一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置，用以在不需要购买新的掩膜板的情况下制作高解析度的基板，降低生产成本。膜层的图案化方法包括：在衬底基板上形成一层膜层，对膜层进行曝光；对曝光后的膜层进行显影，形成初步图案化的膜层；在显影过程中控制显影时长，使得初步图案化的膜层在与衬底基板接触的一侧形成向内凹的缺口；对完成上述步骤的衬底基板在预设温度下进行后烘烤，缺口上方位置处的膜层发生塌陷，使得初步图案化的膜层形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的膜层和非塌陷位置处的第二厚度的膜层；去除第一厚度的膜层，得到图案化的膜层。

【技术实现步骤摘要】
一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，阵列基板包括栅极等结构，制作栅极时通常采用构图工艺制作形成，即对沉积的栅极的金属层进行图案化后形成栅极；彩膜基板包括黑矩阵等结构，制作黑矩阵时通常也采用构图工艺制作形成，即对涂覆的黑矩阵的膜层进行图案化后形成黑矩阵。现有技术对形成栅极的金属层以及形成黑矩阵的膜层等进行图案化时需要采用掩膜板，以对形成黑矩阵的膜层进行图案化为例进行说明，首先在衬底基板上涂覆一层形成黑矩阵的膜层，然后对该膜层采用掩膜板进行曝光，最后对曝光后的膜层进行显影，在衬底基板10上得到图案化的黑矩阵11，如图1所示，对黑矩阵11的图案的宽度进行测量得到，采用现有技术的掩膜板曝光后得到的黑矩阵11的图案宽度为6μm。采用现有技术的掩膜板对阵列基板和/或彩膜基板上的膜层进行图案化后，制作的显示面板的解析度为400，若要制作更高解析度的显示面板，则需要购买新的掩膜板，采用新的掩膜板对阵列基板和/或彩膜基板上的膜层进行曝光，并对曝光后的膜层进行显影后形成的图案的宽度必须小于6μm，而形成的图案的宽度越小掩膜板的价位越高。综上所述，现有技术要制作更高解析度的显示面板的生产成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置，用以在不需要购买新的掩膜板的情况下制作高解析度的基板，降低生产成本。本专利技术实施例提供的一种膜层的图案化方法，所述方法包括：在衬底基板上形成一层膜层，对所述膜层进行曝光；对曝光后的所述膜层进行显影，形成初步图案化的膜层；在显影过程中控制显影时长，使得所述初步图案化的膜层在与所述衬底基板接触的一侧形成向内凹的缺口；对完成上述步骤的衬底基板在预设温度下进行后烘烤，所述缺口上方位置处的膜层发生塌陷，使得所述初步图案化的膜层形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的膜层和非塌陷位置处的第二厚度的膜层；去除第一厚度的膜层，得到图案化的膜层。由本专利技术实施例提供的膜层的图案化方法，该方法在显影后形成初步图案化的膜层，初步图案化的膜层在与衬底基板接触的一侧形成向内凹的缺口，并在后烘烤后，初步图案化的膜层形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的膜层和非塌陷位置处的第二厚度的膜层，之后去掉第一厚度的膜层，得到图案化的膜层，与现有技术膜层的图案化方法相比，能够实现更精细的图案，提高了解析度；另外，由于本专利技术实施例提供的膜层的图案化过程中不需要购买新的掩膜板，因此能够降低生产成本。较佳地，所述缺口关于所述初步图案化的膜层的中心轴线对称分布。较佳地，所述第一厚度的膜层关于所述初步图案化的膜层的中心轴线对称分布。本专利技术实施例还提供了一种膜层的图案化方法，所述方法包括：在衬底基板上形成一层膜层，在所述膜层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光；对曝光后的所述光刻胶进行显影，形成初步图案化的光刻胶；在显影过程中控制显影时长，使得所述初步图案化的光刻胶在与所述膜层接触的一侧形成向内凹的缺口；对完成上述步骤的衬底基板在预设温度下进行后烘烤，所述缺口上方位置处的光刻胶发生塌陷，使得所述初步图案化的光刻胶形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的光刻胶和非塌陷位置处的第二厚度的光刻胶；去除第一厚度的光刻胶，得到图案化的光刻胶；对衬底基板上未被所述图案化的光刻胶覆盖的所述膜层进行刻蚀，并去除剩余的光刻胶，得到图案化的膜层。由本专利技术实施例提供的膜层的图案化方法，该方法在显影后形成初步图案化的光刻胶，初步图案化的光刻胶在与膜层接触的一侧形成向内凹的缺口，并在后烘烤后，初步图案化的光刻胶形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的光刻胶和非塌陷位置处的第二厚度的光刻胶，之后去掉第一厚度的光刻胶，得到图案化的光刻胶，最后对未被图案化的光刻胶覆盖的膜层进行刻蚀，得到图案化的膜层，与现有技术膜层的图案化方法相比，由于刻蚀之前光刻胶的覆盖区域的面积减小，导致刻蚀后得到的图案化的膜层的尺寸减小，即能够实现更精细的图案，提高了解析度；另外，由于本专利技术实施例提供的膜层的图案化过程中不需要购买新的掩膜板，因此能够降低生产成本。较佳地，所述缺口关于所述初步图案化的光刻胶的中心轴线对称分布。较佳地，所述第一厚度的光刻胶关于所述初步图案化的光刻胶的中心轴线对称分布。本专利技术实施例还提供了一种基板的制作方法，其中，所述基板上的至少一层膜层采用上述的膜层的图案化方法制作。较佳地，所述基板为阵列基板或彩膜基板。