液晶显示面板、TFT基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种TFT基板的制造方法，该方法包括：在衬底基板设置凹槽；在凹槽中填充金属材料以形成第一金属层，其中第一金属层作为TFT基板的栅极；在第一金属层和衬底基板上设置绝缘层；在绝缘层上依次设置半导体材料层和第二金属层，其中，第二金属层形成TFT基板的漏极和源极，半导体材料层间隔设置于漏极和栅极之间。本发明专利技术还公开一种液晶显示面板和TFT基板。通过上述方式，本发明专利技术能够降低TFT基板的厚度，有利于实现超薄化液晶显示面板，且能够提升液晶显示面板的显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶
，特别是涉及一种液晶显示面板、TFT基板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示面板是目前使用最广泛的一种平板显示面板，其已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕所广泛应用且具有高分辨率彩色屏幕的显示面板。随着液晶显示面板技术的发展进步，人们对液晶显示面板的显示品质、外观设计、低成本和高穿透率等提出了更高的要求。而低功耗及超薄的液晶显示面板也成为显示
的潮流。如图1所示，目前显示领域中的液晶显示面板的TFT基板(薄膜晶体管阵列基板)包括衬底基板11、设置在衬底基板11上的第一金属层12、设置在第一金属层12上的绝缘层13、设置在绝缘层13上的半导体材料层14以及设置在半导体材料层14上的第二金属层15。由于第一金属层12设置在衬底基板11上以及绝缘层13设置在第一金属层12上，使得TFT基板的厚度相对较高，不利于实现超薄化液晶显示面板;且第一金属层12边角区域的绝缘层13的膜质较差，易于被驱动电压击穿，也会影响液晶显示面板的显示品质。综上所述，有必要提供一种液晶显示面板、TFT基板及其制造方法以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板、TFT基板及其制造方法，能够实现超薄化液晶显示面板，提升液晶显示面板的显示品质。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种TFT基板的制造方法，该方法包括:在衬底基板设置凹槽;在凹槽中填充金属材料以形成第一金属层，其中第一金属层作为TFT基板的栅极;在第一金属层和衬底基板上设置绝缘层;在绝缘层上依次设置半导体材料层和第二金属层，其中，第二金属层形成TFT基板的漏极和源极，半导体材料层设置于漏极和栅极之间。其中，第一金属层的厚度小于或等于凹槽的深度。其中，第一金属层的厚度与凹槽的深度的差值范围为0_20nm。其中，在衬底基板设置凹槽的步骤包括:在衬底基板上涂抹光刻胶;利用干刻工艺或湿刻工艺刻蚀衬底基板中未涂抹光刻胶的区域，以形成凹槽。其中，在凹槽中填充金属材料以形成第一金属层的步骤包括:通过磁控溅射工艺或者热蒸镀工艺在凹槽上沉积金属材料;将衬底基板浸泡在去胶液中，以通过去胶液去除涂抹在衬底基板上的光刻胶，从而在凹槽中形成第一金属层。其中，在凹槽中填充金属材料以形成第一金属层的步骤包括:将衬底基板浸泡在去胶液中，以通过去胶液去除涂抹在衬底基板上的光刻胶;通过喷墨打印工艺在凹槽中滴入金属导电墨水，以在凹槽中形成第一金属层。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种TFT基板，其包括:衬底基板，设置有凹槽;设置在衬底基板上的第一金属层，其中，第一金属层设置在凹槽中，第一金属层为TFT基板的栅极;设置在第一金属层和衬底基板上的绝缘层;依次设置在绝缘层上的半导体材料层和第二金属层，其中，第二金属层形成TFT基板的漏极和源极，半导体材料层设置于漏极和栅极之间。其中，第一金属层的厚度小于或等于凹槽的深度。其中，第一金属层的厚度与凹槽的深度的差值范围为0_20nm。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是:提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括上述任一项的TFT基板。本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术的TFT基板的制造方法包括:在衬底基板设置凹槽;在凹槽中填充金属材料以形成第一金属层;在第一金属层和衬底基板上设置绝缘层;在绝缘层上依次设置半导体材料层和第二金属层。