【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
在由微机械ＳＯＩ晶片结构制成的微机械部件中获得狭窄间隙的方法，其中在该ＳＯＩ晶片结构中蚀刻出槽，槽的壁面被氧化，该方法的特征在于， ａ）在该晶片结构上生长出厚层的电极材料（１４），该层覆盖了所有其他的材料， ｂ）通过进行研磨使表面平坦， ｃ）通过化学机械抛光法抛光所述表面， ｄ）在该结构中蚀刻出细小的释放孔（７）， ｅ）形成结构图案（１，８，９），并且 ｆ）采用氢氟酸溶液进行蚀刻从而释放该结构（１，８，９）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J基哈马基，H卡特卢斯，
申请(专利权)人：芬兰技术研究中心，
类型：发明
国别省市：FI[芬兰]
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