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本发明提供一种TFT基板结构及其制作方法，通过在非晶硅层上形成金属氧化物半导体层代替N型重掺杂层，非晶硅层与金属层间的势垒较小，可形成欧姆接触，提高电流效率，无需再掺杂其它离子形成N型重掺杂层，并且由于金属氧化物半导体层中有很多抓空穴的缺陷...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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