本专利技术实施例还提供了一种基板，该基板采用上述的基板的制作方法制作。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的基板。附图说明图1为现有技术对形成黑矩阵的膜层图案化后形成的图案化的黑矩阵的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种膜层的图案化方法流程图；图3为本专利技术实施例提供的对形成黑矩阵的膜层图案化过程中对该膜层进行曝光时的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的对形成黑矩阵的膜层图案化过程中对该膜层进行显影后的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的对形成黑矩阵的膜层图案化过程中对该膜层进行显影后的扫描电子显微镜图片；图6为本专利技术实施例提供的对形成黑矩阵的膜层图案化过程中对该膜层进行后烘烤后的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的对形成黑矩阵的膜层图案化过程中对该膜层进行后烘烤后的扫描电子显微镜图片；图8为本专利技术实施例提供的对形成黑矩阵的膜层图案化后得到的图案化的黑矩阵的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的另一种膜层的图案化方法流程图；图10-图13为采用图9所示的膜层的图案化方法对膜层进行图案化的不同过程中的膜层的结构示意图。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置，用以在不需要购买新的掩膜板的情况下制作高解析度的基板，降低生产成本。为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合附图详细介绍本专利技术具体实施例提供的膜层的图案化方法。附图中各膜层厚度和区域大小、形状不反应各膜层的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。如图2所示，本专利技术具体实施例提供了一种膜层的图案化方法，包括：S201、在衬底基板上形成一层膜层，对所述膜层进行曝光；S202、对曝光后的所述膜层进行显影，形成初步图案化的膜层；在显影过程中控制显影时长，使得所述初步图案化的膜层在与所述衬底基板接触的一侧形成向内凹的缺口；S203、对完成上述步骤的衬底基板在预设温度下进行后烘烤，所述缺口上方位置处的膜层发生塌陷，使得所述初步图案化的膜层形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的膜层和非塌陷位置处的第二厚度的膜层；S204、去除第一厚度的膜层，得到图案化的膜层。下面以对形成黑矩阵的膜层进行图案化为例进行说明。如图3所示，首先，在衬底基板10上制作一层形成黑矩阵的膜层30，膜层30可以采用涂覆的方式制作在衬底基板10上，膜层30的具体制作方法与现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜层的图案化方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成一层膜层，对所述膜层进行曝光；对曝光后的所述膜层进行显影，形成初步图案化的膜层；在显影过程中控制显影时长，使得所述初步图案化的膜层在与所述衬底基板接触的一侧形成向内凹的缺口；对完成上述步骤的衬底基板在预设温度下进行后烘烤，所述缺口上方位置处的膜层发生塌陷，使得所述初步图案化的膜层形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的膜层和非塌陷位置处的第二厚度的膜层；去除第一厚度的膜层，得到图案化的膜层。

【技术特征摘要】
1.一种膜层的图案化方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成一层膜层，对所述膜层进行曝光；对曝光后的所述膜层进行显影，形成初步图案化的膜层；在显影过程中控制显影时长，使得所述初步图案化的膜层在与所述衬底基板接触的一侧形成向内凹的缺口；对完成上述步骤的衬底基板在预设温度下进行后烘烤，所述缺口上方位置处的膜层发生塌陷，使得所述初步图案化的膜层形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的膜层和非塌陷位置处的第二厚度的膜层；去除第一厚度的膜层，得到图案化的膜层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺口关于所述初步图案化的膜层的中心轴线对称分布。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一厚度的膜层关于所述初步图案化的膜层的中心轴线对称分布。4.一种膜层的图案化方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成一层膜层，在所述膜层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光；对曝光后的所述光刻胶进行显影，形成初步图案化的光刻胶；在显影过程中控制显影时长，使...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑奉官，王伟杰，曾庆慧，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11