用磁力掩膜制作红外焦平面封装窗口的方法技术

本发明专利技术提供了一种用磁力掩膜制作红外焦平面封装窗口的方法，其中的红外薄膜是通过将基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的红外薄膜掩膜片之间，用掩膜片将四周金属化区遮盖，留出中间红外薄膜区镀制而成；金属薄膜是通过将己镀制好红外薄膜的基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的金属薄膜掩膜片之间，将红外薄膜覆盖住，留出四周金属化区镀制而成。本发明专利技术的方法利用磁力将掩膜片与基片固定在一起，不涉及化学方法制备图形，因此能有效减小制备过程中的化学污染，增加薄膜与基片的附着力，并降低生产过程对环境的污染。掩膜片与磁铁均可重复利用，因此大大降低了掩膜图形的制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光学器件的制作方法，尤其涉及一种用磁力掩膜制作红外焦平面 封装窗口的方法。
技术介绍
红外焦平面探测技术的发展对器件封装与红外薄膜滤光片提出了更高的要求。新 一代封装技术将红外薄膜滤光片与红外窗口集成在一起，红外薄膜滤光片直接镀制在红外 窗口中央，窗口四周金属化，最后将红外窗口与红外焦平面阵列焊接成红外焦平面探测器。红外窗口制作过程中采用掩膜技术制作红外薄膜与焊接金属的图形。先在四周制 作红外薄膜掩膜，遮挡金属化区域，镀制红外薄膜后去除掩膜，留下中央的红外薄膜。然后 制作金属掩膜，遮挡住红外薄膜，再金属化，完成后去除掩膜。目前，掩膜技术中普遍采用光刻方法制备掩膜图形。该方法精度高，可以达到微米 量级。但是，该方法具有以下几个缺点1、成本高光刻机、版图以及光刻胶价格昂贵，增加生产成本，降低产品竞争力。2、工艺复杂光刻法需要涂胶、光刻、曝光、显影几个步骤才能获得所需图形，工艺 过程复杂。3、光刻胶性能差，超过120°C时即发生炭化，影响红外窗口的性能。4、红外焦平面封装窗口图形精度为亚毫米量级，不需要光刻方法所具有的精度。
技术实现思路
本专利技术的目的，就是为了解决上述问题，提供一种用磁力掩膜制作红外焦平面封 装窗口的方法。为了达到上述目的，本专利技术采用了以下技术方案一种用磁力掩膜制作红外焦平 面封装窗口的方法，是在一块矩形或圆形基片的中间部分镀制一层矩形或圆形红外薄膜作 为红外薄膜区，在四周镀制一层金属薄膜作为金属化区；其特点是，所述的红外薄膜是通过 将基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的红外薄膜掩膜片之间，用掩膜片将四周金属 化区遮盖，留出中间红外薄膜区镀制而成；所述的金属薄膜是通过将己镀制好红外薄膜的 基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的金属薄膜掩膜片之间，将红外薄膜覆盖住，留 出四周金属化区镀制而成。所述的红外薄膜掩膜片为环形片状结构件，其整体具有与基片适配的形状和大 小，中间通孔具有与基片的红外薄膜区适配的形状和大小。所述的金属薄膜掩膜片为片状结构件，具有与基片的红外薄膜区适配的形状和大 小并能覆盖全部红外薄膜。所述的红外薄膜掩膜片由硅钢片制成。所述的金属薄膜掩膜片由硅钢片制成，其用于与基片接触的一面涂覆有一层聚酰 亚胺胶。本专利技术由于采用了以上技术方案，使其与现有技术相比，具有以下的优点和和特点。1、本专利技术利用磁力将掩膜片与基片固定在一起，不涉及化学方法制备图形，因此 能有效减小制备过程中的化学污染，增加薄膜与基片的附着力，并降低生产过程对环境的 污染。2、本专利技术中使用的掩膜片与磁铁均可重复利用，因此大大降低了掩膜图形的制作 成本。3、由于本专利技术利用磁力将掩膜片与基片固定在一起，因此在拿走磁铁，也就是去 除磁力后，掩膜片自然与基片脱离，所以该方法非常简单，有利于大规模生产。