一种去除温漂的红外非均匀性校正方法技术

本发明专利技术公开了一种去除温漂的红外非均匀性校正方法，该方法先求两点校正算法的校正增益和校正偏置，再求一点校正算法的校正偏置，求取一点校正算法的偏置参数时的图像数据来自前面求得的两点校正之后的数据。该方法具有成本低，校正动态范围大，效果好，原理简单的优点，以及在硬件方面很容易实现，效率高，准确等特点，适合应用于焦平面成像系统中。这种技术对红外焦平面的均匀性是一种技术上的提升。对促进红外焦平面成像系统的优良性能有了很大的帮助。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非致冷红外探测
，具体涉及一种去除温漂的红外非均勻性校 正方法。
技术介绍
红外焦平面阵列是20世纪70年代末80年代初，在国防应用以及其它战略与战术 应用的推动下发展起来的。它是获取景物红外热辐射信息的重要光电器件。除应用于传统 的军事成像外，还广泛应用于工业自控、医疗诊断、化学过程监测、红外天文学等领域。红外探测器是红外探测技术发展最活跃的领域，是红外热成像系统的重要组成部 分。目前比较成熟的光子型红外探测器已经广泛的应用到通信、医学、军事和工业等领域。红外焦平面阵列(IRFPA)属于第二代红外成像器件，是现代红外成像系统的核 心，相对于上代红外成像系统，它具有结构简单、工作稳定、噪声等效温差小、灵敏度高等优 点。但是由于受制作材料及制作工艺的限制，红外焦平面阵列各像元的响应特性无法做到 完全一致，存在非均勻性，严重影响了红外成像系统的探测灵敏度和空间分辨率。因此，工 程中使用的红外焦平面阵列都需要对非均勻性作出校正。红外系统在理想情况下，红外焦平面阵列受均勻辐射，输出幅度应完全一样。但实 际上，由于制作器件的半导体材料不均勻(杂质浓度、晶体缺陷、内部结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除温漂的红外非均匀性校正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤１０１，开始；步骤１０２，读取低温图像，即是当黑体的温度为Ｔ１在温度Ｔ１下，阵列平均响应电压为：＊↓［１］＝＊＊Ｕ↓［１］（ｉ，ｊ）／Ｍ×Ｎ读取高温图像，即是当黑体的温度为Ｔ２在温度Ｔ２下，阵列平均响应电压为：＊↓［２］＝＊＊Ｕ↓［２］（ｉ，ｊ）／Ｍ×ＮＭ，Ｎ为正整数，分别表示面阵光敏元的行数和列数，（ｉ，ｊ）表示第（ｉ，ｊ）光敏元；步骤１０３，计算各像素校正系数对每个像元而言，有两个校正参数，分别为Ｇ↓［ｉｊ］为校正增益和Ｏ↓［ｉｊ］为校正偏置：Ｇ↓［ｉｊ］＝（＊↓［２］－＊↓［１］）／（Ｕ↓［２］（ｉ，ｊ）－Ｕ↓［１］（ｉ，...

【技术特征摘要】
1. 一种去除温漂的红外非均勻性校正方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤101，开始...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子骥，蒋亚东，王然，姜宇鹏，袁凯，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]