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本发明公开了一种利用牺牲层进行薄膜转移的工艺方法。具体工艺方法是在微桥阵列的衬底上先涂一层牺牲层，在其上制备微桥阵列，然后将读出电路和微桥阵列倒转互连，最后去掉牺牲层，使微桥阵列的衬底自动脱离。该方法可以避免去除微桥阵列衬底过程中的芯片保护...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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