一种非致冷红外焦平面微桥结构的制备方法技术

技术编号:1323009 阅读:309 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种非致冷红外焦平面微桥结构的制备方法,属于非致冷红外探测技术领域,涉及MEMS器件结构和制备方法。本发明专利技术利用一次薄膜生长工艺完成桥墩、桥腿和桥面的支撑结构,大大降低了工艺难度和复杂性,且桥墩、桥腿和桥面三位一体,使得整个微桥的机械支撑更为牢固,稳定性更高;同时,本发明专利技术利用一次薄膜生长工艺制作出的桥墩成空心状,使得微桥结构的电学通道制作过程变得更为简单,无需另外在桥墩中开孔,只需简单的光刻工艺即可保证上端电极和下端电极相连。与现有技术相比,利用本发明专利技术可制备机械性能更加牢固、稳定性更高且电学连通更加有保障的非制冷红外焦平面微桥结构;同时,本发明专利技术简化了制备工艺,降低了制作成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非致冷红外焦平面微桥结构的制备方法,包括以下步骤: 步骤1、在衬底(1)上制作与读出电路相连的微桥结构的下端电极(3); 步骤2、生长牺牲层(4),刻蚀露出下端电极(3); 步骤3、沉积微桥结构的支撑层(5),刻蚀漏出下端电极(3),并刻蚀制作桥腿和桥面;由于支撑层薄膜厚度远小于牺牲层薄膜的厚度,因此淀积支撑层后在牺牲层中刻蚀漏出下端电极(3)的通孔中将形成空心桥墩,且在牺牲层之上将形成一个平面,该平面经刻蚀后将形成连接桥墩与桥面的桥腿; 步骤4、制作与下端电极(3)相连的上端电极(6)后,然后依次沉积热敏薄膜(7)、钝化层(8),并去除牺牲层(4),形成完整的微桥结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王涛蒋亚东陈超袁凯
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:90[中国|成都]

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