一种硅基底中波红外增透膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基底上的中波红外增透膜，该增透膜使用了锗（Ge）作为高折射率镀膜材料、硫化锌（ZnS）和氟化镱（YbF3）作为低折射率镀膜材料，使用PVD方法进行光学薄膜镀制，并且采用离子源辅助沉积与特定的材料蒸发工艺条件，在基底的两个表面分别沉积5层非规整的膜层。该增透膜可以使得硅窗口在3~5μm波长区间内具有优良的透光效果，平均透过率＞98%。可以有效提高非制冷红外焦平面探测器的光学效率，提升红外热成像仪的成像质量。由于基底是硅片，可以在晶圆级光学封装窗口中应用。

A Medium Wave Infrared Antireflective Film on Silicon Substrate and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种硅基底中波红外增透膜及其制备方法
本专利技术涉及红外光学镀膜技术，具体指一种以单晶硅为基底的可提高3~5μm范围内红外光透过率的增透膜。
技术介绍
增透膜又称减反射膜，在光学元件中，由于元件表面的反射作用而使光能损失，为了减少元件表面的反射损耗，常在光学元件表面沉积透明介质薄膜，使得元件达到减反增透的效果。红外增透膜在民用和军事方面都有着重要的作用。在民用方面，主要是应用在红外探测器的光学镜头，可用于物体测温、医疗诊断、安防监控、电气故障检测、消防等各个领域。在军事上，主要应用波段是1~3μm，3~5μm，8~12μm，用于红外制导技术。红外探测器可以把光信号转换成电信号，进而通过运算，在红外热像仪显示器上生成热图像和温度值，红外探测器性能的好坏直接决定了热像仪的成像质量，因此红外探测器光学镜头中增透膜的光学性能是一项非常重要的技术指标。目前用于红外热成像的3~5μm增透膜透过率低，已经不适合市场的需要。硅具有优良的红外光学特性和物理特性，由于硅晶体在大气中对1.5~14μm波段红外光具有良好的透明性，且成本低，是红外热像仪理想的窗口材料。随着晶圆级封装技术成为近年来走向实用的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基底上的中波红外增透膜，其结构为：在基底的正面沉积正面膜系（1），在基底的反面沉积结构相同的背面膜系（3），其特征在于：a、所述的正面膜系（1）的膜系结构为：基底/ 0.096M  0.048H  0.331M  0.397L  0.045M/空气；b、所述的背面膜系（3）的膜系结构为：基底/ 0.096M  0.048H  0.331M  0.397L  0.045M/空气；其中，H表示一个λ0/4光学厚度的Ge膜层，M表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YbF3膜层，λ0为中心波长，H、M与L前的数字为膜层的厚度比例系数。

【技术特征摘要】
1.一种硅基底上的中波红外增透膜，其结构为：在基底的正面沉积正面膜系（1），在基底的反面沉积结构相同的背面膜系（3），其特征在于：a、所述的正面膜系（1）的膜系结构为：基底/0.096M0.048H0.331M0.397L0.045M/空气；b、所述的背面膜系（3）的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵中亮，
申请(专利权)人：上海欧菲尔光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31