【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非致冷红外探测
,具体涉及一种去除温漂的红外非均勻性校 正方法。
技术介绍
红外焦平面阵列是20世纪70年代末80年代初,在国防应用以及其它战略与战术 应用的推动下发展起来的。它是获取景物红外热辐射信息的重要光电器件。除应用于传统 的军事成像外,还广泛应用于工业自控、医疗诊断、化学过程监测、红外天文学等领域。红外探测器是红外探测技术发展最活跃的领域,是红外热成像系统的重要组成部 分。目前比较成熟的光子型红外探测器已经广泛的应用到通信、医学、军事和工业等领域。红外焦平面阵列(IRFPA)属于第二代红外成像器件,是现代红外成像系统的核 心,相对于上代红外成像系统,它具有结构简单、工作稳定、噪声等效温差小、灵敏度高等优 点。但是由于受制作材料及制作工艺的限制,红外焦平面阵列各像元的响应特性无法做到 完全一致,存在非均勻性,严重影响了红外成像系统的探测灵敏度和空间分辨率。因此,工 程中使用的红外焦平面阵列都需要对非均勻性作出校正。红外系统在理想情况下,红外焦平面阵列受均勻辐射,输出幅度应完全一样。但实 际上,由于制作器件的半导体材料不均勻(杂质浓度、晶体缺陷、内部结构的不均勻性等)、 掩膜误差、缺陷、工艺条件等影响下,其输出幅度并不相同,这就是红外焦平面阵列响应的 非均勻性。红外非均勻性造成的原因有很多种,其中主要组成部分是热像探测元自身的非均 勻性,另外红外焦平面阵列外界输入也会造成对非均勻的影响。如探测器的偏置电压、偏置 电流的不同,也将造成输出的不均勻性,主要表现为固定加性噪声。目前,常用的红外非均勻性校正技术有很多种,如基于定标的一点 ...
【技术保护点】
一种去除温漂的红外非均匀性校正方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤101,开始;步骤102,读取低温图像,即是当黑体的温度为T1在温度T1下,阵列平均响应电压为:*↓[1]=**U↓[1](i,j)/M×N读取高温图像,即是当黑体的温度为T2在温度T2下,阵列平均响应电压为:*↓[2]=**U↓[2](i,j)/M×NM,N为正整数,分别表示面阵光敏元的行数和列数,(i,j)表示第(i,j)光敏元;步骤103,计算各像素校正系数对每个像元而言,有两个校正参数,分别为G↓[ij]为校正增益和O↓[ij]为校正偏置:G↓[ij]=(*↓[2]-*↓[1])/(U↓[2](i,j)-U↓[1](i,j))O↓[ij]=*↓[1]-G↓[ij]×U↓[1](i,j);步骤104,生成校正参数表,把两个参数分别放在两块flash中,并按照像元号数的递增依次存放,当校正程序运行时顺序读出增益和偏移因子;步骤105,是否有温漂,没有温漂则进行步骤107,有温漂选择步骤108;步骤106,读取待校正的图像;步骤107,利用步骤104的参数对原始图像进行两点校正法;步骤108,选取辐照度φ↓[M]作为定 ...
【技术特征摘要】
1. 一种去除温漂的红外非均勻性校正方法,其特征在于,包括以下步骤 步骤101,开始...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘子骥,蒋亚东,王然,姜宇鹏,袁凯,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:90[中国|成都]
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