具体实施例方式本专利技术，是在一块矩形或圆形基片的 中间部分镀制一层矩形或圆形红外薄膜作为红外薄膜区，在四周镀制一层金属薄膜作为金 属化区；其中的红外薄膜是通过将基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的红外薄膜掩 膜片之间，用掩膜片将四周金属化区遮盖，留出中间红外薄膜区镀制而成；金属薄膜是通过 将己镀制好红外薄膜的基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的金属薄膜掩膜片之间， 将红外薄膜覆盖住，留出四周金属化区镀制而成。镀制红外薄膜的具体步骤为A、根据基片的大小和需要制作的红外薄膜的大小用硅钢片制作一个红外薄膜掩 膜片，并准备一块大小合适的磁铁和一个限位夹具；B、清洁红外薄膜掩膜片、磁铁、基片以及限位夹具；C、依次将磁铁、基片、红外薄膜掩膜片装入限位夹具，利用磁力将磁铁、基片、红外 薄膜掩膜片固定成一个整体；D、移走限位夹具，将磁铁、基片、红外薄膜掩膜片放入镀膜夹具里，装入镀膜机，镀 制红外薄膜；E、镀制完成后，取出基片，拿掉磁铁，红外薄膜掩膜片自然脱离，完成红外薄膜的 制作。镀制金属薄膜的具体步骤为A、根据基片的红外薄膜区的大小用硅钢片制作一个略大于红外薄膜区的金属薄 膜掩膜片，并准备一块大小合适的磁铁和一个限位夹具；B、清洁金属薄膜掩膜片、磁铁、基片以及限位夹具；C、在金属薄膜掩膜片的一个表面刷涂一层聚酰亚胺胶，厚度为200 2000nm，并 在150度温度下固化1小时；D、依次将金属薄膜掩膜片、基片、磁铁装入限位夹具。让金属薄膜掩膜片的刷胶面 与基片接触，以有效保护已镀红外薄膜的表面。在限位夹具里，利用磁力将磁铁、基片、金属 薄膜掩膜片固定成一个整体；E、将磁铁、基片、金属薄膜掩膜片粘在胶板上，装入镀膜机，镀制金属薄膜；F、镀制完成后，取出基片，拿掉磁铁，掩膜片自然脱离，完成金属薄膜的制作。实施例1采用上述方法步骤，制备一片IOXSXlmm的红外焦平面封装窗口，基片材料为单 晶硅。所用红外薄膜掩膜片的内孔尺寸为8X6mm，外尺寸为10X8mm，基片边缘Imm为金属 化区域。金属薄膜掩膜片尺寸为8. 2X6. 2mm。实施例2采用上述方法步骤，制备一片9. 5X9. 5 X Imm的红外焦平面封装窗口，基片材料 为单晶硅。所用红外薄膜掩膜片的内孔尺寸为7. 8X7. 8mm，外尺寸为9. 5X9. 5mm，基片边 缘Imm为金属化区域。金属薄膜掩膜片尺寸为8. 0X8. Omm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用磁力掩膜制作红外焦平面封装窗口的方法，是在一块矩形或圆形基片的中间部分镀制一层矩形或圆形红外薄膜作为红外薄膜区，在四周镀制一层金属薄膜作为金属化区；其特征在于：所述的红外薄膜是通过将基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的红外薄膜掩膜片之间，用掩膜片将四周金属化区遮盖，留出中间红外薄膜区镀制而成；所述的金属薄膜是通过将己镀制好红外薄膜的基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的金属薄膜掩膜片之间，将红外薄膜覆盖住，留出四周金属化区镀制而成。

【技术特征摘要】
1.一种用磁力掩膜制作红外焦平面封装窗口的方法，是在一块矩形或圆形基片的中间 部分镀制一层矩形或圆形红外薄膜作为红外薄膜区，在四周镀制一层金属薄膜作为金属化 区；其特征在于所述的红外薄膜是通过将基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的红 外薄膜掩膜片之间，用掩膜片将四周金属化区遮盖，留出中间红外薄膜区镀制而成；所述的 金属薄膜是通过将己镀制好红外薄膜的基片夹在一块磁铁和一块用磁性材料制作的金属 薄膜掩膜片之间，将红外薄膜覆盖住，留出四周金属化区镀制而成。2.如权利要求1所述的用磁力掩膜制作红外焦平面封装窗口的方法，其特征在于所 述的红外...

【专利技术属性】
技术研发人员：周东平，赵培，
申请(专利权)人：上海欧菲尔光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]