【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种利用牺牲层进行薄膜转移的工艺方法，其特征在于：它包括以下步骤： Ａ．在微桥阵列的衬底（１）上涂一层牺牲层（２），在其上制备微桥阵列（３）； Ｂ．将ＣＭＯＳ读出电路（５）和微桥阵列（３）倒转通过互连柱（４）进行互连； Ｃ．去除牺牲层（２），使微桥阵列（３）的衬底（１）自动脱离。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程正喜，马斌，翟厚明，施永明，张学敏，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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