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本发明公开了一种硅基底上的中波红外增透膜，该增透膜使用了锗（Ge）作为高折射率镀膜材料、硫化锌（ZnS）和氟化镱（YbF3）作为低折射率镀膜材料，使用PVD方法进行光学薄膜镀制，并且采用离子源辅助沉积与特定的材料蒸发工艺条件，在基底的两个表...
该专利属于上海欧菲尔光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海欧菲尔光电技术有限公司授权不得商用。

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