通过上述方式，本专利技术通过将第一金属层设置在衬底基板内，能够降低TFT基板的厚度，有利于实现超薄化液晶显示面板;同时，由于第一金属层设置在衬底基板内，第一金属层上方的边角区域的绝缘层的厚度保持一致，不容易被驱动电压击穿，有效提升液晶显示面板的显示品质。【附图说明】图1是现有技术TFT基板的结构不意图；图2是本专利技术TFT基板的第一实施例的结构示意图；图3是本专利技术TFT基板的第二实施例的结构示意图；图4是本专利技术TFT基板的制造方法的流程示意图；图5是图4中步骤SlOl所对应的实物结构图；图6是图4中步骤SlOl的子步骤流程示意图；图7是图4中步骤S102所对应的实物结构图；图8是图4中步骤S102的子步骤的第一实施例的流程示意图；图9是图4中步骤S102的子步骤的第二实施例的流程示意图；图10是图4中步骤103所对应的实物结构图；图11是步骤S104的子步骤的第一实施例的流程示意图；图12是图11中步骤S1041所对应的实物结构图；图13是图11中步骤S1042所对应的实物结构图；图14是图4中步骤S104的子步骤的第二实施例的流程示意图；图15是图14中步骤S2041所对应的实物结构图；图16是图14中步骤S2042所对应的实物结构图。【具体实施方式】下面结合附图和实施方式对本专利技术进行详细说明。本专利技术公开一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括间隔设置的CF基板(彩色滤光阵列基板)和TFT基板(薄膜晶体管阵列基板)。如图2所示，图2是本专利技术TFT基板的第一实施例的结构示意图。TFT基板包括衬底基板21、第一金属层22、绝缘层23、半导体材料层24和第二金属层25。其中，衬底基板21设置有凹槽211，第一金属层22设置在凹槽211中。第一金属层22为TFT基板的栅极。在本实施例中，第一金属层22的厚度小于或等于凹槽211的深度，优选地，第一金属层22的厚度与凹槽211的深度的差值范围为0-20nm(纳米)，即第一金属层22的厚度小于凹槽211的深度的范围为0-20nm。应理解，本专利技术并不限定第一金属层22的厚度小于凹槽111的深度的范围为0-20nm，在其他实施例中，可以根据实际需要特定设置第一金属层22的厚度与凹槽211的深度的具体数值。在应理解，本专利技术并不限定第一金属层22的厚度小于或等于凹槽的深度，在其他实施例中，第一金属层22的厚度可以大于凹槽211的深度，优选地，第一金属层22的厚度大于凹槽211的深度的范围为0-20nm，当然，可以根据实际需要特定设置第一金属层22的厚度与凹槽211的深度的具体数值。绝缘层23设置在第一金属层22和衬底基板21上。在本实施例中，绝缘层23的厚度范围为5_500nm。半导体材料层24设置在绝缘层13上。在本实施例中，半导体材料层24的厚度范围为10_200nm。第二金属层25设置在半导体材料层24上。其中，第二金属层25形成TFT基板的漏极和源极，半导体材料24设置于漏极和栅极之间。在本实施例中，第二金属层25的厚度范围为100_300nmo本实施例通过将第一金属层设置在衬底基板内，使得TFT基板的厚度降低，解决了传统凸起的第一金属层所带来的边角位置不易沉积绝缘层的问题，同时可以降低绝缘层的厚度而增大第一金属层与第二金属层之间电容，降低TFT基板的驱动电压，提升液晶显示面板的显不品质。如图3所示，图3是本专利技术TFT基板的第二实施例的结构示意图。图3中所示的TFT基板与图2中所示的TFT基板主要区别在于:第二金属层35设置在绝缘层33上，半导体材料层34设置在第二金属层35上，且第一金属层32的厚度大于凹槽311的深度。应理解，由于第一金属层32的厚度大于凹槽311的深度，因此在衬底基板31上会露出部分第一金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板设置凹槽；在所述凹槽中填充金属材料以形成第一金属层，其中所述第一金属层作为所述TFT基板的栅极；在所述第一金属层和所述衬底基板上设置绝缘层；在所述绝缘层上依次设置半导体材料层和第二金属层，其中，所述第二金属层形成所述TFT基板的漏极和源极，所述半导体材料层设置于所述漏极和所述栅极之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢应涛，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42