCD面板，具有反应速度快，视角广，对比度高等优点。由于OLED的驱动需要背板TFT具有较高的迁移率，目前较为成熟的非晶硅(a-Si)迁移率仅能达到0.5～0.8cm2/Vs，不能满足OLED的正常驱动。迁移率较高的低温多晶硅(LTPS)和金属氧化物半导体(如IGZO)作为有源层的薄膜晶体管(TFT)得以成为研究热点。AMOLED中OLED由背板中的薄膜晶体管(TFT)来驱动，在背板TFT中，又可以分为开关薄膜晶体管(SwitchingTFT)和驱动薄膜晶体管(DrivingTFT)。其中开关薄膜晶体管(SwitchingTFT)仅仅实现开关的功能，所以可以采用价格低廉制程稳定的TFT，而驱动薄膜晶体管(DrivingTFT)需要足够的迁移率才能实现OLED的驱动，因此可以采用迁移率较大的TFT。按照目前传统OLED背板的制程，开关薄膜晶体管(SwitchingTFT)和驱动薄膜晶体管(DrivingTFT)采用相同的结构和制程顺序，决定了有源层仅仅采用一种材料(金属氧化物半导体或LTPS)，不易实现功能不同的两种TFT的差异化。另一方面，一个像素中的驱动薄膜晶体管(DrivingTFT)和驱动薄膜晶体管(DrivingTFT)以及电容相互独立，不利于开口率的增加。常见驱动OLED的2T1C(2个TFT和一个存储电容)结构如图1所示：其中两个TFT101、102均为蚀刻阻挡型(ESL)结构，有源层201、202采用一种材料(金属氧化物半导体或LTPS)，做到钝化层600一共需要5道光罩。同时，经过相同的制程后，TFT101、102具有相同的电性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板结构，根据不同TFT所实现功能的不同，将开关TFT与驱动TFT采用不同的工作结构分别进行沉积和光刻，并对开关TFT与驱动TFT的有源层采用不同的材料，实现TFT基板中不同TFT的电性能差异化，从而以最低的成本实现OLED的精确控制。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT基板结构，包括一开关TFT与一驱动TFT，所述开关TFT具有第一有源层，所述驱动TFT具有第二有源层，所述第一与第二有源层采用相同或不同的材料制备，所述开关TFT与驱动TFT的电性能不同。所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一有源层、形成于基板及第一有源层上的第一金属层、形成于第一有源层及第一金属层上并覆盖基板的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上的第二有源层、形成于第一绝缘层上的第二金属层、形成于第二有源层及第一绝缘层上的第三金属层、形成于第二有源层及第二金属层上并覆盖第一绝缘层的钝化层、及形成于钝化层上并与第三金属层相接触的像素电极层。所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一金属层、形成于第一金属层上并覆盖基板与第一金属层的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上的第一有源层、形成于第一有源层及第一绝缘层上的第二金属层、形成于第二金属层及第一有源层上并覆盖第一绝缘层的第二绝缘层、形成于第二绝缘层上的第二有源层、形成于第二有源层及第二绝缘层上的第三金属层、形成于第二有源层及第三金属层上并覆盖第二绝缘层的钝化层、及形成于钝化层上并与第三金属层相接触的像素电极层。所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一金属层、形成于第一金属层上并覆盖基板及第一金属层的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上的第二金属层、形成第二金属层上并与第一绝缘层相接触的第一有源层、形成于第一有源层及第二金属层上并覆盖第一绝缘层的第二绝缘层、形成于第二绝缘层上的第二有源层、形成于第二有源层及第二绝缘层上的第三金属层、形成于第二有源层与第三金属层上并覆盖第二绝缘层的钝化层、及形成于钝化层上并与第三金属层相接触的像素电极层。所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一金属层、形成于第一金属层上并覆盖基板与第一金属层的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上的第一有源层、形成于第一有源层上的蚀刻阻挡层、形成于第一绝缘层及蚀刻阻挡层上并覆盖第一有源层的第二金属层、形成于第二金属层上并覆盖第一绝缘层的第二绝缘层、形成于第二绝缘层上的第二有源层、形成于第二绝缘层上并覆盖第二有源层两端的第三金属层、形成于第三金属层与第二有源层上并覆盖第二绝缘层的钝化层、及形成于钝化层上并与第三金属层相接触的像素电极层。所述第一有源层与第二有源层的材料分别为非晶硅与金属氧化物半导体、或低温多晶硅与非晶硅、或低温多晶硅与金属氧化物半导体、或均为金属氧化物半导体。所述TFT基板包括基板、形成于基板上的第一金属层、形成于第一金属层上并覆盖基板与第一金属层的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上的第一有源层、形成于第一有源层两端及第一绝缘层上的第二金属层、形成于第一有源层及第二金属层上并覆盖第一绝缘层的第二绝缘层、形成于第二绝缘层上的第三金属层、形成于第三金属层上并与第二绝缘层相接触的第二有源层、形成于第三金属层及第二有源层上并覆盖第二绝缘层的钝化层、及形成于钝化层上并与第三金属层相接触的像素电极层；所述第一有源层与第二有源层位于基板的同一侧。所述第一有源层与第二有源层的材料分别为非晶硅与金属氧化物半导体、或均为金属氧化物半导体。本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种TFT基板结构，根据不同TFT所实现功能的不同，将开关TFT与驱动TFT采用不同的工作结构分别进行沉积和光刻，并对开关TFT与驱动TFT的有源层采用不同的材料，实现TFT基板中不同TFT的电性能差异化，从而以最低的成本实现OLED的精确控制，制程简便，生产成本低，并将不同功能的TFT进行叠加沉积，增加了开口率。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其他有益效果显而易见。附图中，图1为一种现有TFT基板的结构示意图；图2为本专利技术TFT基板结构第一实施例的结构示意图；图3为本专利技术TFT基板结构第二实施例的结构示意图；图4为本专利技术TFT基板结构第三实施例的结构示意图；图5为本专利技术TFT基板结构第四实施例的结构示意图；图6为本专利技术TFT基板结构第五实施例的结构示意图；图7为本专利技术TFT基板结构不同金属氧化物半导体TFT的电性曲线图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。本专利技术提供的TFT基板结构，包括一开关TFT与一驱动TFT，所述开关TFT具有第一有源层，所述驱动TFT具有第二有源层，所述第一与第二有源层采用相同或不同的材料制备，所述开关TFT与驱动TFT的电性能不同。请参阅图2，本专利技术TFT基板结构的第一实施例为顶栅型(TopGate)结构与背沟道蚀刻型(BCE)结构相结合的形式。具体地，包括基板1、形成于基板1上的第一有源层21、形成于基板1及第一有源层21上的第一金属层31、形成于第一有源层21及第一金属层31上并覆盖基板1的第一绝缘层41、形成于第一绝缘层41上的第二有源层22、形成于第一绝缘层41上的第二金属层32，形成于第二有源层22及第一绝缘层41上的第三金属层33、形成于第二有源层22及第二金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板结构，其特征在于，包括一开关TFT与一驱动TFT，所述开关TFT具有第一有源层，所述驱动TFT具有第二有源层，所述第一与第二有源层采用相同或不同的材料制备，所述开关TFT与驱动TFT的电性能不同。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板结构，其特征在于，包括一开关TFT与一驱动TFT，所述开关TFT具有第一有源层，所述驱动TFT具有第二有源层，所述第一与第二有源层采用相同或不同的材料制备，所述开关TFT与驱动TFT的电性能不同；所述TFT基板包括基板(1)、形成于基板(1)上的第一有源层(21)、形成于基板(1)及第一有源层(21)上的第一金属层(31)、形成于第一有源层(21)及第一金属层(31)上并覆盖基板(1)的第一绝缘层(41)、形成于第一绝缘层(41)上的第二有源层(22)、形成于第一绝缘层(41)上的第二金属层(32)、形成于第二有源层(22)及第一绝缘层(41)上的第三金属层(33)、形成于第二有源层(22)及第二金属层(32)上并覆盖第一绝缘层(41)的钝化层(6)、及形成于钝化层(6)上并与第三金属层(33)相接触的像素电极层(7)。2.如权利要求1所述的TFT基板结构，其特征在于，所述第一有源层与第二有源层的材料分别为非晶硅与金属氧化物半导体、或低温多晶硅与非晶硅、或低温多晶硅与金属氧化物半导体、或均为金属氧化物半导体。3.一种TFT基板结构，其特征在于，包括一开关TFT与一驱动TFT，所述开关TFT具有第一有源层，所述驱动TFT具有第二有源层，所述第一与第二有源层采用相同或不同的材料制备，所述开关TFT与驱动TFT的电性能不同；所述TFT基板包括基板(1)、形成于基板(1)上的第一金属层(31)、形成于第一金属层(31)上并覆盖基板(1)与第一金属层(31)的第一绝缘层(41)、形成于第一绝缘层(41)上的第一有源层(21)、形成于第一有源层(21)及第一绝缘层(41)上的第二金属层(32)、形成于第二金属层(32)及第一有源层(21)上并覆盖第一绝缘层(41)的第二绝缘层(42)、形成于第二绝缘层(42)上的第二有源层(22)、形成于第二有源层(22)及第二绝缘层(42)上的第三金属层(33)、形成于第二有源层(22)及第三金属层(33)上并覆盖第二绝缘层(42)的钝化层(6)、及形成于钝化层(6)上并与第三金属层(33)相接触的像素电极层(7)。4.如权利要求3所述的TFT基板结构，其特征在于，所述第一有源层与第二有源层的材料分别为非晶硅与金属氧化物半导体、或低温多晶硅与非晶硅、或均为金属氧化物半导体。5.一种TFT基板结构，其特征在于，包括一开关TFT与一驱动TFT，所述开关TFT具有第一有源层，所述驱动TFT具有第二有源层，所述第一与第二有源层采用相同或不同的材料制备，所述开关TFT与驱动TFT的电性能不同；所述TFT基板包括基板(1)、形成于基板(1)上的第一金属层(31)、形成于第一金属层(31)上并覆盖基板(1)及第一金属层(31)的第一绝缘层(41)、形成于第一绝缘层(41)上的第二金属层(32)、形成第二金属层(32)上并与第一绝缘层(41)相接触的第一有源层(21)、形成于第一有源层(21)及第二金属层(32)上并覆盖第一绝缘层(41)的第二绝缘层(42)、形成于第二绝缘层(42)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，曾志远，苏智昱，李文辉，石龙强，吕晓文，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44